一种烧结环冷机物料温度控制方法,属于冶金工业测控技术领域。本发明:通过设置在环冷机各鼓风段的非接触式测温装置,测得冷却过程中各鼓风段环冷机台车上物料表面的温度值,并将该温度值输送至中央控制器,以获得环冷机温度场实际温度变化值;通过设置在各鼓风机出口处的流量计,测得冷却过程中各鼓风机出口处的通风量,并将该通风量输送至中央控制器,以获得鼓风机出口处流量变化值;依据烧结环冷机的热工参数技术要求,设定生产进程中所需的理想温度曲线,即确定初始温度设定值,以环冷机温度场实际温度变化值与初始温度设定值的偏差作为系统的扰动,以鼓风机出口处流量变化值为系统的反馈,通过控制鼓风机的风门开度控制鼓风机的通风量。
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和硼去除的方法。该方法使用两把电子枪发射电子束分别对多晶硅进行熔炼,同时采用双重工艺去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中杂质磷,将低磷的多晶硅进一步熔炼蒸发除硼,收集蒸发到沉积板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室由左右两个腔组成,中间由隔离板分割。本发明有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,效率高。
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液,并保持其液态,同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料,硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液,并熔炼去除杂质磷;除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中,在熔入的过程中,硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼,加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟,定向凝固,切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可。本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质,提纯效果好,生产效率高,适合批量生产。
本发明涉及一种铝基碳化硼中子吸收板的制备方法,是针对核装置保护的要求,采用铝粉、碳化硼粉、硅粉、钛粉、硼酸晶体混合,进行粉末冶金,制成矩形板,然后在压力机上、在加热状态下、在模具内进行热挤压成型,制得致密的铝基碳化硼中子吸收复合板,中子吸收复合板为灰白色,中子吸收率≥90%,碳化硼分布均匀,颗粒与基体结合紧密,基体显微硬度达185.8HV,颗粒显微硬度达2022.2HV,表面耐腐蚀电位为-0.45V,抗弯曲角度为≥10°,抗拉强度≥200MPa,断后伸长率≥1.8%,断后收缩率≥1.0%,此制备方法工艺先进合理,参数准确翔实,是较为理想的制备铝基碳化硼中子吸收板的方法。
本发明涉及一种铜包铝线生产方法,特别是一种铜包铝扁线的制造方法,其工艺步骤如下:(1)在惰性气体保护下铜铝包覆焊接;(2)经拉丝机的一系列拉丝模拉制,拉制时线的温度应低于240℃,并达到预定的总变形量;(3)装入有惰性气体保护的退火炉中进行限制扩散层退火,达到预定温度后,保温60-150分钟;(4)在轧辊直径与线径比相匹配的两辊平辊轧机上至少轧制一次,并达到预定尺寸;(5)在拉拔机上用矩形拉丝模进行成品拉拔,达到成品的几何尺寸;(6)在惰性气氛中进行软化退火、收线。具有节省铜材53-60%,性能稳定可靠,并把铜铝两者的优点有机融为一体,接触表面达到冶金结合,减轻自重。
