类包壳织构型耐蚀耐磨复合涂层及其制备方法,涂层由类包壳织构复合区、冶金熔合过渡区、扩散影响区构成,厚度可在2~5mm范围内调整;所述类包壳织构复合区由细小均匀的硬质相颗粒均匀分布在球形合金区域之间,而硬质颗粒之间为合金,其间还具有几乎连续不规则分布的GO薄片形成包围合金区域的包壳。制备方法步骤为:(1)基材预处理;(2)复合粉末混制,将GO、硬质颗粒和镍基合金粉末置于蒸馏水中,搅拌混合均匀,得到涂层复合粉末;(3)涂层涂覆,混合粉末涂覆前在金属基体表面涂覆镍基合金粉末作为过渡层;(4)类包壳织构型涂层烧结,将预烧件放入真空烧结炉,升温并保温分钟,随炉冷却到150℃出炉,空冷至室温,得到涂层。
本发明公开了一种氧化铍‑氧化锆核壳结构陶瓷球及其制备方法。该陶瓷球为核壳结构,核芯为BeO小球,壳层为ZrO2层;BeO小球平均直径为0.6‑0.8mm,ZrO2层平均厚度为0.3‑0.4mm。制备方法:纳米BeO陶瓷粉料和去离子水混合后得到BeO陶瓷料浆;将BeO陶瓷料浆喷雾干燥,得到BeO陶瓷颗粒;将BeO陶瓷颗粒种子加入造球机中,在种子上洒纳米BeO粉末,同时喷雾水;持续滚制成型,直至成型为直径0.7‑1.0mm的小球;在BeO陶瓷球上洒纳米ZrO2粉末,同时喷雾水,继续滚制小球,直到成型为直径为1.1‑1.4mm的ZrO2包覆BeO核壳结构陶瓷球坯体;干燥,高温真空烧结,即得。
本发明公开了一种无机三维骨架泡沫材料的制备方法,是将陶瓷粉体、金属粉体或合金粉体加入到水溶性胶黏剂的水溶液中,经充分球磨的得到浆料;再采用聚氨酯泡沫作为模板,在蒸馏水中经超声洗涤后向其中添加上述所制备的浆料,然后在不同方向反复挤压直至浆料均匀附着在聚氨酯骨架结构中,除去多余的浆料,自然干燥,得到泡沫材料坯体;然后将坯体置于真空烧结炉中进行烧结,使有机交联剂和聚氨酯骨架缓慢分解后完成致密化过程;自然冷却,得到无机三维骨架泡沫材料。该泡沫材料中通孔均匀分布,孔径大,比表面积高,吸能缓冲能力强;该方法工艺简单,环保,可适用于陶瓷、陶瓷复合材料、金属及合金材料等。
本发明公开了一种采用滚制成型工艺规模化生产氧化铍陶瓷球的方法。该方法包括下述步骤:(1)称量高纯纳米氧化铍陶瓷粉体和去离子水,经过球磨混合后得到固含量为55%‑66%的氧化铍陶瓷料浆;(2)氧化铍陶瓷料浆进行喷雾干燥,得到平均粒径为0.1‑0.15mm的氧化铍陶瓷颗粒;(3)氧化铍陶瓷颗粒种子缓慢加入造球机中,在造球机转动的过程中,一边在种子上洒纳米氧化铍粉末,一边以喷雾的方式喷入去离子水,持续滚制成型,直至得到平均直径为1.2‑3.3mm氧化铍陶瓷球坯体;(4)置于室温下干燥至含水率为2%‑3%;(5)将坯体高温真空烧结;所述烧结温度为1650‑1750℃,保温时间3‑5h,即得。
本发明公开了一种铜基石墨复合润滑密封材料的制备方法,是先将石墨颗粒埋入铬粉中,置于真空烧结炉中进行热处理,得到表面具有碳化铬层的石墨颗粒;再将聚乙烯醇溶液均匀喷洒在具有碳化铬层的石墨颗粒表面,然后与铜粉或铜合金粉混合均匀,使石墨颗粒表面包覆铜粉或铜合金粉体得复合颗粒;最后将复合颗粒干压成型后经排胶、热压烧结得到复合材料。本发明制备的铜基石墨复合润滑密封材料中,石墨颗粒作为润滑相组元在基体铜或铜合金材料中呈非均一的、团簇颗粒分布;基体材料形成三维贯通的网状骨架结构;石墨颗粒与铜或铜合金基体通过碳化铬界面相,提高基体和石墨颗粒的结合强度,进而提升材料整体力学性能及可靠性。
