本发明专利属于
新材料领域,特别涉及一种真空烧结生产熔喷氧化铬的方法,包括如下步骤:步骤一,325目的三氧化二铬细粉和有机胶结材料均化,加入纯净水增湿,液压压块机压块,80℃内低温烘干,再在500℃内预烧结固化;步骤二,将预烧结固化的压块摆放在真空烧结炉内,逐步升温至1300℃~1450℃,真空度控制在50Pa内,持续保温30~60h后,自然温度降至1000℃后在真空烧结炉内充氩气,达到常压或微正压,加快降温速度,开炉门,冷却至室温后出炉;步骤三,冷却后的成块物料经过粗破‑细破‑整形‑分级,得到不同粒径的熔喷氧化铬。本发明可以有效解决成品收成率过低的难题。有效解决了困扰氧化铬常温烧结制熔喷氧化铬1650℃以上温度普通窑炉难实现的问题。
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