本发明提供一种半导体失效分析样品的制备方法,其包括如下步骤:沿预设方向,在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点,所述分裂点呈一条直线排列;以所述分裂点所在直线为分裂线,分裂所述待分析样品,暴露出所述待分析样品的侧面截面,形成所述半导体失效分析样品。本发明在待分析样品表面形成分裂点,以所述分裂点为分裂起始处,进行分裂操作。采用本发明的制备方法能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品,并且能够在低成本的前提下,提高制样成功率,且不会破坏样品。
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