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本发明公开了一种多失效模式下工业机器人RV减速器的可靠性分析方法，该方法从主要失效模式入手，建立相应极限状态下的功能函数，确定不同失效模式下的不确定因素，对应于功能函数中的参数变量，确定其分布特性；在得到主要失效模式的功能函数之后，将其转化为Kriging模型，确定模型中的学习函数类型，结合Monte Carlo仿真法进行抽样，拟合所建立的功能函数；进一步根据所需精度要求确定学习停止条件，形成完整的学习过程；根据所建立的AK‑MCS可靠性分析模型计算失效概率和变异系数，验证是否符合精度要求；得到的可靠性分析结果可以反馈多失效模式下工业机器人RV减速器的可靠性问题及优化方法，为其可靠性设计提供有力依据。
本发明公开了一种基于可靠性屋和粗糙理想点发的故障模式与影响分析方法，以可靠性屋的矩阵结构为基础，通过专家打分的方式，获得失效模式的评分信息；采用粗糙数融合不同专家给出的评分信息，建立失效模式粗糙数评分矩阵；通过分析失效模式的传播机理，建立失效模式传播链，以失效模式的传播方向和强度作为输入，重新构建失效模式粗糙数评分矩阵，在充分考虑风险因素权重差异的情况下，引入理想点(VIKOR)法对失效模式的风险等级进行排序；相比与传统的FMEA方法及其现有的改进发放，本发明能够有效地处理专家评分信息的主观性与不确定性问题，充分考虑了失效模式间的传播影响关系，使得出的分析结果更容易被决策者接受。
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本发明涉及半导体缺陷分析技术领域，尤其涉及一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法，首先在一个预设电压的条件下筛选出具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构，然后对该具有栅氧化层缺陷的待测半导体结构进行操作，先研磨掉金属互连层，然后用扫描电镜电压对比方法确定栅氧化层缺陷位置，再依次去除互连线、介电层和栅极，并在剩下的栅氧化层上沉积一层与栅氧化层透射电镜衬度对比度较大的衬度对比层，在有问题的栅极区域进行透射电镜样品制备，最后通过透射电镜来进行分析。通过该方法可以清晰的观察栅氧化层缺陷原貌，为查找栅氧化层制程工艺缺陷提供有力的依据和方向。
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本发明涉及SSD失效分析方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括当SSD出现失效时，获取SSD全盘信息；根据SSD全盘信息构建失效场景，并对失效场景进行分析，以得到分析结果；发送所述失效结果至终端，以在终端显示所述失效结果。本发明通过在SSD出现失效时，导出SSD全盘信息，并根据SSD全盘信息重建失效场景并在本地进行分析，以此形成分析结果，且导出SSD全盘信息可以无限次重建失效场景，能永久保存失效场景，也极大便利了失效分析及问题解决后的验证，实现多种场景的失效分析，提升分析的成功率和准确率。
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本发明属于软件安全性领域，具体为一种基于失效偏差矩阵的安全性分析方法。以满足航空装备软件安全性分析要求。首先考虑软件系统之间的交联关系，建立系统模型，识别模型中每一个描述功能的场景，结合失效分析规则生成失效偏差矩阵，确定失效模式，并在模型中对失效全过程进行跟踪监控分析，形成规范的航空装备软件安全性分析方法。建立了以面向安全的模型为基础的航空装备软件失效偏差矩阵生成方法，提高了安全性分析的有效性和准确性，避免了安全性分析的主观性和随意性，方法直观、意义明确，便于工程人员的理解和实际操作；建立了标准的，可操作的软件安全性分析流程，使软件安全性分析工作更加规范、完整、可操作。
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本发明涉及一种基于车载TFT屏显示失效分析系统，所述系统包括基于MCU单元的信号处理分析板卡和基于LABVIEW开发环境设计的上位机测试软件。信号解析系统将FPD_LINK信号解串，再进行转换提取关键信号参数经过MCU系统测量通过串口发送到上位机测试软件系统，另一方面板卡可以通过与TFT前屏驱动板通信接口连接读取屏内部寄存器值获取报警和错误标志，参照TFT厂家产品规格书映射相应报警及错误信息传输代码号到上位机软件系统。上位机测试软件系统可以接收来自板卡的视频数据信息和LVDS信号关键信号参数信息做出显示，另一方面能可以依据测试需要配置板卡内部LVDS信号处理芯片的参数。