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅领域。一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法,先将需提纯的大块高磷、高金属多晶硅锭置于水冷升降托盘之上,后通过电子束熔化硅锭的顶部,熔化的硅熔液在由硅锭顶部、水冷铜套以及石墨套环形成的空间内形成浅熔池,熔炼一定时间后,去除杂质磷,此后升高水冷升降托盘,低磷硅熔液液面升高后通过导流口流入石英坩埚中,在保温作用下向下拉锭,进行定向凝固生长,金属杂质向硅锭顶部富集,凝固后切除硅锭顶部,去除金属杂质。本发明综合电子束浅熔池熔炼和定向凝固去除硅中的杂质磷和金属。多晶硅的纯度达到太阳能级硅的使用要求,节约能源,工艺简单,生产效率高,适合批量生产。
本发明提供一种铜铁基摩擦材料的制备方法,属于制动摩擦复合材料制备技术领域。在铜包铁粉基体中添加强化组元Ni 1wt%‑3wt%,合金组元Mn和Cr 0.5wt%‑1wt%,摩擦组元WC 2wt%‑6wt%,润滑组元铜包石墨4wt%‑10wt%,利用粉末冶金方法制备出了制动低磨损铜铁基摩擦材料。本发明以铜包石墨代替石墨粉末作为润滑组元,在烧结过程中有效改善了铜与石墨润湿性较差的缺点,使得石墨能均匀分布在整个摩擦材料中,并通过组分优化设计和工艺探索,所得粉末冶金铜铁摩擦材料孔隙率低且分布均匀,使得摩擦材料具有高强度、低磨损率、稳定摩擦系数的特点。
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法,首先备料:将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中;再预处理:对坩锅水冷、电子枪预热;最后提纯:采用以200-300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间,然后降低束流为零,待硅锭完全变暗,硅蒸气回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流,重复小束流熔炼和停止束流的操作多次,最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。本发明的显著效果是采用了电子束分次熔炼的技术,一方面降低硅的蒸发损失量,此方法提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节能降耗,周期短,生产效率高。
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,加热在熔炼坩埚中的造渣剂,并使其保持液态,同时通过另一小坩埚中熔化高硼、高金属的多晶硅料形成多晶硅熔液;将多晶硅熔液连续导入并分散于液态造渣剂中,熔炼反应去除杂质硼,待熔炼坩埚中液体装满时,停止加入多晶硅熔液,加热使熔炼坩埚中保持液态,熔炼后进行定向凝固,切去硅锭顶部杂质含量较高的多晶硅及废渣,即可得到硼和金属杂质含量较低的多晶硅锭。综合渣滤熔炼和定向凝固的技术去除多晶硅中的杂质硼和金属,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节约能源,成本低,生产效率高。
本发明属于裂纹修复技术领域,提供一种专用于不锈钢工件表面裂纹激光修复的含有纳米Al2O3的复合粉末,该复合粉末包括质量分数为1%?3%的Al2O3纳米粉末,余量为不锈钢粉末,二者通过机械球磨充分混合后,利用无水乙醇调和进一步混合均匀;不锈钢粉末包含质量分数为0.08%的C,0.5%的Si,1.46%的Mn,0.03%的P,0.005%的S,19%的Cr,9.5%的Ni,0.5%的Mo,余量为Fe。采用本发明的复合粉末进行激光修复后,修复层与基体间能够形成致密的冶金结合,修复层组织中的晶粒细小均匀,无裂纹和气孔等缺陷,能够达到延寿和提高构件可靠性和安全性的目的,应用前景极其广阔,经济效益和社会效益显著。
