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本发明公开了一种通过量纲分析建立锂离子电池高容量电极材料在充放电过程中失效机制图的方法；该方法是首先根据Π定理，对电极材料充放电过程中所涉及的主要参数进行量纲分析，并建立无量纲函数关系式；然后通过有限元计算和函数拟合确定无量纲函数的具体表达式；再进一步建立电极材料充放电过程中的失效机制图，该方法简单、高效，通过量纲分析准确建立了锂离子电池高容量电极材料在充放电过程中失效机制图的方法，解决了现有技术中通过复杂的实验来探究锂离子电池高容量电极材料在充放电过程中的失效的问题；为控制大体积变化锂化反应，指导设计优化电极结构提供依据，为从根本上解决电极材料的失效问题提供基础。
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本发明提供一种半导体失效分析样品的制备方法，其包括如下步骤：沿预设方向，在待分析样品的选定区域表面形成多个分裂点，所述分裂点呈一条直线排列；以所述分裂点所在直线为分裂线，分裂所述待分析样品，暴露出所述待分析样品的侧面截面，形成所述半导体失效分析样品。本发明在待分析样品表面形成分裂点，以所述分裂点为分裂起始处，进行分裂操作。采用本发明的制备方法能够制备出结构尺寸准确的失效分析样品，并且能够在低成本的前提下，提高制样成功率，且不会破坏样品。
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本发明属于非标准试件失效分析领域，提供了一种非标准失效结构件试样的冲击性能分析试验装置及方法。其中，非标准失效结构件试样的冲击性能分析试验装置包括夹持部，其包括支撑板，所述支撑板可在水平面内转动，且当支撑板转动到设定角度后固定不动；所述支撑板上设置有夹具，夹具用于夹持非标准失效结构件试样；冲击部，其用于对位于与其同一水平线上且由所述加持部夹持的非标准失效结构件试样提供冲击力；所述冲击部与夹持部之间的距离可调。
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本发明提出一种非概率失效评定图可靠性分析方法，应用该方法无须精确的失效评定点与失效评定曲线即可对含缺陷结构的可靠性进行分析，为含缺陷结构可靠性分析提供参考。首先，基于区间理论与失效评定图理论，建立非概率失效评定图可靠性分析模型，将失效评定点与失效临界点转换为区间变量。其次，结合干涉理论，将失效评定点与失效临界点区间转换为标准化区域，根据结构极限状态函数与标准化区域的关系，定义非概率失效评定图可靠性指标η∈[0,+∞)。η＝0表示结构处于失效状态，0＜η＜1表示结构的可靠度，η≥1表示结构的安全裕度。最后，通过与传统失效评定图可靠性方法进行对比分析，验证本发明提出的非概率失效评定图可靠性分析方法的有效性。
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本申请实施例提供一种CPU失效位置的定位分析方法及相关产品，所述方法包括：在CPU测试状态下，CPU迭代运行指令直至该CPU的迭代运行指令处于异常状态，记录迭代运行指令的CPU的各寄存器的状态值；将迭代运行指令的CPU的各寄存器的状态值与该测试状态下预设的各寄存器的真实golden值进行比对得到比对结果；依据所述比对结果实现对CPU失效位置的定位。本申请的技术方案具有精确定位的优点。
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本发明公开了一种页岩气压裂地面系统共因失效层级化分析方法，属于共因失效分析技术领域，解决了对含有共因失效的系统的可靠性分析较为繁琐的技术问题。该方法包括：确定系统中的共因单元，并建立系统的层级失效模型；根据系统的层级失效模型，逐级计算单元独立故障的系统可靠性；利用系统的层级失效模型中的共有信号，修正系统可靠性；计算系统的层级失效模型中的各个单元在各个时间点的成功概率；在考虑共因失效的情况下，计算系统的层级失效模型在不同时间点的成功概率。
