合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法

沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法

1141   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:58
本发明公开了一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法,包括步骤:采用EMMI分析方法获取缺陷位置,缺陷位置对应于发光点,控制EMMI分析条件使发光点的直径小于等于1.5微米;采用FIB方法在缺陷位置处制备TEM样品,TEM样品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM样品的厚度大于等于缺陷位置处的发光点的直径;对TEM样品进行TEM分析。本发明能针对位错引起的漏电失效,实现更快速准确的定位与分析确认。
声明:
“沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记