本发明公开了一种Mo‑Re合金粉末的制备方法,包括按质量百分比分别称取Mo粉与Re粉;将称取的Mo粉与Re粉放入到氮气环境下的气流磨机中进行混合;将混合的Mo粉与Re粉置于真空烧结炉中进行真空松装烧结,形成Mo‑Re合金块体;对Mo‑Re合金块体进行破碎和筛分。本发明的方法解决了现有技术中采用的固‑固掺杂法制备出的Mo‑Re合金粉末均匀性差、合金粉末颗粒与基体粉末颗粒结合强度低、氧含量较高进而影响合金粉末使用性能的问题。
本发明涉及一种材料表面涂层改性的处理方法,具体涉及一种高温预置涂层电子束熔覆改性的工艺方法,属于材料表面处理技术领域。其具体步骤为:以铌钨合金为基材,然后经过打磨、抛光、去油、酸洗、清洗以及干燥工序;把硅化物粉末制成涂层料浆,然后涂覆在步骤1)中的基材表面,在真空烧结炉中进行烧结预置,得到预置涂层样件;将预置涂层样件放置到距离电子枪100~300mm处。本发明在真空环境条件下的熔覆过程将能获得更好的处理效果,工艺简单,避免了大气环境对涂层材料的破坏,工作效率高,铌钨合金表面具有一定厚度、表面颗粒排列整齐有序、表面平整度良好的耐热抗氧化涂层,大幅提高了工件的耐高温性能和抗冲刷性能。
纳米正极材料LiFePO4的制备方法,其步骤为:(1)计算反应物原料的摩尔比为Fe : C=?4 : 1,取FePO4·2H2O、Li2CO3作为原料,C作为还原剂,KNO3作为助燃剂,其中KNO3的添加量为15%~60%;(2)将称量好的反应物料加入丙酮分散剂,在研钵中研细;(3)将混合均匀的物料置于模具中,在60~200MPa的压力下压制成直径为9~69mm,10~45mm圆柱形压坏,将压坯放入真空烧结炉中,抽真空至压力为0.015MPa,以30~300℃/min的升温速率将试样从20℃整体加热到850℃等温5min,使之完成热爆反应;(4)将热爆产物在800℃下进行等温处理,处理时间为30min~120min。
本实用新型涉及真空冶金技术领域,尤其涉及一种用于制备功能薄膜用高纯金属铸锭的装置。结构包括坩埚,在所述坩埚外设有水冷套,在坩埚的上部设有感应加热装置;电子枪,所述电子枪设置在坩埚的上方,电子枪的发射口朝向坩埚内,在电子枪的一侧设有装有导辊的合金基料进料装置。通过设置电子枪来发射电子束对金属进行加热熔化,可以避免熔料过程中对金属的污染,同时可以用于活泼金属及难熔金属的制备。在水冷坩埚外设有的电磁感应加热装置对熔体进行加热、保温,既可以避免引入介质污染,又能通过涡流搅拌充分除杂、除气,有效控制铸锭杂质及气体含量,还避免了熔体受热不均及对坩埚及金属带来的冲击和挥发,节约了成本。
本实用新型涉及真空冶金技术领域,尤其涉及一种制备功能薄膜用高纯金属铸锭的制备装置。一种能够用于连续制备高纯金属铸锭的装置结构包括坩埚,在坩埚外设有水冷套,在坩埚的上部设有感应加热装置;设置在坩埚的上方的连续进料装置,所述连续进料装置的结构包括:环形进料仓,所述环形进料仓的中心插有一根主轴,在主轴的另一端连接有电机,在所述环形进料仓的仓内设有多块翻板,在环形进料仓的外侧设有气缸,所述气缸通过连接杆与翻板联接,在进环形料仓的下端设有导料筒。本实用新型提供了一种在有效控制高纯金属铸锭杂质元素及气体含量同时,能够提高铸锭包括内部缺陷、表面质量在内的物理性能,同时实现连续制备及生产的新型高纯金属真空熔炼装置。