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本发明提供一种失效分析去层方法，截取样品并将其放入激光切割机，确定样品的失效分析区域和目标位置；目标位置所在失效分析层为Mx；利用激光切割机制作环绕目标位置的多个沟槽；沟槽底部位于金属层Mx+2层上或其以下深度的位置；环绕目标位置的多个沟槽相邻彼此相互贯通，沟槽环绕目标位置的失效分析区域相对于样品其他区域被划分为基于失效分析的独立区域；将样品置于抛光机上，针对被沟槽环绕的失效分析区域进行去层研磨并利用光学显微镜观察研磨位置，研磨至去除失效分析层Mx以上金属层，并将失效分析上Mx中的目标位置暴露为止。本发明的失效分析去层方法在保证芯片去层精确性、有效性的同时缩短磨样时间，增强效率。
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本发明特别涉及一种橡胶材料的失效分析方法，属于失效分析技术领域，通过扫描电子显微镜分析、溶胀指数分析、红外光谱分析和GC‑MS分析等一系列定性和定量的材料失效分析手段的协同组合，形成一种拓扑分析的失效分析方法，采用多步骤组合、递进，准确找到汽车用减震橡胶件的橡胶材料破损的失效原因，可对各类橡胶材料分析失效原因，不受橡胶材料的限制，逻辑清晰，大幅缩短失效试验的人力、物力投入，提升质量整改效率。
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本发明公开了一种热塑性复合材料层压结构的失效分析方法，包括：步骤1，建立热塑性复合材料的面内弹性损伤模型，得到面内弹性损伤的应力应变水平；步骤2，建立热塑性复合材料的面内剪切弹塑性模型，得到面内剪切弹塑性的应力应变水平；步骤3，根据步骤1和步骤2得到的应力应变水平，确定出热塑性复合材料层压结构的面内初始损伤以及面内发生初始损伤后的刚性退化形式；步骤4，确定热塑性复合材料层压结构的层间初始损伤以及层间发生初始损伤后的刚性退化形式。本发明实施例提供的技术方案解决了现有复合材料损伤理论主要为针对热固性复合材料的研究，从而导致难以有效预测热塑性复合材料层压结构渐进失效情况的问题。
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本发明提供一种基于失效机理的元器件FMEA分析方法与系统，对元器件进行FMEA结构划分，将元器件分解为功能单元，功能单元具有独立的失效机理，分析功能单元的失效机理和分析导致失效机理的失效模式，分析失效机理和失效模式对元器件的影响，根据功能单元的失效机理，构建失效物理模型，根据失效物理模型，分析引起失效机理的失效原因，整合元器件失效影响分析结果和引起失效机理的失效原因，获得FMEA分析结果，以提高元器件可靠性。整个元器件FMEA分析的起点是失效机理，在识别失效机理的基础上，对其失效物理模型进行分析，分析失效机理的加速因子，从深层次上对元器件进行准确的可靠性分析，准确反映元器件可靠性状况。
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本发明公开了一种基于数据融合的工程机械失效模式分析方法，对产品故障数据和零件失效数据进行采集、关联，将新出现的组合关系存入失效模式库；在融合的失效模式基础上，通过案例推理进行失效案例自相似性匹配，将相似度50%以下的案例自动存入案例库；采用数理统计、相关性、关联性等分析方法，统计失效模式分布规律，分析失效原因。并设计了关键零部件通用失效模式信息模型，开发了工程机械失效模式分析系统。本发明，有效解决大量失效数据及再制造数据分散性大、索引效率低、知识固化困难、以及失效规律难以挖掘等问题；可实现零部件失效模式规范化管理及信息共享；可实现不同工程机械零部件失效模式统一管理，信息集成能力强，应用范围广。
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本发明提供一种元器件失效归零分析方法与系统，系统建立元器件失效物理故障树，将失效物理故障树转换为失效定位故障树，建立机理原因与失效特征相对应的元器件故障字典，根据故障树和故障字典进行元器件失效归零分析。本发明元器件失效归零分析方法与系统，能够通过失效定位故障树将元器件故障定位到内部物理结构，给出清晰的失效路径，通过故障字典的失效特征向量分析快速确定元器件失效模式对应的失效机理，通过失效物理故障树确定相关失效机理的机理因子和影响因素，提出针对性的失效控制措施，实现对电子元器件故障的快速、准确定位和诊断。
