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本发明提供了一种热浸镀锌超高强钢表层附着性的分析方法，其步骤包括：提供热镀锌高强钢基板，对样品进行预氧化‑还原退火工艺处理及热浸镀处理；使用双束型聚焦离子束设备在样品表面沉积保护金属，机械手焊接在沉积金属表面撕裂涂层；捕捉裂纹尖端区域，切断包含裂纹尖端的区域；对该试样进行成分分析，进行透射电子显微镜观察。本发明方法针对热浸镀锌超高强钢表层附着性分析，能够在制备透射样品时定位镀层失效位置并进行成分分析，有效提高了热浸镀锌钢表层附着性分析的准确性。本发明在现有双束型聚焦离子束设备的基础上进行灵活的改进，不需要增加更多的实验步骤和实验成本。
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本发明公开了一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，包括步骤：采用EMMI分析方法获取缺陷位置，缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使发光点的直径小于等于1.5微米；采用FIB方法在缺陷位置处制备TEM样品，TEM样品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM样品的厚度大于等于缺陷位置处的发光点的直径；对TEM样品进行TEM分析。本发明能针对位错引起的漏电失效，实现更快速准确的定位与分析确认。
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本发明公开了一种缺陷图像自动分析的方法，包括如下步骤：S01：训练得出卷积神经网络模型，S02：将上述卷积神经网络模型配置到自动分析装置中，所述自动分析装置包括数据收集模块和数据库；所述数据收集模块将所收集到的图像自动分析装置将数据收集模块收集到的图像输入所述卷积神经网络模型中进行识别和分类，并将分类之后的图像及对应的缺陷类型传输至数据库中。本发明提供的一种缺陷图像自动分析的装置及方法，采用基于卷积神经网络模型的深度学习方法实现产线缺陷图像数据的自动分类功能，并将自动分类结果实时输入缺陷数据库，为失效机制的深入分析提供准确的数据保障。
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本发明公开的一种复杂载荷条件下的结构层级式有限元仿真分析方法，包括以下步骤：S1：建立舱体主结构全尺寸有限元模型作为1级母模型；S2：针对主结构失效方式进行有限元计算，计算方法涵盖结构稳定性分析和静力强度分析；S3：对主结构失稳载荷低于1.5倍设计载荷的局部失稳位置进行危险性评估，选定细化分析区域；S4：对主结构强度剩余系数低于1.3的应力危险区域进行危险性评估，选定细化分析区域；S5：以S3、S4中的细化分析区域建立有限元1级子模型；S6：建立子模型与母模型的有限元连接模型；S7：将含有过渡模型的子模型提交有限元计算；S8：重复S1～S7步骤，直至模型足够精细。
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本实用新型公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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本发明属于集成电路可制造性设计中静态随机存储电路良率分析领域，具体采用一种通用帕累托和高斯联合分布作为实际采样分布函数族，通过最小化实际采样分布和理想采样分布之间的交叉熵，从而获得最优的实际采样分布参数。使用优化后的实际采样分布进行采样计算SRAM失效率，能够大幅减小采样点数，提高采样效率。本发明的关键是提出采用通用帕累托和高斯混合分布为采样分布函数族；并针对该分布的参数优化问题，提出了一个迭代策略，不断地进行采样、更新实际分布参数、计算失效率，直到失效率满足精度要求。实验结果表明，本发明提出的方法明显优于目前现有技术的方法。
