合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法

半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法

659   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:30
本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法,所述综合分析方法包括:(Ⅰ)采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位;(Ⅱ)采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断,判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染,还是等离子体诱导损伤;(Ⅲ)如果失效机理模型是杂质污染,则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查;随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析,能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型,以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。
声明:
“半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记