权利要求
1.一种钨硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将钨粉和硅粉进行高能混合，使粉体发生机械合金化，得到预合金粉末;
(2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到合金压坯;
(3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钨粉的平均粒径为4-18μm;
优选地，步骤(1)所述硅粉的平均粒径为10-23μm;
优选地，步骤(1)所述高能混合的方式包括高能球磨、砂磨或梨形叶片混合中的任意一种;
优选地，所述预合金粉末的氧含量≤500ppm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合前进行抽真空与通入惰性气体的步骤;
优选地，所述惰性气体包括氩气。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述热压烧结的温度为1050-1300℃;
优选地，步骤(2)所述热压烧结的保温时间为4-12h;
优选地，步骤(2)所述热压烧结的升温速率为5-15℃/min。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述热压烧结的轴向压力根据温度区间进行分段控制;
优选地，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为8-12MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为18-22MPa。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述热压烧结在真空或惰性气氛下进行;
优选地，步骤(2)所述热压烧结时的真空度为10-3-10-2Pa。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述合金压坯的致密度为65-88%。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述热等静压处理的温度为950-1350℃;
优选地，所述热等静压处理的压力为50-150MPa;
优选地，所述热等静压处理的保温时间为1-3h;
优选地，所述热等静压处理的升温速率为10-15℃/min。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述包套与步骤(2)所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成配合间隙;
优选地，所述配合间隙的尺寸控制在1-3mm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：
(1)将平均粒径为4-18μm的钨粉和平均粒径为10-23μm的硅粉进行高能混合，使粉体发生机械合金化，得到预合金粉末;其中，所述高能混合的方式包括高能球磨、砂磨或梨形叶片混合中的任意一种，所述预合金粉末的氧含量≤500ppm，所述混合前进行抽真空与通入惰性气体的步骤，所述惰性气体包括氩气;
(2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到致密度为65-88%的合金压坯;其中，所述热压烧结的温度为1050-1300℃，保温时间为4-12h，升温速率为5-15℃/min，所述热压烧结的轴向压力根据温度区间进行分段控制，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为8-12MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为18-22MPa，所述热压烧结在真空或惰性气氛下进行，步骤(2)所述热压烧结时的真空度为10-3-10-2Pa;
(3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材;其中，所述热等静压处理的温度为950-1350℃，压力为50-150MPa，保温时间为1-3h，升温速率为10-15℃/min，所述包套与所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成1-3mm的配合间隙。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及钨硅合金材料制备技术领域，尤其涉及一种通过特定工艺制备组织均匀、致密度高的钨硅合金材料的方法。
背景技术
[0002]随着半导体、航空航天、核能等高端制造业向高功率、高温、高精度方向快速升级，对关键结构/
功能材料的耐高温性、力学强度、导热导电性及抗腐蚀稳定性提出了严苛要求。传统金属靶材(如纯钨、纯硅)存在明显性能短板：纯钨脆性大、加工成型难度高，纯硅高温易氧化、力学强度不足，难以满足精密镀膜、高温部件制备等场景的长效使用需求。
[0003]钨硅合金凭借钨的高熔点、高硬度与硅的半导体特性、良好兼容性，形成性能互补优势，其制备的薄膜/涂层兼具耐磨、耐高温、低电阻率等核心特质，成为高端电子器件散热封装、航空发动机高温防护、核反应堆结构镀膜等领域的理想材料。
[0004]现有技术CN120648990A公开了一种钨硅靶材的制备方法，将钨硅靶坯进行热压烧结，得到钨硅靶材：所述热压烧结包括：依次进行第一升温、第二升温、烧结和随炉冷却;所述第一升温的升温速率≥20℃/min>第二升温的升温速率。