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本发明涉及一种FMEA分析方法及系统。该方法包括：确定产品结构和当前的工艺路线；根据所述产品结构中不同器件的功能，对所述产品结构中器件进行划分；划分结构为虚拟件、黑匣子件或沿用件；根据产品结构和当前的工艺路线分别确定虚拟件的功能树和黑匣子件的功能树；根据虚拟件的功能树和黑匣子件的功能树确定虚拟件的失效树和黑匣子件的失效树；根据失效树确定根据当前的工艺路线完成产品的风险以及风险原因；并返回所述确定产品结构和当前的工艺路线的步骤，更新工艺路线。本发明能够快速的定位失效的位置和原因，提高产品设计的效率和质量。
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本发明公开了一种深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法，包括步骤：在定义深沟槽图形的掩膜板上定义出分析沟槽图形。同时刻蚀形成深沟槽和分析沟槽。在分析沟槽中填充介质层。在深沟槽填充满硅外延层，并形成深沟槽产品。制备分析样品；对分析样品进行研磨并找到深沟槽的底部，研磨过程中利用分析沟槽中填充的介质层能够和硅直接视觉区别的特性来对深沟槽的深度进行定位。对定位好的深沟槽的底部进行物理分析。本发明能够在分析样品制备过程中实现对深沟槽低端的准确定位，从而能解决深沟槽产品的结构分析、失效分析是的样品制备的难题，并能带来产品的质量提升和工艺改善。
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本发明提供一种数字化仪控系统动态可靠性集成分析方法，其包括产生仿真指令、系统运行区间划分、仿真机仿真、主程序计算与结果分析五个功能部分。本发明基于Markov/CCMT方法理论，以C#作为基本开发语言，完成集仿真、计算、结果分析功能于一体的针对数字化仪控系统的动态可靠性集成分析方法，可应用于软件平台，并将所搭建的系统运用到实际AP1000主给水系统中进行调试，并对AP1000数字化仪控系统主给水部分进行全面的可靠性分析，分析范围包括系统失效概率及系统的薄弱点等。
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本发明提供一种数字化仪控系统动态可靠性集成分析系统，其包括产生仿真指令、系统运行区间划分、仿真机仿真、主程序计算与结果分析五个功能部分。本发明基于Markov/CCMT方法理论，以C#作为基本开发语言，完成集仿真、计算、结果分析功能于一体的针对数字化仪控系统的动态可靠性集成分析系统，可应用于软件平台，并将所搭建的系统运用到实际AP1000主给水系统中进行调试，并对AP1000数字化仪控系统主给水部分进行全面的可靠性分析，分析范围包括系统失效概率及系统的薄弱点等。
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本发明提供了一种聚焦离子束分析方法，包括，步骤一：选择待分析样品；步骤二：利用离子束刻蚀所述待分析样品，以获得切割截面；步骤三：利用电子束照射观察是否出现电荷沉积效应，当未出现电荷沉积效应时，获得电子束图像，当出现电荷沉积效应时，在所述切割截面的侧面上形成有机源层之后，重新获得电子束图像；步骤四：判断获得的电子束图像是否显示目标截面，当电子束图像显示非目标截面时，重复步骤二至步骤四，直至获得目标截面；当电子束图像显示为目标截面时，导出获得的电子束图像，并进行失效分析。本发明所述方法可避免电荷沉积效应对失效分析结果的影响。
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本发明公开了一种大跨度空间结构抗连续倒塌性能分析方法，可应用于分析建筑结构因爆炸、汽车撞击、地震等作用而导致局部构件破坏失效后结构的抗连续倒塌能力。本方法在分析中考虑了构件的失效时间、几何非线性、材料非线性及断裂、接触、碰撞等条件，以及构件失效后结构由此产生的惯性、动力效应，更准确地模拟出结构的抗连续倒塌性能。
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夹心零件的缝合连接的连接强度分析方法用一维单元模拟缝线对有第一有限元模型进行剪切强度计算；获取材料级硬夹心的剪切强度试验的试验结果，或者获取用实体缝线建立缝合连接的第二有限元模型的计算结果；利用试验结果或者计算结果与第一有限元模型的计算结果进行比对分析，对一维单元的缝合连接强度进行表征，建立模型失效判据；获取平板级硬夹心的第三有限元模型，用一维单元模拟缝线，建立各平板之间的缝合连接，进行冲击仿真计算；确定冲击过程中缝线连接的失效区域，并与冲击试验结果进行对比，调整模型失效判据；建立零件级硬夹心的第四有限元模型，采用一维单元模拟缝线，进行冲击仿真计算，根据模型失效判据确定叶片失效区域。