一种生产铝包铜管的工艺及设备,以铜管、铝带为原料,在包覆焊接设备上将铝带包覆焊接在铜管外侧形成铝包铜管坯,在包覆焊接前对铜管进行矫直和磨刷处理,对铝带进行扒皮处理;将铝包铜管坯送入拉拔设备中,采用带有游动芯头的模具至少拉拔两个道次,使外层的铝管与内层的铜管紧密贴合,形成铝包铜管坯并缠绕收盘;对铝包铜管坯进行退火处理,将铝包铜管坯内腔放入发气物质,将两端头密封,放入加热炉中进行扩散退火,使铝与铜冶金结合;采用带有游动芯头的模具对实现冶金结合的铝包铜管进行再次拉拔,使其达到设计尺寸规整的形状。本方法以铝带和铜带为原料,利用了现有的结构简单、易操作的设备,具有工艺步骤简单、容易控制、生产效率高、成本低的优点。
一种检测连铸结晶器铜板局部热流的方法,属于冶金连铸检测技术领域。本方法基于专门设计的结晶器热电偶埋设方案,将连铸结晶器铜板温度测量与结晶器传热实时计算方法相结合,实时反映连铸生产中结晶器内的传热状况,其主要步骤为:结晶器铜板热电偶测点布置方案设计、结晶器铜板温度在线检测、结晶器铜板测点位置局部热流计算、结晶器传热状态实时计算。其优点是,在结晶器铜板的每个测点仅布置一只热电偶即可获得相应位置的局部热流,热电偶安装和维护简便;能够在线得到结晶器铜板测点与非测点任意位置的局部热流,为考察和监控结晶器内剧烈的热交换过程提供全面的准确信息;方法同样适用于方坯、圆坯或异性坯连铸的结晶器热流测量。
本发明涉及一种不用作动平衡的带有中间段超大扭矩弹性联轴器。该联轴器包括两个半联轴节、两个对接盘和膜片组,其改进在于:联轴器还包括中间段、高强弹力圈和松紧装置,两个对接盘和两个半连轴节通过螺栓安装在中间段的两端,对接盘与半连轴节的采用子口定位,膜片组为叠层膜片组,安装在对接盘与中间段之间,对接盘的外侧面还设有凹槽,凹槽内安装高强弹力圈,半连轴节和中间段上都设有一圈向外凸出的凸台,松紧装置包括两个松紧螺栓和一个长螺母,松紧装置分为内接和外接式。本发明联轴器具有传递功率扭矩大、使用寿命更长、配置范围广、装卸简单,适用于石油、化工、冶金、机械、环保、矿山、船舶、航天、引水工程、核电、军事等领域。
本发明涉及冶金辅料精炼造渣脱硫剂铝酸钙的生产方法。利用工业废渣资源制备造渣脱硫剂的方法,以粉煤灰为主要原料,配以碳酸钠、熟石灰,混匀制粒;将制备的物料投入回转窑烧结,烧结温度950℃-1250℃,烧结时间30-50min,烧制成熟料;采用50-80g/L的氢氧化钠稀碱液溶熟料;溶出的铝酸钠溶液按溶质净含量摩尔比2:1加入氢氧化钙,充分搅拌反应,对反应后的溶液进行过滤,过滤沉淀为铝酸钙,滤液为氢氧化钠溶液,可重复使用;本发明一种利用工业废渣资源制备造渣脱硫剂的方法,以粉煤灰为主要原料,生产冶金辅料精炼造渣脱硫剂——铝酸钙,扩大粉煤灰综合利用规模的同时,提供高品质的铝酸钙精炼渣。
本发明一种多晶硅熔炼的复合式加热方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用感应线圈和石墨加热器复合加热的方式熔炼多晶硅的方法及装置。本方法同时采用感应加热和辐射加热两种方式对加热区进行复合式加热,使硅料熔化并进行熔炼,通过拉锭装置的运动使熔体脱离加热区,实现定向凝固。该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室内装有进行感应加热的感应线圈和进行辐射加热的石墨加热器。本发明有效地利用了感应加热的高效性和辐射加热的稳定性,保证了熔炼过程的稳定,减小了能耗,提高了加热效率,且该方法简单易行,适合大规模工业生产。
本发明涉及一种低铬稀土合金钢磨球材料。它是 采用控制铬/碳比, 多元少量合金化方法强化含金的基体及碳化 物, 并根据磨球直径大小的结构物理性能, 采用不同的配方, 使材 料性能既能满足锻造、轧制工艺条件要求, 又能提高材料的综合 机械性能与耐磨性。以本发明材料制造的合金钢磨球, 在高强度 下具有良好的冲击韧性, 磨球性能为HRC≥60, ak≥10J/cm2, σb≥100kg/cm2, 本发明的材料, 还可以做为矿山、冶金、电力等各类机械的耐磨材料。
