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一种表面颗粒检测仪量测平台，包括：定子结构，呈凹型设置，并在所述定子结构之凹槽内形成所述转子结构之容置空间，且在所述定子结构之凹槽的边沿臂内设置所述导电线圈、第一传感器和偏载磁体；转子结构，悬浮设置在所述定子结构之凹槽内，且在所述定子结构之磁力作用下发生转动；支撑体，设置在所述转子结构之一侧，并用于承载所述待量测之晶圆；第二传感器，间隔设置在所述定子结构之底部。本发明通过设置定子结构和磁悬浮设置在所述定子结构内的转子结构，且在所述转子结构上通过所述承载体承载所述待量测晶圆，不仅有效的避免了所述待量测晶圆的翘曲变形和背面脏污造成真空失效导致的当机，而且提高生产效率，延长设备的正常生产时间。
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本实用新型涉及一种激光超声在线检测装置，包括激光超声采集装置、云台、控制主机，激光超声采集装置安装在云台上；激光超声采集装置包括绝缘子探伤传感器、激光定位器和摄像机；云台用于控制激光超声采集装置方向，控制主机用于处理和分析激光超声采集装置采集到的绝缘子、金具脱落、导线断股超声波波形，进行故障判断并通过云台来定位故障方位，激光定位器来定位故障点，摄像机用于对故障点拍照；并将故障信息和图片信息通过数据传输模块进行上传。该装置利用超声波、光学和视频图像等技术，实时对绝缘子失效、绝缘子破裂、金具脱落、导线断股等进行定位和预警，达到了保障输电线路使用和运行安全的效果。
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本发明涉及一种镍侵蚀缺陷在线检测方法，用于在CMOS器件制备工艺中检测镍侵蚀缺陷，包括如下步骤：a)、电子束扫描仪以第一配置参数扫描CMOS器件一表面区域，滤除非线条状缺陷，第一配置参数包括第一电流值；b)、电子束扫描仪以第二配置参数扫描该表面区域，滤除线条状缺陷，第二配置参数包括第二电流值；c)、以透射电镜在暗场下扫描该表面区域，确定是否存在镍侵蚀缺陷；d)、若存在镍侵蚀缺陷，通过失效分析对镍侵蚀缺陷进行核实与分类；e)、切换至另一表面区域，回到步骤a）继续执行。其中，第一电流值小于第二电流值。该方法准确率高、实施简单，易于在半导体行业内推广。
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本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法，所述缺陷检测方法和耐久测试方法，通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除，可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦除而带正电荷，并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，从而将快闪存储器中具有多晶硅残留的存储单元以编程串扰失效的形式快速、有效地检测出来，从而避免了后续产品在使用过程中所出现的可靠性问题。所述制造方法能够根据所述缺陷检测方法或所述耐久测试方法的结果来调整制造工艺参数，避免浅沟槽隔离结构中出现空洞缺陷，提高产品可靠性。
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本发明公开了一种电力电子模块劳损状态的检测系统及方法，该系统包括：电力电子模块壳温参数检测传感单元，用于提供电力电子模块外壳底板正下方实时温度信息；温度信息处理分析单元，用于生成电力电子模块壳温随时间变化的曲线，并提取壳温变化曲线在固定时间间隔内的变化速率、时间常数和温度变化幅值等关键参数。本发明在电力电子模块壳温或内部芯片结温未发生明显过温故障时即可对其内部疲劳、损伤机理做出诊断，便于对面临失效风险的电力电子模块进行后续保护。
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一种铝‑碳纤维复合材料接头力学性能全局敏感性检测方法，根据待测对象的材料参数、几何参数和装配参数不确定性，统计得到各个参数的分布情况并建立基于材料失效的混合接头模型，从而生成包含各个参数和相应力学性能响应的数据集；然后采用基于混沌多项式展开和Sobol分解的全局敏感性分析策略得到基于混沌多项式的Sobol敏感性指标，对不同接头参数对不同力学性能的相对贡献进行量化，从而确定影响随机力学性能的关键参数；本发明充分考虑材料、几何和装配不确定性的影响，将基于混沌多项式展开的Sobol敏感性指标引入到接头检测中，通过敏感性指标识别影响力学性能响应的关键参数，从而提高接头设计的效率。