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本发明涉及产品或过程的失效分析技术领域，具体涉及一种实现功能和失效关联的FMEA分析方法，包括如下步骤：输入上级要求并界定分析的范围和目的；创建产品“结构树”，并生成产品“结构树”的功能；利用功能失效矩阵识别功能间的上下级传递关系并关联，生成功能网；在已识别的功能关联基础上识别失效内容并关联，生成失效网；根据功能和失效关联后完成风险分析和优化；输出基于功能和失效关联的DFMEA结果。本发明使得逻辑清晰且操作简单。
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本发明提供一种芯片失效的数据分类分析方法及其装置,其方法为:确定芯片尺寸和类型;确定芯片失效模式;对芯片进行扫描,将芯片中失效位的信息作为原始数据,存储在数据库中;将原始数据格式转换成统一的标准数据格式;对所述标准数据进行分析并分类;显示分类结果。与现有的技术相比,本发明提供的芯片失效的数据分类分析方法及其装置通过确定芯片尺寸和类型;确定芯片失效模式,然后采用一维聚类算法分别将横向和纵向的失效位统计出来,再将其合并,从而大大减少统计的运算量,提高系统的性能,从而能应用于分析具有大容量的存储产品。
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本发明涉及一种基于芯片的失效分析平台及芯片选型方法，该平台包括：平台准入模块，用于判断欲进入平台的企业是否满足准入条件，基于已进入平台的企业的企业贡献度给予其不同等级的平台使用权限；信息采集模块，用于通过平台信息采集或者企业信息释放获取芯片失效分析信息；平台管理模块，用于对失效芯片信息进行审核，针对发布虚假信息企业基于惩戒，并考评企业给予激励；统计分析模块，用于利用数学模型对采集信息进行统计分析实现关键信息提取。本发明有效的将各种零散的失效分析案例整合起来，实现信息的规范化、统一化管理，消除“信息孤岛”，打破信息壁垒，形成可共享的知识平台；该平台对于芯片选型和芯片失效快速分析有重要支撑作用。
提供了一种用于操作活塞式发动机(1)的方法，该方法包括以下步骤：监测被用于冷却所述发动机(1)的汽缸(5)的冷却液的压力；监测所述发动机(1)的曲轴的扭转振动；比较所测量的冷却液压力与预定极限值；比较所测量的扭转振动与预定极限值；以及在所测量的冷却液压力超过其预定极限值并且所测量的扭转振动超过它们的预定极限值的情况下，诊断出泄漏的汽缸盖垫片。
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本申请公开了一种功率器件的失效分析方法，包括：去除集成有功率器件的晶圆的正面的第一金属层；通过失效点定位机台对正面失效区域进行定位后，对正面失效区域进行标记，得到正面失效标记；通过失效点定位机台在背面查找到正面失效标记，对背面失效区域进行定位，背面失效区域是正面失效区域在背面的对应区域；通过失效点定位机台对背面失效区域进行标记，得到背面失效标记；根据背面失效标记对背面失效区域进行失效分析。本申请实现了对晶圆的背面进行失效分析，提高了失效分析的准确度。
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本申请提供一种空载输出电压升高的电源模块失效的分析方法，包括：获取待测的电源模块的反馈环路系统中所有独立器件的当前功能数据；将每个独立器件的当前功能数据与对应的标准功能数据进行比对；响应于一所述独立器件的当前功能数据与对应的所述标准功能数据不相同，则判定该独立器件为电源模块的失效位置；响应于确定所有独立器件的当前功能数据与对应的标准功能数据均相同，改变反馈环路系统中PWM比较器的输入信号，获取电源模块的当前空载输出电压；将当前空载输出电压与电源模块的原始空载输出电压进行比对；响应于当前空载输出电压小于原始空载输出电压，则判定PWM比较器为所述电源模块的失效位置。