本实用新型公开了一种处理锑砷物料的装置,以解决锑砷物料冶炼过程中有害杂质砷难以去除的问题。该装置包括炉体、炉盖、炉身,炉体内设有筒形耐火材料层,所述耐火材料层的中心放置有石墨坩埚,耐火材料层顶部放置有挥发物收集槽,挥发物收集槽位于石墨坩埚的顶部外侧,挥发物收集槽与石墨坩埚之间留有间隙,耐火材料层的底部通过真空泵管与真空泵连接,石墨坩埚与耐火材料层之间设有加热系统。本实用新型基于真空冶金原理,实现了锑砷合金物料中锑和砷的有效分离,处理过程清洁高效、无废水废渣产生,避免了砷的二次污染,同时金属回收率高。
本实用新型涉及高真空油扩散泵,具体地说是一种五级金属直腔型高真空 油扩散泵。它包括泵体,设置在泵体内泵芯、油室和喷射嘴,位于泵体外面、 底部的加热器;泵体为直容腔;泵芯包括一级导流管及其一级喷嘴、二级导流 管及其二级喷嘴、三级导流管及其三级喷嘴、四级导流管及其四级喷嘴,二级 导流管、三级导流管和四级导流管与油室连接,一级导流管装在二级导流管的 上面;二级喷嘴、三级喷嘴和四级喷嘴的间隙为固定间隙。它结构简单,制作 容易,显著提高高真空油扩散泵的抽气速率、拓宽抽气范围,气密性高,焊接 变形小,提高工作效率;能获得10-2~10-6Pa高真空和超高真空环境。广泛用于 航空航天、原子能、真空冶金、热处理、镀膜、化工等领域。
本发明涉及一种真空蒸馏提纯金属的装置,属于真空冶金领域。所述装置的蒸馏器采用由蒸馏器容器、蒸馏管、控制杆、磁性物质和磁铁组成的控制流量定向蒸馏器,通过上下移动磁铁,可灵活调节玻璃磨口锥形阀的闭合程度从而调节蒸馏管和控制杆之间空间的真空度;还涉及一种由真空系统、控制流量定向蒸馏系统和控制系统组成的真空蒸馏提纯金属的装置,所述装置可根据对所需提纯金属的纯度要求,灵活增减多级控制流量定向蒸馏器的级数,达到获得不同纯度金属的目的。所述装置对低沸点金属进行真空提纯,效果良好,当使用三级控制流量定向蒸馏器时可达到99.9999%的纯度。
本发明涉及一种真空蒸馏提纯金属的方法,属于真空冶金领域。所述方法可根据对所需提纯金属的纯度要求,灵活增减蒸馏的级数,获得不同纯度的金属;所述方法采用由真空系统、控制流量定向蒸馏系统和控制系统组成的真空蒸馏提纯金属的装置,装置中的蒸馏器采用由蒸馏器容器、蒸馏管、控制杆、磁性物质和磁铁组成的控制流量定向蒸馏器,通过上下移动磁铁,可灵活调节玻璃磨口锥形阀的闭合程度从而调节蒸馏管和控制杆之间空间的真空度。所述方法对低沸点金属进行真空提纯效果良好,当使用三级控制流量定向蒸馏器时可达到99.9999%的纯度。