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本发明公开了一种检测芯片内部节点电位的方法，包含如下步骤：选取样品芯片，对样品芯片的背面进行研磨至目标层次；采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面，至绝缘隔离层露出；采用聚焦离子束机台，穿越绝缘层刻蚀出连接通路，并采用铂金属进行填充，并在连接通路的末端形成焊盘；将样品芯片转移至手动测试机台，使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针，释放电荷；对探针施加相应的测试信号，进行样品芯片的测试，检测焊盘节点信号的变化。上述方法对多层次金属互联实现了正反面都可以实施电位检测，改善芯片失效分析水平。
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本发明公开了一种食用菌专用温湿度检测系统，包括食用菌生产场地，所述食用菌生产场地内设置有主控机箱，所述主控机箱内安装有控制电路板，所述控制电路板上集成有单片机，所述控制电路板与液晶显示器、操作键盘相连接，所述食用菌生产场地一侧侧边设置有红外线发射装置且与此侧边相对的另一侧边设置有红外线接收装置，所述食用菌生产场地内安装有温度传感器，此食用菌专用温湿度检测系统，直接通过红外线检测来进行能见度检测湿度，效果明显，可以避免普通的电学传感器在高湿度下失效的问题，有效的提高了可靠性，且还可以通过摄像头视觉分析出雾气的能见度，从而判定出环境的湿度，进一步的提高可靠性。
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本发明提供了一种衬底位错的检测方法，包括以下步骤：A、利用电学失效分析定位的方法对可能存在位错的器件进行失效定位；B、利用聚焦离子束，从其正面进行切抛，边切边看，定位到失效的存储单元，对其源漏区衬底进行排查，发现位错缺陷，立即停止切抛；C、在正面抛光结束后，进行背面的抛光，在确认背面已被低速流离子束抛光干净后停止切抛，制得透射电镜样品；D、在透射电镜中进行观察，拍下透射电镜照片，获取位错长度、深度、所在位置等有关位错信息。本发明带来的有益效果是：通过增加透射电镜样品制备的厚度，保留了完整的位错信息；本发明方法得到精确的密度、长度、深度等位错信息；步骤少，速度快，效率非常高。
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本实用新型涉及车辆性能检测领域，尤其涉及一种后悬架强度检测装置。一种汽车耦合杆式后悬架强度检测装置，包括高路障、低路障、高路障安装板、低路障安装板和加强支架；所述高路障为圆柱体，所述低路障为立方体，所述高路障通过高路障安装板固定安装在地面上，所述低路障通过低路障安装板固定安装在地面上；以高路障和低路障承受撞击的面为正面，高路障背面与高路障安装板之间固定装有加强支架，低路障背面与低路障安装板之间固定装有加强支架。汽车耦合杆式后悬架强度检测装置根据交通事故统计，分析得出后悬架强度失效工况，设计了高低两种壁障，以此全方位地考量耦合杆式后悬架在动态撞击试验中的强度，能够准确的反应后悬架强度的综合性能。
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本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种用于缺陷分类的光学检测方法，通过设定一合适的缺陷检测设备的缺陷检测灵敏度，并调用该光学缺陷检测设备对灰阶化以及标识后的栅极、有源区和氧化层隔离区进行缺陷检测，并根据缺陷位于不同程度的灰阶判断缺陷在静态存储器的上对应的位置同时进行分类，因此，在线的光学缺陷检测能够根据缺陷在静态存储器的上面的位置进行准确全面的分类，从而可以对器件的失效模式的研究和缺陷的成因分析带了极大的便利。