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本发明涉及多失效模式下结构系统可靠性的全局灵敏度分析方法，其包括首先将固定在某一变量实现值的条件概率转化为固定在某一小区间的条件概率，实现了对以往双层嵌套方法的单层解耦，避免了对条件概率密度函数的拟合，降低了对可靠性全局灵敏度指标的求解难度并提高了计算精度；其次，嵌入了基于Kriging代理模型的复合准则方法，该方法避免了当前系统失效概率求解方法中Kriging模型在迭代更新时由于其不收敛而对极值模式判断错误导致最终结果的不收敛或计算效率较低等影响，同时保留了当前各失效模式Kriging模型预测的极值信息，加快了系统失效边界的识别速度，从而保证了系统失效概率计算精度的同时提高了其求解效率。
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本发明公开了一种少失效数据的变压器绝缘可靠性分析方法。通过对油纸绝缘进行不同温度下的热老化，得到不同老化程度的油纸绝缘样品；间隔一段时间测量每个样品的聚合度数据，得到绝缘样品聚合度变化情况；设置截尾时刻，并求解可靠性参数的点估计；随后设定置信系数，得到该置信水平下的参数置信下限；最后建立方程计算变压器绝缘可靠性。该方法能判断少失效数据的变压器绝缘可靠性。
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本实用新型公开了一种用于SEM/FIB失效分析的样品座，包括定位圆柱、样品存放台和固定螺丝，所示定位圆柱设置在样品存放台底部，所述样品存放台上表面开设有至少四个样品槽，每个样品槽分别对应有固定螺丝，所述固定螺丝从样品存放台侧部分别伸入到各个样品槽内。本实用新型通能同时观测多个样品，提高物性失效分析的效率；可以把多个铜工艺样品尽快放入真空室内避免被氧化污染；避免多次置换样品，保持真空值提高分辨率；改进样品固定螺丝美观且容易控制力度，避免样品被夹碎。
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本发明涉及一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。该方法及中间件连带热沉一同取下，在芯片周围粘接垫脚用作保护，通过研磨的方式去掉热沉，持续研磨去除衬底处金层，至芯片衬底完全露出，适用于多种封装形式的半导体激光器芯片，也适用于不同材料体系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半导体激光器芯片，该方法可直接对百um量级微小易碎的激光器芯片进行制样，无需采用各种精密的微纳米加工设备。注重对样品保护，可有效避免在失效样品取样过程中或制样过程中的样品损伤。制样完成后探测点在同一平面上，便于加电测试。采用的可清洗粘接剂，样品可取出，利于后续其他分析。
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本发明涉及一种基于连续损伤力学退化模型的复合材料结构失效分析方法，该方法建立了单向纤维增强复合材料的三维连续损伤力学退化模型，考虑了纤维“裂纹”和基体裂纹两类损伤形式和损伤的方向性，同时，考虑了纤维拉伸和压缩损伤过程中纤维损伤与基体损伤的耦合、载荷反向加载时出现的裂纹闭合效应，分别使用三个损伤变量表征纤维“裂纹”损伤和两个相互垂直的基体裂纹损伤，最终得到可用于复合材料结构失效分析的连续损伤力学退化模型。本发明与现有的突降退化模型相比，考虑了复合材料损伤后在不同载荷状态下的行为特点，能够准确地表征材料损伤后的性能，适用于载荷状态、约束情况更加复杂情况下的复合材料结构损伤过程的模拟和强度的预测。
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本发明涉及一种金属材料韧性断裂耦合失效仿真分析方法，步骤为：进行不同应力状态试样拉伸测试；确定仿真输入的真实应力应变曲线：确定大单元尺寸下断裂准则待定参数；确定起始退化模型的待定参数；确定应力退化参数；进行金属材料断裂失效仿真模拟。本发明能够有效地提高金属材料韧性断裂失效的预测精度，特别是高强度金属材料的计算精度，提高计算效率，材料损伤参数获取简单，可以有效解决失效模型工程应用的困难问题，适用范围广泛。