[0005]现有技术CN105671483A公开了一种钨硅靶材的制造方法，利用混粉工艺将所述钨粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末：利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钨硅靶材坏料;将所述钨硅靶材坏料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钨硅靶材坏料进行致密化处理，去除所述包套，得到钨硅靶材。将容纳有所述钨硅靶材坏料的包套置于热等静压炉内，设置所述热等静压炉的热等静压温度为1200C至1380℃、热等静压压力为120MPa至180MPa，使容纳有所述钨硅靶材坏料的包套在所述热等静压温度和热等静压压力下保温3h至6h。
[0006]然而，现有钨硅合金靶材的制备技术仍面临诸多瓶颈：合金成分均匀性差、内部孔隙率较高，导致镀膜过程中靶材溅射效率低、薄膜厚度一致性不足;同时，靶材与背板的结合强度不足，易在高温溅射工况下出现剥离、开裂等失效问题，严重制约了其在高端领域的规模化应用。
[0007]综上，开发一种成分均匀、致密度高、结合性能优异的钨硅合金靶材制备技术，已成为目前亟待解决的问题。
发明内容
[0008]为解决上述技术问题，本发明提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，所述方法通过粉末混粉高能混合、HP预合金化烧结、热等静压成型致密化的流程，将合金原料从“粉末态”转化为“近终形/终形构件”，能避免成分偏析、晶粒粗大等问题，尤其适合难变形、高合金化的高温合金(如钨硅合金)，制备得到成分均匀、致密度高、结合性能优异的钨硅合金靶材。
[0009]为达此目的，本发明采用以下技术方案：
[0010]第一方面，本发明提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0011](1)将钨粉和硅粉进行高能混合，使粉体发生机械合金化，得到预合金粉末;
[0012](2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到合金压坯;
[0013](3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材。
[0014]本发明通过粉末混粉高能混合、HP预合金化烧结、热等静压成型致密化的工艺流程，通过热力学驱动与动力学控制相结合的
粉末冶金策略，将合金原料从“粉末态”转化为“近终形/终形构件”，能避免成分偏析、晶粒粗大等问题，尤其适合难变形、高合金化的高温合金(如钨硅合金);对于钨硅体系，通过高能混合预设了均匀的微观反应单元，高能混合会使钨粉和硅粉发生剧烈塑性变形，钨、硅颗粒内部产生高密度位错和晶格畸变，钨和硅的粉末被细化、扁平化，这大幅缩短了后续合金化所需的扩散距离，之后进行热压烧结得到具有一定致密度的合金压坯，后进一步进行热等静压处理，制备得到成分均匀、致密度高、结合性能优异的钨硅合金靶材。
[0015]作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述钨粉的平均粒径为4-18μm，例如可以是4μm、6μm、8μm、10μm、12μm、14μm、16μm或18μm，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]优选地，步骤(1)所述硅粉的平均粒径为10-23μm，例如可以是10μm、12μm、14μm、16μm、18μm、20μm、22μm或23μm，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0017]本发明中，对硅粉和钨粉的粒径进行限定，过细易团聚，过粗会导致致密度不足。
[0018]优选地，步骤(1)所述高能混合的方式包括高能球磨、砂磨或梨形叶片混合中的任意一种。
[0019]优选地，所述预合金粉末的氧含量≤500ppm，例如可以是500ppm、480ppm、460ppm、440ppm、420ppm、400ppm、380ppm、360ppm、340ppm、320ppm或300ppm，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]本发明中，混粉设备包括三维、V型、球磨或砂磨等设备，对粉末进行混粉也对粉末形状进行规则化处理，获得低氧含量(≤500ppm)、成分均匀、球形度高的预合金粉末。
[0021]作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述混合前进行抽真空与通入惰性气体的步骤。
[0022]优选地，所述惰性气体包括氩气。
[0023]本发明中，混合过程中需对处理设备进行惰性气体防护，防止粉末在处理过程中引入大量的氧。
[0024]作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述热压烧结在真空或惰性气氛下进行。
[0025]本发明中，热压烧结使用的模具为石墨模具，耐高温，易脱模。
[0026]作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述热压烧结的温度为1050-1300℃，例如可以是1050℃、1100℃、1150℃、1200℃、1250℃或1300℃，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0027]优选地，步骤(2)所述热压烧结的保温时间为4-12h，例如可以是4h、6h、8h、10h或12h，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0028]优选地，步骤(2)所述热压烧结的升温速率为5-15℃/min，例如可以是5℃/min、6℃/min、7℃/min、8℃/min、9℃/min、10℃/min、11℃/min、12℃/min、13℃/min、14℃/min或15℃/min，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0029]本发明中，控制热压烧结升温速率为5-15℃/min，升温过快导致模具与粉末热膨胀不均，产生裂纹。