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本发明公开了一种检测球管阳极靶转速的方法和装置。根据本发明的检测球管阳极靶转速的方法包括：获取利用球管进行扫描得到的采集数据；根据采集数据得到球管阳极靶的旋转频谱和强度分布；从球管阳极靶的旋转频谱和强度分布中提取出阳极靶旋转频率，根据旋转频率获取阳极靶转速。本发明提供了一种检测球管阳极靶转速的方法，其能够提前检测阳极靶转速，在实际扫描时起到对球管进行保护的同时预测球管失效，并判断当前扫描参数是否合理，防止低转速进行高功率放线造成阳极靶损坏的情况。而且，本发明从生数据中进行频谱及强度分析获取阳极靶转速情况，从而解决了阳极靶转速现有技术条件下不易检测的技术问题。
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本发明公开了一种半导体器件缺陷的光学检测方法，根据二维图形中器件的电路特征，对器件结构进行准确分类，并确定每个器件结构的位置信息，随后利用这些信息，在缺陷检测过程中对应到检测区域，以快速、准确获得检测区域内不同器件结构缺陷类型的数量及每个缺陷的具体位置，以便于对器件失效及其形成原因进行判断和准确分析。
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本发明涉及一种铜连接孔刻蚀不足缺陷在线检测方法，用于在CMOS器件制备工艺中检测铜连接孔刻蚀不足缺陷，包括如下步骤：以电子束扫描仪扫描多枚CMOS器件表面区域，检测出各暗电压对比度缺陷区域，同时通过失效分析分别识别各暗电压对比度缺陷的类别，建立一暗电压对比度缺陷类别与缺陷区域图像灰度特征的对应关系；以电子束扫描仪扫描待检测CMOS器件一表面区域，确定有无暗电压对比度缺陷区域，若有，则提取该缺陷区域图像灰度特征；根据对应关系进一步识别该缺陷区域是否为铜连接孔刻蚀不足缺陷；切换至另一表面区域继续扫描。该方法可快速识别出CMOS器件中可能存在的铜连接孔刻蚀不足缺陷，其识别准确率高、检测速度快。
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一种海底管道智能检测器,属于检测技术领域。本发明包括:驱动装置、漏磁检测头、漏磁信号处理装置、电源装置、里程仪、旋转编码器、超声检测头及超声信号处理装置。驱动装置、漏磁检测头、漏磁信号处理装置、电源装置、超声信号处理装置、超声检测头由头至尾依次用万向节相连,里程仪设在超声信号处理装置的滚轮上,旋转编码器设在漏磁信号处理装置箱体内。本发明采用漏磁和超声对同一对象进行检测,达到优势互补,借助里程计和旋转编码器,结合焊缝信号实现了缺陷的管内精确定位,对采集的漏磁和超声两种数据综合分析从而得到更好的检测结果,降低了检测过程中个别传感器失效的影响,本发明能更全面地检测出管道的缺陷状况和存在危险。
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本发明提供了震器的综合检测及评估方法，包括，化学测试，包括减震器橡胶部分的红外分析成分测试、DSC玻璃化转变测试、TGA含量测定；物理测试，包括减震器整体的动静刚度测试和/或压扭测试；所述红外分析成分测试用于鉴定减震器橡胶胶料；所述DSC玻璃化转变测试用于测试减震器橡胶的最低使用温度；所述TGA含量测定用于测定减震器橡胶成分的含量；所述压扭测试是在对减震器进行水平扭转的过程中在法向上施加垂直压力，测量不同垂直压力条件下的扭矩变化，并判断减震器是否失效；所述化学测试结果不合格则不再进行物理测试。
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本发明涉及一种用于检测管道壁厚和管道是否腐蚀的方法，采用X射线机对比成像的方式，对管道某一处的壁厚或者管道是否被腐蚀进行有效测量，检测方法有效快速、高效准确，不用对管道进行破坏，就能获得精确的数值，同时能及时发现管道内壁的变化情况；便于管道的管道失效分析、管道剩余强度评价、剩余寿命预测、可靠性分析和风险管理等适用性评价。
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本发明涉及一种金属表面钝化膜载流子密度的检测方法。该方法的具体操作步骤如下：以待测金属棒作为测试电极，将该测试电极浸泡在电解质溶液中，以饱和甘汞电极为辅助电极，铂电极为参比电极，测量金属表面钝化膜电极体系的外加电压U和电容Csc的关系；得到Mott－Schottky关系图；再根据Mott－Schottky关系式将该Mott－Schottky关系图外推至电位轴的交点，即可计算得到平带电位Ufb，同时由斜率可计算求得金属表面钝化膜的载流子密度。该方法将传统的固体物理能带理论引入金属防腐蚀性能的监测及分析领域，能够从本质上、微观层面揭示金属表面钝化膜失效过程中防腐蚀能力降低的原因——载流子密度的增加，并且能够将钝化膜防腐蚀性能通过载流子这一随腐蚀时间及失效程度变化的物理量通过电化学测量的简便方式量化，使金属防腐蚀性能和钝化膜失效程度更加具有可监测性，给金属的防腐性能预测提供了一种有效的手段。