本发明提供一种基于失效大数据的电子整机加速贮存试验加速因子分析方法，利用不同种电子整机在贮存过程中的得到的失效大数据，更准确地分析电子整机的加速因子，从而提高贮存期验证的准确性。具体包括：获取电子整机的元器件清单；根据电子整机的质量数据库中查询所述元器件清单中的每种元器件型号的贮存失效信息，形成电子整机失效元器件清单；计算或查表得到所述失效元器件清单中每个元器件在贮存温度Tu和加速贮存试验温度TA下的失效率，形成元器件失效率表；根据所述元器件失效率表分析加速贮存试验的加速因子Af。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的失效分析方法。所述三维存储器的失效分析方法包括如下步骤：提供一存储区域，所述存储区域包括多条平行设置的阵列共源极，相邻阵列共源极之间具有插塞，所述插塞的端部用于与字线电连接；获取与失效字线电连接的目标插塞的位置；形成连接线于所述存储区域，所述连接线电连接所述存储区域内的所有阵列共源极；分别引出所述目标插塞与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部，以对所述失效字线进行热点定位分析。本发明提高了三维存储器在失效分析过程中热点定位的准确度和定位的效率，确保了三维存储器失效分析结果的可靠性。
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本发明涉及一种晶圆研磨方法及晶圆失效分析方法。所述晶圆研磨方法包括如下步骤：提供初始晶圆，位于所述初始晶圆的边缘的裸芯片中具有测试地址；形成重组晶圆，使得具有所述测试地址的裸芯片位于所述重组晶圆的中部；进行至少一次如下循环步骤，所述循环步骤包括：于所述重组晶圆暴露的当前层上形成保护层，所述保护层至少位于所述测试地址上方；研磨所述重组晶圆中未被所述保护层覆盖的所述当前层；去除所述保护层和所述保护层下方残留的所述当前层；判断所述测试地址是否暴露，若否，则以暴露的所述下一层作为下一次循环步骤的当前层。本发明能够使得测试地址能够完整、平坦的暴露，减少甚至是避免了栅极本体的漏电问题。
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本发明实施例公开一种芯片的物理失效分析方法及装置、电子设备、存储介质，涉及半导体加工技术领域，能够有效提高芯片的失效分析效率。所述方法包括：根据电学失效分析，获取目标芯片中可疑失效点的位置信息，所述位置信息包括所述可疑失效点在所述目标芯片中所处的目标图层对应的版图，以及所述可疑失效点在所述目标图层中的位置；根据所述可疑失效点的位置信息，获取所述目标芯片中预设范围内的芯片图像，得到第一图像，所述预设范围与所述位置信息相对应；通过预设的图像识别模型，对所述第一图像进行轮廓识别，得到第二图像；根据所述第二图像及所述目标图层对应的版图，确定所述可疑失效点的物理失效情况。本发明适用于芯片失效分析中。
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本发明公开了一种考虑时变软失效阈值的相依竞争失效模型的可靠性分析方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、建立机械设备由随机冲击引起的系统硬失效模型；步骤2、建立时变软失效阈值的系统软失效模型；步骤3、建立时变软失效阈值的相依竞争失效的系统可靠性模型。本发明解决了现有技术中存在的失效阈值恒定导致可靠性模型准确性低，进而导致可靠性分析不够精确的问题。
本发明提供一种对民机失效模式与影响分析试验方法进行选择及验证的方法，其包括以下步骤：S1、明确被分析对象的层级Y并输出；S2、明确分析对象的最低约定层次单元并输出；S3、收集民用飞机及其系统的设计材料；S4、确定分析对象的研制阶段T并输出相关结果；S5、确定民用飞机失效模式与影响分析的考核公式，得到最终分析方案：S6、根据相关表格，收集民机产品信息；S7、根据S6收集的民机产品信息，对民用飞机失效模式与影响分析进行故障模式验证，确定民用飞机失效模式与影响分析是否可行。本发明提供一种民机失效模式与影响分析的方法，识别出整机或关键系统的潜在功能失效模式，识别出关键和重要的产品功能，并制定相应预防或改进措施。