本发明所述的采用复合式弯辊液压缸的带钢轧机,属于冶金行业中的热轧带钢设备。轧机的上、下工作辊通过上、下工作辊轴承座安装在牌坊的中部。弯辊用的液压缸安装在上、下工作辊轴承座之间。其结构在于复合式弯辊液压缸共有四台,分别安装在上、下工作辊轴承座之间固定块的中心圆孔内,并可以上下浮动伸缩,固定块把合在牌坊窗口的中部。复合式弯辊液压缸缸体的上、下端分别装有上压板和下压板组成油缸,里面装有活塞杆和连接杆。工作时,上压板顶住上工作辊轴承座,下压板顶住下工作辊轴承座。本发明具有结构新颖、结构简单紧凑、维修量小、换辊方便等特点,故属于一种集经济性与实用性为一体新型的采用复合式弯辊液压缸的带钢轧机。
本发明属于冶金提纯技术领域,特别涉及一种增强合金化分凝提纯多晶硅的方法。该方法首先对工业硅和原铝进行清洗预处理,然后在氩气保护下使原铝完全熔化,之后向熔融的铝液中加入工业硅,升温至1100-1200℃进行合金化熔炼,完全熔化后加入金属或金属氧化物,保温之后缓慢冷却,硼化物和初晶硅先后析出并沉积在坩埚底部,将坩埚上部铝硅熔体倾倒并贮存,最后对初晶硅进行无机酸处理,去除残余金属及硼化物,之后进行烘干处理,即可得到硼含量低的多晶硅。本发明在Si-Al合金提纯的基础上加入Fe、Ti、TiO2等微量金属或金属氧化物,从而达到去除硅中硼杂质,使硼含量达到满足太阳能级硅的要求,实用性强,工业生产周期短,节能降耗环保,技术稳定,生产效率高。
本发明公开一种专用于激光修复不锈钢表面微小裂纹的微纳米复合粉末,包括重量百分比为3%?7%的纳米WC,0.5%?2%的纳米Al2O3,余量为微米级的不锈钢粉末,微纳米粉末通过机械球磨充分混合,然后利用无水乙醇调和后进一步混合均匀;不锈钢粉末包含重量百分比为0.08%的C,0.5%的Si,1.46%的Mn,0.03%的P,0.005%的S,19%的Cr,9.5%的Ni,0.5%的Mo,余量为Fe。本发明提供的复合粉末适用于有高强韧性要求的不锈钢零件表面微小裂纹的激光修复;激光修复后,复合粉末可与基材充分融合,修复层和基体的界面发生冶金结合,无裂纹、无夹杂,修复层中含有细小晶粒,提高修复层的致密性、断裂性能。
本发明一种工业硅除硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将工业硅中的杂质硼去除的方法。该方法将工业硅料放入纯度为99.9%以上的石英环中,在电子束作用下熔炼,利用高真空度将氧化硼去除。先将工业硅料放入石英环中;再将石英环放入水冷铜坩埚中,关闭真空装置盖。其所采用装置由真空装置盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶内腔即为真空室。可以将分凝系数较大的硼用电子束熔炼去除,有效提高了多晶硅的纯度,具有效率高、装置简单、节约能源的优点。
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法,先通过电子束在坩埚中形成稳定的高纯硅熔池,然后将需提纯硅粉通过进料真空闸室连续落入熔池,快速熔化后熔炼,从而去除硅粉中的杂质磷,得到的低磷硅液周期性地从坩埚中溢出,在水冷倾斜铜槽中形成硅块,并落入收集筒中冷却,最后通过出料真空闸室连续出料,完成连续提纯多晶硅的工艺过程。本发明采取连续加料和连续出料的熔炼方式,采用电子束熔炼多晶硅可去除饱和蒸汽压高的挥发性杂质磷,达到高效、连续熔炼除杂的目的,纯度达到了太阳能级硅的使用要求,技术稳定,能耗小,成本低,生产效率高,适合大规模工业化生产。
冷硬铸铁轧辊铸渗工艺属于铸造工艺。针对已有工艺存在的缺点,本发明选用对白口 不敏感的软质铁水,在冷型内壁喷涂含Te涂料。浇注 后Te熔化并被携带、扩散进入辊面一定深度。调整含 Te量则可调整白口深度及麻口大小,同时硬面含有 100~600ppm的Te可促进辊面充分白口化,把辊面 硬度提高到HS72-78。本方法适用于橡胶机轧辊,可显著提高轧辊的 承载能力、耐磨性。对其它非冶金类轧辊亦有明显效 果。