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本发明公开了一种用于检测皮带轮螺栓性能的测试装置及测试方法，包括曲轴、皮带轮、皮带轮螺栓、拧紧枪和连接器；所述曲轴固定在固定机构上，所述皮带轮通过所述皮带轮螺栓固定安装在所述曲轴的端部上；所述连接器包括连接盘和与所述连接盘固定连接的卡套；所述连接盘与所述拧紧枪的输出端连接，所述卡套与所述皮带轮卡接在一起；在所述拧紧枪上设置有用于监测所述拧紧枪所输出的扭矩的扭矩传感器。本发明公开的测试装置及测试方法，提供了一种关于皮带轮螺栓的系统性的开发装置及方法，避免了在后续耐久实验中出现的失效问题，大大缩短了开发周期，节约了试验成本，降低了开发费用。
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本发明涉及充电桩技术领域，具体涉及一种带隔离及自检功能的电动汽车充电桩漏电检测电路，包括依次连接的零序电流互感器模块、采样电阻模块、一阶低通滤波电路模块、漏电检测模块和跳闸信号输出模块，本发明通过零序电流互感器将强电和弱电隔离开，从而消除强电系统对弱电系统的干扰和影响，同时通过漏电自检功能，可在充电桩启动时，有效检测出漏电检测功能是否正常，避免因漏电检测失效而对充电桩和人身安全造成损害。
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本发明公开了一种自动检测测试通道的校验图形结构，所述校验图形结构包含有多个PAD，所述的多个PAD等距排列，各个PAD之间采用电阻结构进行连接。在测试机台的测试程序中增加所述电阻校验图形的测试项目并优先测试，进行规格管控；当测试通道发生异常时，针对电阻校验图形的测试相关项目连续测试失败，则触发测试机台自动暂停，测试系统根据失效位置判定可疑通道，记录测试结果并启动相关的缺陷诊断程序；操作员根据诊断结果判定下一步的处理方式。本发明通过校验图形结构来判定测试通道是否异常。能够客观地表征测试通道的接触状态，可第一时间定位异常位置，避免测试的误判。
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本实用新型公开了一种用于检测皮带轮螺栓性能的测试装置及测试系统，包括曲轴、皮带轮、皮带轮螺栓、拧紧枪和连接器；所述曲轴固定在固定机构上，所述皮带轮通过所述皮带轮螺栓固定安装在所述曲轴的端部上；所述连接器包括连接盘和与所述连接盘固定连接的卡套；所述连接盘与所述拧紧枪的输出端连接，所述卡套与所述皮带轮卡接在一起；在所述拧紧枪上设置有用于监测所述拧紧枪所输出的扭矩的扭矩传感器。本实用新型公开的测试装置及测试系统，提供了一种关于皮带轮螺栓的系统性的开发装置及系统，避免了在后续耐久实验中出现的失效问题，大大缩短了开发周期，节约了试验成本，降低了开发费用。
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本发明公开一种利用EMMI检测芯片静态漏电的辅助电路的设计方法，包括步骤：①对待测集成电路芯片，根据电路功能，划分成N个单元模块；②根据单元模块的多少，设置数量与之相同的PN结二极管，即N个二极管；③对各个单元模块分别设置模块电流复制和放大电路，使每个模块电流复制和放大电路分别与和其相对应的单元模块和二极管相连。本发明将不易被EMMI检测出的故障类型，转换为易被EMMI检测出的PN结空穴电子复合电流的变化，只要失效样本的失效类型可以导致电流的变化，都可以被EMMI检测出来，同时，等效地增加了使用EMMI进行故障分析时的检测灵敏度。
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本发明公开了一种燃料电池的检测系统，所述检测系统包括：绝缘检测装置，所述绝缘检测装置用于检测所述燃料电池的绝缘状态；整堆气密性检测装置，所述整堆气密性检测装置用于检测所述燃料电池的气密性；及，电压异常检测与失效诊断装置，所述电压异常检测与失效诊断装置用于检测和分析所述燃料电池的短路和所述燃料电池各节电池电压异常。进而，本发明提供的燃料电池的检测系统，在出厂活化测试前、性能测试前以及维修诊断中，能够高效、无损、低风险地完成燃料电池绝缘、气密性以及电压异常问题等检测，为问题诊断和维修保养提供可靠、充足、有效的数据支持。
