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制备半导体失效分析样品的方法

1013   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:30
本发明提出一种制备半导体失效分析样品的方法,首先对所述测试芯片进行切割形成初始样品并在所述初始样品的一角暴露出所述测试区的切割面,其次再对所述初始样品暴露出所述测试区切割面的一角进行切割,使切割面与所述测试区的排列方向垂直,从而可以准确的测量出所述测试区的特征尺寸。
声明:
“制备半导体失效分析样品的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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