本发明涉及一种双金属自润滑轴承材料的制造方法,包括如下步骤:粉体混合:将一定比例的Cu、Sn、Pb混合纯金属粉末和占所述混合纯金属粉末总质量的5~10%的石墨粉在混料机上进行均匀混合;将其涂覆于钢板、不锈钢板或青铜板上进行二次烧结:即首先在高于锡粉熔点但低于铜合金烧结温度的温度进行瞬间液相烧结;其间,铜粉之间形成有限连接,锡铜之间形成固溶体,铅粉以单独铅质点分布于铜锡固溶体晶界或枝晶网胞间,并使原来锡粉和铅粉位置形成了空缺,石墨分布其中;继而按铜合金的烧结温度进行第二次烧结;精轧退火制成双金属自润滑轴承材料。其产品性能稳定可靠,广泛应用于水轮机导叶轴承、水工金属结构、冶金设备等机械行业。
本发明涉及一种金属复合材料,特别是一种钢包钢复合材料,由包覆不锈钢和碳钢芯体组成,线材直径为0.08-10.0mm;是将不锈钢包覆在碳钢上制成复合坯料,然后用拉丝机在不同的速度和减径率条件下,经多道次拉丝模拉拔,使不锈钢、碳钢界面通过冶金结合成为所需尺寸的复合材料。本发明弥补了不锈钢和碳钢所无法涉及到的领域,同时也填补了国内一项在探索解决不锈钢资源紧张问题上的一项空白,也解决了以往产品价格高,环境污染严重等技术问题,满足了人们对复合材料的需求。
一种原位颗粒增强镁基复合材料的电磁/超声制备方法,属于冶金技术领域,公开一种用电磁连铸技术制备镁基复合材料的方法。其特征是熔炼添加微合金化元素CA、稀土Y、稀土CE的镁基熔体;选择AL-TI-C或AL-TI-B增强体系,采用自蔓延高温合成法原位合成含增强颗粒的镁基复合材料熔体,对镁基复合材料熔体施加电磁/超声复合搅拌;最后采用连铸工艺将镁基复合材料熔体连铸成型,并且在结晶器范围内施加电磁场和超声场,获得多相增强镁基复合材料连铸坯。本发明的效果和益处是将复合材料自蔓延反应法与电磁连续铸造技术、超声波技术有机地结合,得到表面光洁、颗粒增强相在基体中均匀分布、增强体与基体结合良好的镁基复合材料连铸坯,制备工艺简单。
本发明局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域,特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质硼去除的方法和装置。该方法用电子束对石墨坩埚中的多晶硅进行局部熔炼,将液态硅蒸发到石墨坩埚上方的沉积板上,收集沉积在沉积板上多晶硅的方法;该装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳,真空圆桶的内腔即为真空室,真空室内装有熔炼系统,熔炼系统由电子枪、石墨坩埚、水冷铜托盘组成。该方法工艺简单,能耗低,环境污染小,提纯精度高;技术稳定,有利于大规模生产。
一种利用红焦高温热能生产金属化球团的装置和方法,属于冶金工程、节能环保领域。该装置包括可燃气体燃烧单元、烟气净化单元,含碳球团直接还原单元、焦炭以及含碳球团混合储存室、水冷壁冷却单元、排料运输以及磁选分离单元;可燃气体燃烧单元和烟气净化单元连接,可燃气体燃烧单元依次连接有含碳球团直接还原单元、焦炭以及含碳球团混合储存室、水冷壁冷却单元;水冷壁冷却单元下方设置有排料运输以及磁选分离单元。该方法在含碳球团直接还原单元、焦炭以及含碳球团混合储存室进行含碳球团的直接还原,再进行冷却、排料、磁选,从而得到金属化球团。该方法解决了钢铁冶金长流程能耗高,高温物料余热利用低,湿法熄焦能量浪费、环境污染的问题。
本发明公开了一种低温煅烧制备冶金结合的锡包覆钨粉末的方法。具体步骤是,首先配置熔化温度低于300℃的混合碱;然后,按照质量份数将100份钨粉、5‐20份锡粉和5‐50份混合碱置于球磨机中,加少量蒸馏水湿润,混合均匀后,得到混合粉;再在保护性气氛下,将干燥的混合粉于300‐750℃温度条件下,煅烧至锡和混合碱均充分熔化;最后将产物冷却,用蒸馏水清洗至中性,过滤干燥,获得锡包覆钨粉末。本发明用混合碱作为钎剂煅烧钨锡粉末,可以使钨锡之间达到冶金结合,脱除了金属表面的氧化物,大大降低粉末中氧含量。所提供的制备锡包覆钨颗粒方法,条件温和、简单易控。
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