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本发明公开了一种晶圆检测缺陷的分类方法，包括如下步骤：步骤一、晶圆上用于形成多个芯片，根据版图定义出各芯片的各功能模块的地址空间；步骤二、进行缺陷检测并记录各缺陷的地址；步骤三、将各缺陷的地址和步骤一中的各功能模块的地址空间进行比对，用所对应的功能模块的代码来表示缺陷从而实现缺陷分类。本发明能将缺陷和晶圆的芯片的失效分析过程中的失效测试现象实现明确对应，方便芯片的失效分析。
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一种检测半导体器件的静电放电性能的方法。所述检测半导体器件的静电放电性能的方法包括:收集在静电放电测试中半导体器件所有测试管脚的失效电压;对所获得的失效电压数据进行概率分布统计;基于所获得的失效电压数据的概率分布,获得外推最低电压;若外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值小于临界范围,则以所述最低值与静电放电参考值比较,获得检测结果;若外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值大于或等于临界范围,则重新进行静电放电测试,或者,进行原因分析以及工艺和/或静电保护设计改进。所述检测半导体器件的静电放电性能的方法,其准确性较高,也节省了检测成本。
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本发明公开了一种检测晶格位错的方法，包含如下步骤：选取失效器件进行电学测试，多次扫描测量其电压-电流曲线，观察多次扫描得到的电压-电流曲线有无逐渐变大或变小的情况；对失效器件进行烘烤，重新多次测量其电压-电流曲线，观察有无逐渐变大或变小的情况；对于确定电压-电流曲线发生变化的器件，进行微光显微镜定位，进一步缩小位错的范围；将器件进行研磨，用聚焦离子束进行切割，物理解析制样形成透射电子显微镜样品；采用常规透射电子显微镜观察方式进行位错观察，获得位错像。上述方法通过电学分析到物理分析的流程，分析位错并找出位错的位置，提高集成电路器件失效分析的效率，降低成本。
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本发明公开一种罐储灭火剂原液泄露检测装置及其制造方法，在纯钛丝表面复合改性石墨烯制成电极，并通过微控制器单元将电极信号转化为灭火剂原液液位高度的方法。在控制温度变量的条件下，液面变化不超过3毫米时，上述电极对的电导与电极伸入灭火剂液面的长度成线性关系，因为电极对是固定安装在罐体中，因此本装置可感知罐体中液面高度的轻微变化，从而判断灭火剂原液是否存在泄露，为灭火剂失效提供预警。
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本发明公开了一种检测缺陷残留的测试结构，通过第一测试区与第二测试区构成相互垂直的双向梳状的测试结构，并于两测试焊盘施加偏压用于对晶体管器件不同方向上的工艺造成的缺陷进行侦测，若侦测到某一晶体管有较低的击穿电压或较大的漏电，说明该测试区中晶体管存在缺陷残留，同时通过失效分析法找到缺陷残留位置并做相应的改善工艺，另外对于无缺陷残留的晶体管，对其测试时效性击穿特性一定程度上也可以评估绝缘层的寿命。
一种SRAM单元及其检测方法、SRAM单元的检测系统和SRAM器件，SRAM单元包括：存储单元，包括第一反相器和第二反相器；传送单元，包括第一传送门晶体管和第二传送门晶体管，第一传送门晶体管和第二传送门晶体管的漏极分别与第一节点和第三节点电连接；字线，与第一传送门晶体管栅极和第二传送门晶体管栅极电连接；位线，包括第一位线和第二位线，第一位线和第二位线分别与第一传送门晶体管和第二传送门晶体管的源极电连接；与位线电连接的驱动单元，用于同时向第二节点和第四节点加载低电平；与位线电连接的读取单元，用于读取第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的输出电流之和。通过所述SRAM单元可以侦测失效SRAM单元。
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