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本申请提供了一种用于分析继电保护系统失效的数据处理方法及系统，通过所述变电站配置描述文件、薄弱环节分析目的信息、所述专家经验信息和所述风险库数据信息分析得出影响系统失效的故障树事件，分析影响本次薄弱环节分析的故障树事件间逻辑关系和前后级关系，并以此为基础搭建系统失效树模型，计算得出薄弱环节，本方案能够针对薄弱环节进行分析，解决了不基于薄弱环节分析基础而盲目进行继电保护可靠性提升策略研究的问题。同时，本方案通过分析薄弱环节分析目的信息，能够针对不同的目的进行不同的薄弱环节分析，解决了没有针对不同分析目的进行薄弱环节分析的问题。
本发明公开了基于故障树的汽车功能失效分析方法、系统、设备及介质，所述方法具体包括：遍历整车系统中每个相关项功能，基于故障树对每个所述相关项功能所对应的组件进行失效影响分析以确定组件失效模式，其中，所述故障树以所述相关项功能违背安全目标作为顶事件，以组件本身失效、输入组件失效和传输组件失效作为所述故障树的中间事件；判断每个所述组件失效模式是否违背其对应的安全目标，为违背安全目标的所述组件失效模式匹配对应的安全机制，并为整车系统中每个相关项汇总和输出对应的FMEA分析表。本发明能够得到全面的失效模式和完备的安全机制，提高电控系统的安全性，进一步降低系统危害发生的概率。
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一种基于SysML模型的级联失效传播效应动态分析方法，基于SysML模型构造系统功能运行状态模型并从中提取出功能逻辑关系和运行状态级联关系，生成模型交互关系矩阵集合；再根据级联失效搜索算法从集合中的交互信息中生成失效传播链条；最后将失效传播链条整合为级联失效动态图形化结构以实现失效传播路径和影响范围的可视化。本发明能够对于复杂综合系统失效传播过程的动态描述与影响分析，达到失效传播路径和失效影响范围的可视化。
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本发明公开了一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法，包括对待分析Flash样品的上表面各层进行减薄处理，露出含有ONO薄膜缺陷的储存单元的第一多晶硅层区域，使用选择性化学溶液对第一多晶硅层进行腐蚀去除，露出ONO薄膜，在ONO薄膜缺陷处，通过化学溶液继续对该缺陷下方的第二多晶硅层进行腐蚀去除，对被腐蚀的ONO薄膜缺陷处进行定位，并制备缺陷平面样品，供进一步进行缺陷观察及失效分析。本发明可以更方便、准确且更精细地分析Flash产品的ONO薄膜缺陷，大大提高失效分析的效率，从而帮助迅速提高Flash产品的良率和可靠性。
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本发明公开了属于材料的加工成形领域的一种通过量纲分析建立镀层金属板在加工过程中失效机制图的方法。首先通过量纲分析建立镀层金属板失效机制图的方法。包括：采用量纲分析的Π定理，对镀层金属薄板冲压过程中所涉及的参数进行量纲分析，并建立无量纲函数关系式。然后通过有限元计算确定无量纲函数的具体表达式，从而建立起镀层金属薄板冲压过程的失效机制图。本发明避免了采用单一的成形极限图来刻画镀层金属板在加工过程中失效的问题，提供了一种简单、新颖的方法来研究镀层金属板在加工过程中失效问题。为从根本上解决失效问题提供基础。
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本发明提出一种集成电路的失效分析方法及系统，通过对集成电路进行电性测试，并获取第一电性测试数据，然后对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理，对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据，若所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差异超过预设范围，则判定所述集成电路是由电荷陷阱引起的失效。