本实用新型涉及真空炉脱蜡装置,具体为一种真空炉蜡质捕集装置,包括有脱蜡罐、底架、真空机组和低温冷冻机,脱蜡罐内连接有脱蜡挡板Ⅰ和脱蜡挡板Ⅱ,脱蜡挡板Ⅰ和脱蜡挡板Ⅱ上连接有紫铜管,紫铜管与两个制冷管连通;低温冷冻机连接两个制冷接管连通,还包括溶液罐,溶液罐连接在脱蜡罐顶面上,所述的脱蜡罐、溶液罐和底架均设有两个;本实用新型脱蜡罐在进行蜡质捕集的同时还可有效防止油扩散泵的返油,整个脱蜡过程无需人工操作,省时省力,蜡质捕集效率高,对已捕集的蜡质,清洗方便,实现了脱蜡与蜡质清洗的同步进行,提高了工作效率,本实用新型可广泛应用于真空冶金炉、真空干燥炉、连续式真空炉、低密度风洞等真空设备中。
本发明涉及真空冶金技术领域,具体涉及一种重量纯度超过99.99%的高纯金属铸锭的制造方法。一种高纯金属铸锭的制造方法,其特征在于其具体工艺过程为:(1)将重量纯度≥99.99%的金属原料进行备料、装炉、抽真空;(2)电子束对金属原料进行加热融化,得到金属熔体;(3)经步骤(2)融化后得到的金属熔体进入采用电磁感应加热方式的水冷坩埚中继续进行熔炼,实现除杂、除气;(4)经步骤(3)得到的熔体进入水冷结晶器,成型得到高纯金属铸锭。本发明方法能够充分控制铸锭中杂质及气体含量,所制备的高纯金属铸锭,具有纯度高,铸锭物理性好、成材率高、产品规格多样化等优点,满足集成电路等对于高端薄膜制备的性能要求。
本发明公开了一种处理锑砷物料的装置和方法,以解决锑砷物料冶炼过程中有害杂质砷难以去除的问题。该装置包括炉体、炉盖、炉身,炉体内设有筒形耐火材料层,所述耐火材料层的中心放置有石墨坩埚,耐火材料层顶部放置有挥发物收集槽,挥发物收集槽位于石墨坩埚的顶部外侧,挥发物收集槽与石墨坩埚之间留有间隙,耐火材料层的底部通过真空泵管与真空泵连接,石墨坩埚与耐火材料层之间设有加热系统。处理锑砷物料的方法,包括以下加料、抽真空、升温、保温、降温、卸料步骤。本发明基于真空冶金原理,实现了锑砷合金物料中锑和砷的有效分离,处理过程清洁高效、无废水废渣产生,避免了砷的二次污染,同时金属回收率高。
本发明公开了一种从海绵铜浸出渣中富集贵金属的方法,包括:稀贵熔炼渣、海绵铜浸机械活化并磨矿作为原料;海绵铜浸出渣原料脱出贱金属镍铜;海绵铜浸出渣、稀贵熔炼渣与碳酸钠、还原煤粉和硼砂还原熔炼;熔炼渣和合金分离,脱出铅砷锑得到贵金属合金。本发明采用海绵铜浸出渣加压酸浸脱出贱金属后与稀贵合金熔炼渣—还原熔炼—真空冶金—贵金属合金的方法,此工艺在富集海绵铜浸出渣和稀贵合金熔炼渣中贵金属的过程中不产生高盐废水和有毒、有害气体,与传统处理方法相比,具有流程短、贵金属回收率高、清洁环保等优点,可提高资源的综合利用水平。
本发明公开了一种铜精炼系统锑铋渣生产精铋的方法,本发明将含Bi?8-30%、Sb?20-60%、Cu?0.1-0.25%、Fe?5-15%、As?0.3-1.5%的锑铋渣采用低温熔炼,产生的高铋合金采用真空冶金技术进行精练并进一步脱除锑砷等杂质,精练铋金属。整个过程锑的脱除率不低于96%,铋的回收率不低于97%。采用本发明的方法,锑铋渣的锑铋能有效的分离处理,铋金属可以直接提取生产精铋,分离处理的锑金属可以作为氧化锑精矿进行销售,对铜电解液中锑铋等杂质元素的开路处理、为脱除铜阴极板中的杂质元素、提高铜阴极板的质量提供了良好的解决方法,本方法对现有生产不造成影响,工艺流程短、锑脱除率高、环境友好、金属回收率高。
