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Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法

948   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:30
本发明公开了一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法,包括对待分析Flash样品的上表面各层进行减薄处理,露出含有ONO薄膜缺陷的储存单元的第一多晶硅层区域,使用选择性化学溶液对第一多晶硅层进行腐蚀去除,露出ONO薄膜,在ONO薄膜缺陷处,通过化学溶液继续对该缺陷下方的第二多晶硅层进行腐蚀去除,对被腐蚀的ONO薄膜缺陷处进行定位,并制备缺陷平面样品,供进一步进行缺陷观察及失效分析。本发明可以更方便、准确且更精细地分析Flash产品的ONO薄膜缺陷,大大提高失效分析的效率,从而帮助迅速提高Flash产品的良率和可靠性。
声明:
“Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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