[0030]优选地，步骤(2)所述热压烧结时的真空度为10-3-10-2Pa，例如可以是0.01Pa、0.03Pa、0.05Pa、0.07Pa或0.1Pa，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0031]本发明中，步骤(2)所述热压烧结的轴向压力根据温度区间进行分段控制。
[0032]优选地，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为8-12MPa，例如可以是8MPa、9MPa、10MPa、11MPa或12MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为18-22MPa，例如可以是18MPa、19MPa、20MPa、21MPa或22MPa，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0033]本发明中，压力与温度匹配：低温阶段(800℃以下)主要靠压力压实粉末、排出气体;高温阶段靠原子扩散实现颗粒间的冶金结合，压力可适当降低，防止模具变形，通过热压烧结保证硅原子和钨原子之间充分扩散，提升材料的均匀性。
[0034]作为本发明优选的技术方案，所述合金压坯的致密度为65-88%，例如可以是65%、67%、70%、72%、74%、76%、78%、80%、82%、84%、86%或88%，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0035]本发明中，合金压坯致密度过低，HIP后粉末密度仍无法致密，密度过高，钨硅合金脆性增大会导致材料在包套中发生开裂，无法成型。
[0036]作为本发明优选的技术方案，所述热等静压处理的温度为950-1350℃，例如可以是950℃、1000℃、1050℃、1100℃、1150℃、1200℃、1250℃、1300℃或1350℃，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0037]优选地，所述热等静压处理的压力为50-150MPa，例如可以是50MPa、75MPa、100MPa、125MPa或150MPa，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0038]本发明中，热等静压处理的压力与温度相匹配，保温1-3h，保证材料组织细小均匀，致密度高，制备得到最终性能优异的材料。
[0039]优选地，所述热等静压处理的保温时间为1-3h，例如可以是1h、1.5h、2h、2.5h或3h，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0040]优选地，所述热等静压处理的升温速率为10-15℃/min，例如可以是10℃/min、11℃/min、12℃/min、13℃/min、14℃/min或15℃/min，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0041]本发明中，限定热等静压处理的升温速率为10-15℃/min，避免升温过快导致包套与合金化后的压坯热膨胀不均，产生裂纹。
[0042]作为本发明优选的技术方案，步骤(3)所述包套与所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成配合间隙。
[0043]本发明中，所述包套为不锈钢材料，不锈钢包套与合金压坯之间利用石墨纸进行隔离。
[0044]优选地，所述配合间隙的尺寸控制在1-3mm，例如可以是1mm、1.5mm、2mm、2.5mm或3mm，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0045]本发明中，制得的所述钨硅合金靶材近终形成型，材料利用率高：可直接制备复杂形状构件(如带冷却通道的涡轮叶片)，后续机加工量减少30%~60%，降低贵重高温合金的材料浪费。
[0046]作为本发明优选的技术方案，所述制备方法具体包括以下步骤：
[0047](1)将平均粒径为4-18μm的钨粉和平均粒径为10-23μm的硅粉进行高能混合，使粉体发生机械合金化，得到预合金粉末;其中，所述高能混合的方式包括高能球磨、砂磨或梨形叶片混合中的任意一种，所述预合金粉末的氧含量≤500ppm，所述混合前进行抽真空与通入惰性气体的步骤，所述惰性气体包括氩气;
[0048](2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到致密度为65-88%的合金压坯;其中，所述热压烧结的温度为1050-1300℃，保温时间为4-12h，升温速率为5-15℃/min，所述热压烧结的轴向压力根据温度区间进行分段控制，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为8-12MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为18-22MPa，所述热压烧结在真空或惰性气氛下进行，步骤(2)所述热压烧结时的真空度为10-3-10-2Pa;
[0049](3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材;其中，所述热等静压处理的温度为950-1350℃，压力为50-150MPa，保温时间为1-3h，升温速率为10-15℃/min，所述包套与所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成1-3mm的配合间隙。
[0050]与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