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本发明提供了一种在线分析电涌保护器寿命和失效的方法。提出了SPD寿命与失效时间计算的一种新方法。该方法通过监测SPD的漏电流、SPD的温升、SPD的温升速率、SPD电容变化、SPD在线时间、SPD泄放雷击的次数、SPD工作状态，并控制不同参数整体比重和加权因子最终得出SPD寿命与失效时间的计算。相比以前依靠单一数值进行SPD寿命与失效时间计算的准确性更高。
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一种风机变桨轴承的失效分析方法，包括以下步骤：步骤S1获取风电场内所有风电机组的运行参数数据；步骤S2筛选启机阶段的运行参数数据；步骤S3将风电场内所有风机进行分类，统计；步骤S4对单台风机的变桨电机电流进行监控；步骤S5对单台风机的叶片扭矩进行监控；步骤S6对单台风机的轴承变桨速度进行监控；步骤S7监控单台风机的3个变桨电机电流变化；步骤S8监控单台风机的3个叶片扭矩变化；步骤S9监控单台风机的3个变桨速度变化。本发明克服了现有技术的不足，通过大数据的拟合，聚类，对比等方法对变桨轴承内部损伤度进行监控。能够在轴承失效的早期探测到轴承传动链的异常，有针对性的对现场风机进行排查，给现场的维护人员以足够的准备时间。
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本发明涉及一种电压超调对介电失效/击穿的影响的分析实验估计器。一种方法测试集成电路器件以测量电压超调状况。所述方法确定超调时间比例。所述超调时间比例是在所述集成电路器件的整个有用工作寿命期间，发生电压超调状况的时间量相对于发生正常工作状况的时间量。所述方法还确定超调失效比例。所述超调失效比例包括在所述电压超调状况期间发生的介电失效量相对于在所述正常工作状况期间发生的介电失效量。所述方法基于所述超调时间比例和所述超调失效比例计算允许的超调电压。所述方法附加地计算电压波形的平均超调电压并将所述平均超调电压与所述允许的超调电压进行比较，从而确定所述平均超调电压是否超过所述允许的超调电压。
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本发明涉及一种用于电路板产品热致失效及可靠性评估的热分析方法，该方法包括：基于eyeshot三维几何建模；物理、数学建模和算法定制；与OpenFOAM之间的数据传递；驱动OpenFOAM进行网格划分和数值仿真计算；监测OpenFOAM计算状态；解析并读取OpenFOAM结果文件，通过eyeshot，按照用户要求输出流场、温度场等计算结果及图形文件。本发明根据实际电路板产品，结合三维建模、可视化显示软件eyeshot和开源CFD软件OpenFOAM，实现OpenFOAM用于电路板产品热分析的建模、前处理和后处理的可视化，形成了一套科学、准确、高效、便捷的基于OpenFOAM的用于电路板产品热致失效及可靠性评估的热分析方法，该方法实现了计算机自动完成大量的人工交互的程序工作。基于此方法进行传热数值模拟和相应的设计工作，能够极大地提高工作效率。
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本发明公开了一种芯片失效分析仪器，其测试夹具包括底板、载板及夹板，底板中央设有均匀布置的金属凸起，贯穿载板上表面、下表面设有与金属凸起对应的均匀布置的通孔，通孔内设有用于与被测芯片的引脚连接的连接件，连接件包括设于载板上表面的金属薄片及连接于金属薄片下的金属探针，金属探针套设有弹性部件，且弹性部件固定于通孔内壁，被测芯片置于载板上表面时，夹板轻压于被测芯片上，被测芯片的引脚压于金属薄片上，弹性部件一起被压缩，且金属探针与金属凸起电性连接；其测试机台用于对被测芯片输出测试信号，且可选择地与金属凸起电性连接。本发明是一种能够广泛适用于各种封装结构的芯片进行失效分析的测试设备。
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本申请涉及一种集成电路的分析方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测器件包含的数字集成电路对应的门级网表，所述门级网表用于描述所述数字集成电路包括的多条路径及每条路径上的门电路包括的至少一逻辑门；根据所述门级网表获取每条路径的路径信息；根据所述路径信息和预设器件退化模型计算每条所述路径的延时增量；根据所述延时增量和失效边界条件计算每条所述路径的失效时间，并将最小失效时间对应的路径作为所述数字集成电路的关键失效路径。通过本方法可基于电路负载及时序要求分析出集成电路中导致可靠性退化的关键失效路径，从而在设计早期对该路径进行加固，提高集成电路的可靠性。