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本发明公开了一种缺陷监控分析系统，包含两部分模块：模块一：为已知器件失效问题分析系统，所述的已知器件失效问题分析系统包含制程问题以及设备问题，将制程问题中的发现的缺陷与机台参数进行关联，建立内在的联系，形成数据库；模块二：基线上升趋势问题分析系统，通过将基线上升趋势曲线与机台动作时间点进行对比，找出缺陷发生原因。本发明所述的缺陷监控分析系统，整合相关工艺参数，通过建立缺陷监控分析系统将缺陷与机台及机台相关参数建立对应关系，设计一种科学有效的监控手段，可以及时的发现相关参数变化及可能带来的缺陷影响，有效减低缺陷发生的概率，提升产品良率。
本发明提供了一种基于冗余设计的高可靠电子设备定量FMECA分析方法和系统，搭建设备冗余,建立电子设备的可靠性框图；根据电子设备的寿命分布服务指数和可靠性框图，建立冗余连接的可靠性数学模型；利用可靠性数学模型确定整体失效率，得到可靠性数学模型与FMECA分析模型的推导关系，根据推导关系形成整体失效率与电子设备失效率的关系数学模型；根据关系数据模型，计算冗余设计的危害度值，根据危害度值进行故障定位。依据数学模型调整电子元件失效率，通过定量FMECA分析反映冗余设计对故障模式危害度的影响，从而提高定量FMECA分析的针对性，以便更有效地通过FMECA找到产品的薄弱环节，提高产品的的可靠性。
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本发明公开了一种深沟槽产品的物理分析结构，形成于划片槽区，由一系列宽度依次减少、且平行放置的分析沟槽组成，用于为深沟槽在分析时提供深度标记。本发明还公开了一种深沟槽产品的物理分析方法。本发明能在深沟槽产品的结构分析或失效分析时为深沟槽的不同深度位置实现准确定位，能够实现对深沟槽产品的质量进行准确和快速的分析，能够提高结构分析或失效分析的质量和效率，从而也能提高产品的生长质量和效率。本发明的物理分析结构并不需要占用芯片区的面积，且物理分析结构的各分析沟槽采用和深沟槽的同一块掩膜板制作，工艺成本低。
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本发明涉及失效分析技术领域，提供一种结构化的DFMEA分析方法，创建项目，将项目所包含的各级产品结构以树形方式展现出来，形成“产品树”，采用“框图”和“界面分析表”对单个产品进行界面分析，确定该产品的内部界面和外部界面；本发明创造性的采用结构化的分析思路，巧妙的将上层产品的功能要求和失效模式与下层产品的功能要求和失效模式进行有效的梳理和结合，最终自动形成高质量的DFMEA报告；而且大大地节省工作人员的人工填写和梳理时间，减少工作量。
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本申请公开了一种FMEA‑MSR分析方法及装置，方法包括：将DFMEA中满足预设条件的失效模式及其失效原因与失效后果带入FMEA‑MSR页面的结构树中；在FMEA‑MSR页面对已选措施进行评级，得到发生频率F的评级和监视能力M的评级，再根据已选措施重新识别失效模式的最严重后果，确定新的严重度S；根据S/F/M评级生成AP风险矩阵，标记优化风险项后，再对优化风险项失效模式及其失效原因添加优化措施，生成优化措施表，在优化措施表按照职责权限分配优化任务，验证优化措施的有效性后，生成FMEA‑MSR报告。本申请实施例的FMEA‑MSR分析方法，将DFMEA中满足预设条件的失效模式及其失效原因与失效后果自动生成FMEA‑MSR结构内容，实现DFMEA与FMEA‑MSR的关联，充分运用分析结果，预防影响安全及法规遵从性的风险。
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本发明涉及一种用于民用飞行器的系统安全性分析方法，其包括：确定分析范围；在分析范围内，基于故障树模型建立第一数据库和第二数据库；输入需要分析的外部失效事件，在第一数据库中根据描述确定外部失效事件的编号；基于确定的编号在第二数据库中查找该外部失效事件在故障树中引发的顶事件以及中间逻辑门事件编号；根据引发的顶事件以及中间逻辑门事件的编号在第一数据库中确定其具体描述，并向外反馈。本发明所提供的分析方法能够基于故障树分析工具建立多级别的失效组合分析数据库与分析结果的对应关系，在进行输入外部失效事件开展单点失效、组合失效和级联影响失效分析时，能够快速由数据库得到分析结果。