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一种航天器正弦扫频振动疲劳失效分析方法，首先根据航天器结构，建立航天器的有限元模型，根据正弦扫频振动试验中航天器与夹具的连接方式，对其相连接的部分进行固定约束，并施加正弦扫频振动条件作为载荷，进行振动频域响应分析，得到加速度和应力频域响应结果，然后根据正弦扫频振动控制框方法，将应力频域响应转化为应力时域响应幅值以及循环次数，最后根据应力时域响应幅值和循环次数，结合首次穿越失效以及疲劳损伤分析方法Miner准则，进行振动失效分析。本发明克服了现有技术在试验前无法给出损伤分析，更多依赖于经验数据的缺陷，通过将频域分析结果转化为时域分析结果，可以直接用于振动失效分析，具有很好的使用价值。
本发明公开了一种适用于多芯片失效分析的LPDDR晶圆RDL设计方法，属于半导体封装领域，包括以下步骤：S1：基于常规LPDDR RDL设计，增加键合焊位；S2：设计封装基板，增加若干用于DIE连接的基板正面金手指；S3：进行封装，并将键合焊位与基板正面金手指连接S4:测量电阻，通过电阻测试判断DIE状态，完成设计。只需要在设计原始RDL布线时候，同步新增如下1条RDL走线即可；围绕DIE四周新增1条不封闭的口字型走线和2个键合焊垫(焊垫开窗位置需寻找合适位置，不影响原始产品RDL布线即可)，通过走线电阻的测量数据来判定DIE是否有开裂，无需专门测试机器，只需要使用万用表或者简易测试设备来测试电阻即可判定多芯片堆叠中存在某一颗DIE开裂。
本发明公开了一种基于模型系统的复杂电子装备失效风险传递关系分析方法。本发明提出了装备的失效风险传递关系分析模型和失效风险传递关系自动分析算法，实现了复杂电子装备的分系统、模块、组件等组成单元上下层之间失效风险传递关系的自动建立。与现有人工分析复杂电子装备失效风险传递关系的方法相比，本发明的益处是改进了传统失效风险传递关系分析工作中依靠人工分析带来的复杂性高、效率差、准确性不足等问题，提升失效风险传递关系分析效率和设计质量。
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本发明涉及一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法，包括下列步骤：在集成电路芯片样品上涂抹封装胶，使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位；对涂好封装胶的样品进行加热固化；将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固，避免其在抛光过程中受力变形，从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备，制备条件很容易被满足。
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一种飞机舱门锁机构多失效模式重要度分析方法，通过对飞机舱门锁机构的工作原理进行分析，确定机构系统的输入变量和输出功能特征量，构建飞机舱门锁机构的动力学模型，分析系统的失效机理，确定系统各失效模式及其失效判据；基于飞机舱门锁机构的动力学模型进行仿真计算，得到各失效模式功能特征量的样本；建立基于Copula函数的模式重要度计算模型；将动力学仿真数据代入模式重要度计算模型，得到各失效模式的重要度指标值，进行系统模式重要度分析。将本发明提出的方法拓展应用到其它的机构系统中，尤其含有多个失效模式的机构系统，通过对多个失效模式进行排序筛选，简化系统分析，具有十分重要的工程应用价值。
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本发明公开了一种石化设备腐蚀失效原因的分析方法和系统，涉及设备管线腐蚀失效技术领域。该分析方法包括：建立腐蚀数据库：腐蚀数据库内包含有以参数形式存储的石化设备的多种腐蚀类型以及每种腐蚀类型的相关信息数据；腐蚀失效原因分析：将采集的实际工况中的腐蚀失效的实时信息输入至腐蚀数据库中进行对比分析；确定腐蚀失效原因。通过该方法及系统可以对炼化企业相关腐蚀失效的设备管线进行腐蚀原因分析，协助设管理人员或腐蚀工程师明晰腐蚀机理和原因，并及时采取相应的防腐措施予以改善，避免同类腐蚀失效的再次发生，降低装置腐蚀失效风险，提高经济及社会效益。
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