本发明涉及一种集成电路
芯片失效分析样品的制备方法,包括下列步骤:在集成电路芯片样品上涂抹封装胶,使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位;对涂好封装胶的样品进行加热固化;将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固,避免其在抛光过程中受力变形,从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备,制备条件很容易被满足。
声明:
“集成电路芯片失效分析样品的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)