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本发明公开一种基于FMEA分析报告的质量评价方法，包括如下步骤：获取新产品FMEA分析报告，提取新产品FMEA分析报告中的失效记录；基于新产品的功能来对比查询已经发生失效数据库，获得已经发生失效覆盖率和新增失效比例；基于已发生失效覆盖率、新增失效比例和权重值计算FMEA报告质量水平。本发明能够直观的了解FMEA分析报告质量水平的高低，从而支持对FMEA分析报告是否接受提供判定依据，对于不满足要求的FMEA分析报告要求继续完善直至满足质量标准，彻底改善之前FMEA分析报告无法评价的困扰；能够指导FMEA工作的开展，同时也可以提升FMEA分析报告质量，减少浪费。
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本发明公开了一种牵引供电系统的可靠性分析研究方法，有效改善了现有技术中相关故障数据缺失而导致对威布尔分布拟合效果差的问题，而SVR算法在处理缺失数据方面有较好的表现，并结合遗传算法的全局优化能力，GA‑SVR算法包含了遗传算法的全局搜索和自适应非线性问题处理能力，选取SVR的最优参数进行配置。对采用故障树分析法，BDD算法建立的牵引供电系统模型进行有效预测。得出牵引供电系统设备的可靠性以及平均失效时间，对牵引供电系统整体设备维修计划提供可靠的科学依据。
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本发明涉及一种概率损伤容限评估分析方法，将随机性对零件剩余强度影响小、分布相对集中的参数近似为确定值，将随机性对剩余强度影响大、分散度大的参数作为变量，通过概率损伤容限分析，确定断裂韧度、应力极值、剩余强度许用值、初始裂纹尺寸和临界裂纹尺寸重要参数的概率密度与分布；进一步进行裂纹扩展分析，确定裂纹扩展速率和裂纹尺寸变化规律，确定裂纹扩展寿命；根据概率断裂力学理论对裂纹扩展的随机性进行分析，确定裂纹尺寸下零部件裂纹扩展寿命概率密度函数，或者循环次数下的零部件失效概率；再使用常见概率分布函数拟合裂纹扩展寿命分布，实现对裂纹扩展的寿命进行预测和风险评估。能够非常精确地反映裂纹扩展寿命曲线。
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本发明公开了一种低压电器配件振动冲击实效仿真分析方法，所述方法包括如下步骤：a)建立低压电器配件的有限元模型；b)分析低压电器配件在振动冲击下的内部应力大小及分布；c)根据分析结果，对低压电器配件的结构进行优化。本发明首次提供了一种低压电器配件振动冲击实效仿真分析方法，通过本发明方法能够得到低压电器支撑架在受到一定加速度值的外力冲击下，其内部的应力及分布情况，从而为低压电器配件在振动冲击情况下避免实效进行结构优化与设计提供了依据；本发明应用性强，可用于低压电器元器件的振动冲击失效分析中，对低压电器的性能监测具有重要价值。
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本发明公开了一种低压开关配件振动冲击实效仿真分析方法，所述方法包括如下步骤：a)建立低压开关配件的有限元模型；b)分析低压开关配件在振动冲击下的内部应力大小及分布；c)根据分析结果，对低压开关配件的结构进行优化。本发明首次提供了一种低压开关配件振动冲击实效仿真分析方法，通过本发明方法能够得到低压开关上盖在受到连续的冲击力载荷下，其内部的应力及分布情况，从而为低压开关配件在振动冲击情况下避免实效进行结构优化与设计提供了依据；本发明应用性强，可用于低压开关元器件的振动冲击失效分析中，对低压开关的性能监测具有重要价值。
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本实用新型提供了一种彩色显像管残余气体分析设备,它包括抽气装置、质谱分析装置和取样装置。抽气装置包括顺序相连的机械泵、吸附阱和分子泵,分子泵的进口端分别通过管路与质谱分析装置和取样装置连通。质谱分析装置包括四极质谱计、超高真空电离规、溅散离子泵和质谱分析室,四极质谱计、超高真空电离规和溅散离子泵分别通过管路与质谱分析室连通,质谱分析室还通过管路分别与抽气装置的分子泵和取样装置连通。取样装置为取样管道。利用本分析设备能分析出彩色显像管内的残余气体成分及其分压力,还能在较短时间内测量出彩色显像管的扫屏放气性能,用其判定彩色显像管的内在真空质量,进而判定或比较制屏工艺与材料包括排气工艺与设备的优劣,预估因真空因素导致失效的整管寿命水平,具有实际应用价值。