本实用新型公开了一种新型酸回收用真空分离器,包括真空外壳、蒸馏架和回形管,所述真空外壳的底端设置有出液管,所述出液管与所述真空外壳固定连接,所述真空外壳远离所述出液管的一端设置有排气管,所述真空外壳的内部设置有内胆,所述内胆与所述真空外壳固定连接,所述内胆的内部设置有滤网,所述滤网与所述内胆固定连接,所述滤网的上方设置有蒸馏内胆,通过在蒸馏内胆的内部安装了传热棒和蒸馏架,通过传热棒可传递加热器的热量,促使待分离酸液受热更加均匀,并且通过蒸馏架加快了酸液受热的接触面积,提高了分离里酸液分离的工作效率,通过安装U形管可保持蒸馏内胆内溶液容量的相对,确保了酸液分离充分。
本实用新型属于粉末冶金技术领域,具体涉及一种真空烧结设备集腊装置,包括集腊罐、格栅板、水套夹层、水套法兰和水套压盖,所述集腊罐内部焊接安装有开孔格栅板,集腊罐圆周方向焊接有水套夹层,集腊罐两侧端面分别焊接固定两片水套法兰,两片水套压盖通过螺栓与水套法兰连接,本实用新型采用了水套夹层方式,在水套夹层的一侧上端面和另一侧下端面上开设有用来介质流通的孔,目的是为了通热水使易于凝固的石蜡可迅速融化,防止管路堵塞造成安全隐患。同时通过集腊罐内部设置的格栅板,可有效阻隔块状或未融化的石蜡吸入真空泵内部导致设备故障。另外水套压盖与水套法兰采用螺栓连接,方便操作人员在停炉后拆卸水套压盖清理腊液。
本发明专利属于新材料领域,特别涉及一种真空烧结生产熔喷氧化铬的方法,包括如下步骤:步骤一,325目的三氧化二铬细粉和有机胶结材料均化,加入纯净水增湿,液压压块机压块,80℃内低温烘干,再在500℃内预烧结固化;步骤二,将预烧结固化的压块摆放在真空烧结炉内,逐步升温至1300℃~1450℃,真空度控制在50Pa内,持续保温30~60h后,自然温度降至1000℃后在真空烧结炉内充氩气,达到常压或微正压,加快降温速度,开炉门,冷却至室温后出炉;步骤三,冷却后的成块物料经过粗破‑细破‑整形‑分级,得到不同粒径的熔喷氧化铬。本发明可以有效解决成品收成率过低的难题。有效解决了困扰氧化铬常温烧结制熔喷氧化铬1650℃以上温度普通窑炉难实现的问题。
本实用新型涉及一种真空烧结炉芯片固定装置。其包括横梁、竖直设置于所述横梁两端的固定杆,所述横梁底面沿所述横梁长度方向均匀排布有竖直向下的压覆杆,所述压覆杆与所述横梁可拆卸连接,所述固定杆下端设有夹持固定装置。本实用新型能够将芯片封装壳体紧紧压覆在真空烧结炉加热炉盘上的条状凸台上,在真空烧结炉抽真空时,芯片封装壳不会再负压作用下移动、掉落,从而保证芯片熔封作业顺利完成。
本实用新型属于真空烧结设备技术领域,具体涉及一种真空烧结生产熔喷氧化铬的装置,包括抽真空管本体、真空烧结炉和真空泵,所述的抽真空管本体的前端与真空烧结炉的炉膛相连接,且抽真空管本体的后端与真空泵相连接,抽真空管本体的管路上设置有过滤管节与启闭管节,且过滤管节与启闭管节均通过法兰与抽真空管本体固定连接;启闭管节设在抽真空管本体靠近真空烧结炉的一端,且启闭管节的内侧镶嵌有阀板;阀板与启闭管节呈间隙配合,且阀板的外部包裹有包覆层;本实用新型采用真空烧结炉,替代传统高污染电熔法、二氧化钛烧结法、铝热法及化学混合烧结法的优势,必将得到广泛应用。
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