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本发明的一种电涌保护器防雷器件失效分析的装置,包括:一整流滤波电路;一DC/DC变换器;一DC/AC变换器,用于将来自所述DC/DC变换器的直流电压进行变换,变成预定频率的交流电压;一限流电路,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中;一电流采样,串联在DC/DC变换器与DC/AC变换器的回路中,用于将流过电涌保护器的电流转换成电压信号;一电流放大电路,用于将来自所述电路采样的电流信号进行放大,送给所述DC/DC变换器,以保证流过电涌保护器的电流不变。本发明装置由于采用了先进闭环控制技术,达到了实时调节流过SPD的电流的效果,使设备的成本大大降低,同时提高了测试的准确度。
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本发明提供了一种封装器件的失效分析方法，包括：提供一包括自下向上的封装基体层、芯片主体层和封装盖板层的封装器件，封装基体层中的每条导电线路与对应的外接测试点电性连接，芯片主体层中的每个焊盘与对应的导电线路电性连接；获取每个焊盘通过对应的导电线路与对应的外接测试点之间的电性连接关系；通过外接测试点对芯片主体层进行电性测试，以获取电性测试出现异常的电性连接关系；以及，根据电性测试出现异常的电性连接关系，抓取芯片主体层中的热点，并在芯片主体层的顶表面标记热点的位置。本发明的技术方案使得能够在无损的条件下快速且准确地找到热点的位置，进而使得能够对芯片主体层进行快速且有效的失效分析。
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本实用新型提出一种用于制备可供扫描电容显微镜研究的芯片失效分析样品的制样装置，包括聚焦离子束、金属垫片、离子风扇、加热台和UV灯，待测试的芯片经由所述聚焦离子束切割得到芯片样品，将所述芯片样品粘贴在所述金属垫片上，所述离子风扇对所述金属垫片上的芯片样品进行吹拭以除去所述芯片样品表面沉积的离子，随后将所述金属垫片移送至所述加热台，所述加热台对所述芯片样品进行加热，所述UV灯对所述芯片样品进行照射，所述加热台与所述UV灯共同作用以在所述芯片样品的表面形成致密的氧化层。本实用新型提供的制样装置操作简单，制样完整精确，能有效地保证芯片失效分析结果的准确性，提高测试分析结果的精确度。
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本发明公开了一种快速有效进行系统硬盘失效分析及修复的方法，属于计算机技术领域，本发明要解决的技术问题为如何通过异常后检查或者SMART?check?后检查硬盘健康状态以及如何根据SMART?结果进行对应的操作后，判断失效是否为真正的失效，并对子系统进行修复。技术方案为：步骤如下：（1）Linux下查看硬盘是否支持SMART；（2）根据步骤（1）的结果，如果支持，直接执行步骤（4）；如果不支持SMART,通过指令：smartctl?--smart=on--offlineauto=on--saveauto=on/dev/sdxx。
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本申请提供了一种制备失效分析样品的方法。该方法包括：步骤S1.提供样品，该样品的待测表面分为第一表面区域和第二表面区域；步骤S2.利用油性物质将第一表面区域覆盖；步骤S3.在第二表面区域设置多个通孔，通孔延伸至样品的基底表面；步骤S4.在待测表面和通孔中设置金属；以及步骤S5.去除油性物质。本申请提供的方法通过在去除覆盖在第一表面区域的油性物质时同时去除附着在其上的金属，从而使第一表面区域的样品表面裸露；而第一表面区域在受到轰击时产生二次电子，与二次电子对应的正电荷被位于其周围的金属导出，由此产生的二次电子成像能够反映该处的原始表面形貌。
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