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本发明公开了一种基于代理模型的转静子系统碰摩可靠性分析方法，包括步骤1：建立转静子碰摩的有限元仿真模型；步骤2：找出设计阶段、加工及装配、工作运转环节中存在的不确定参数，通过灵敏度分析确定影响转静子碰摩的主要不确定性来源及各参数的概率分布类型，输入参数；步骤3：利用自适应实验设计算法，在基于极限状态曲面附近添加精心选择的样本，构建代理模型来替代有限元仿真模型；步骤4：利用训练后的代理模型，在给定的初始转速下预测MCS样本点的功能响应，根据功能响应结果计算失效概率；步骤5：在所考虑的转速范围内，迭代增加转速，重复步骤4，依次计算每个转速下的失效概率，最终得到失效概率曲线。
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一种车灯透镜太阳光聚焦分析装置及其使用方法，涉及汽车灯具投射单元的潜在失效模式的分析验证装置及其使用方法，尤其涉及太阳光经车灯透镜聚焦形成的焦斑导致透镜周边零件烧蚀的分析验证，包括底座，透镜固定器和试件固定器，底座上设有水平旋转台和倾角调节机构；倾角调节机构由固定支撑臂和垂直摆臂连接构成；透镜固定器固定在垂直摆臂上；试件固定器安装在透镜固定器的下方的试件升降台上，将试件夹持固定在透镜固定器下方的太阳光聚焦观测区内。本装置利用水平旋转台和倾角调节机构带动试件与车灯透镜实现360°全方位旋转，能够在一天中任意有阳光的时间获得期望的透镜与太阳光的相对角度，聚焦观测分析过程不受实际太阳高度的影响。
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一种车灯透镜太阳光聚焦分析装置，涉及汽车灯具投射单元的潜在失效模式的分析验证装置及其使用方法，尤其涉及太阳光经车灯透镜聚焦形成的焦斑导致透镜周边零件烧蚀的分析验证，包括底座，透镜固定器和试件固定器，底座上设有水平旋转台和倾角调节机构；倾角调节机构由固定支撑臂和垂直摆臂连接构成；透镜固定器固定在垂直摆臂上；试件固定器安装在透镜固定器的下方的试件升降台上，将试件夹持固定在透镜固定器下方的太阳光聚焦观测区内。本装置利用水平旋转台和倾角调节机构带动试件与车灯透镜实现360°全方位旋转，能够在一天中任意有阳光的时间获得期望的透镜与太阳光的相对角度，聚焦观测分析过程不受实际太阳高度的影响。
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本发明提供了一种液晶面板显示驱动芯片的电性分析方法,该方法包括以下步骤:A、分析液晶面板显示异常的表现方式,寻找加电方式的依据;B、研究液晶面板显示驱动芯片的各引脚的功能,确定需要进行电性判断的引脚;C、根据芯片的引脚布局图和PCB板的引线布局图,确定在开盖前的电性测量位置,测量开盖前的电性;D、开盖后,使用探针直接探测芯片的引脚,进行加电测量,得出开盖后的电性特征;E、开盖前后的异常电性对比,判断失效点在封装级还是在晶圆级。本发明通过该种适合于液晶面板显示驱动芯片的电性分析方法,能够有效、合理地对开盖前后的电性特征进行比对,便于后续做出失效点是在封装级还是在晶圆级的判断。
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本发明揭示了一种晶圆区域性问题的分析系统及方法。本发明提供的晶圆区域性问题的分析系统包括失效抓取模块，抓取每个测试点的失效情况；失效模型模块，具有设定的失效模型；失效模型匹配模块，根据所抓取的每个测试点的失效情况，与所述失效模型进行匹配，当获得匹配时，输出对应的多个测试点的位置和失效代码；待处理模块，根据所述多个测试点的位置，获得在所述多个测试点周围区域测试通过的点的位置，列为有风险的测试点。本发明使得测试通过的点更稳定，避免功能性分析滞后，提高了良率。
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