[0051]本发明通过粉末混粉高能混合、HP预合金化烧结、热等静压成型致密化的工艺流程，从源头避免了铸造的“宏观偏析”，通过热力学驱动与动力学控制相结合的粉末冶金策略，制备得到成分均匀、致密度高、结合性能优异、近终形成型的钨硅合金靶材，大尺寸Si相可以控制在≤20μm，组织均匀细小，致密度高于99.5%，进一步地，通过热压烧结的“温压协同”可有效消除孔隙，降低材料的加工开裂风险。
附图说明
[0052]图1是本发明钨硅合金靶材制备流程图;
[0053]图2是本发明实施例1制备的钨硅合金靶材的扫描电镜图。
具体实施方式
[0054]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
[0055]实施例1
[0056]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，如图1所述，所述制备方法包括以下步骤：
[0057](1)将平均粒径为10μm钨粉和15μm的硅粉进行高能球磨，得到预合金粉末，所述预合金粉末的氧含量为400ppm;其中，所述混合前进行抽真空与通入氩气的步骤;
[0058](2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到合金压坯;其中，所述热压烧结的温度为1200℃，所述热压烧结的保温时间为10h，所述热压烧结的升温速率为10℃/min，所述热压烧结在真空下进行，所述热压烧结时的真空度为10-3Pa，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为10MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为20MPa，所述合金压坯的致密度为70%;
[0059](3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材;其中，所述热等静压处理的温度为1250℃，压力为100MPa，保温时间2h，升温速率10℃/min，所述包套与所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成配合间隙，所述配合间隙的尺寸控制在2mm;
[0060]如图2所示，本发明制备的钨硅合金靶材致密化高，通过SEM观察组织均匀分布，大尺寸Si相可以控制在≤15μm，组织均匀细小，防止靶材在使用过程中产生异常出现。
[0061]实施例2
[0062]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0063](1)将平均粒径为4μm钨粉和10μm的硅粉进行砂磨，得到预合金粉末，所述预合金粉末的氧含量为460ppm;其中，所述混合前进行抽真空与通入氩气的步骤;
[0064](2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到合金压坯;其中，所述热压烧结的温度为1050℃，所述热压烧结的保温时间为12h，所述热压烧结的升温速率为5℃/min，所述热压烧结在真空下进行，所述热压烧结时的真空度为10-3Pa，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为8MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为22MPa，所述合金压坯的致密度为65%;
[0065](3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材;其中，所述热等静压处理的温度为950℃，压力为50MPa，保温时间3h，升温速率12℃/min，所述包套与所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成配合间隙，所述配合间隙的尺寸控制在1mm。
[0066]实施例3
[0067]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0068](1)将平均粒径为18μm钨粉和23μm的硅粉进行梨形叶片混合，得到预合金粉末，所述预合金粉末的氧含量为500ppm;其中，所述混合前进行抽真空与通入氩气的步骤;
[0069](2)将步骤(1)所述预合金粉末进行热压烧结，得到合金压坯;其中，所述热压烧结的温度为1300℃，所述热压烧结的保温时间为4h，所述热压烧结的升温速率为15℃/min，所述热压烧结在真空下进行，所述热压烧结时的真空度为10-2Pa，当所述热压烧结的温度<800℃时，所述热压烧结的轴向压力为12MPa，当所述热压烧结的温度≥800℃时，所述热压烧结的轴向压力为18MPa，所述合金压坯的致密度为88%;
[0070](3)将步骤(2)所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材;其中，所述热等静压处理的温度为1350℃，压力为150MPa，保温时间1h，升温速率15℃/min，所述包套与所述合金压坯的形状匹配，所述包套的内壁与所述合金压坯的外表面之间形成配合间隙，所述配合间隙的尺寸控制在3mm。
[0071]实施例4
[0072]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除步骤(2)所述热压烧结的压力恒定为20MPa以外，其余均与实施例1相同。
[0073]实施例5
[0074]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除步骤(2)所述热压烧结的升温速率为20℃/min以外，其余均与实施例1相同。
[0075]实施例6
[0076]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除所述合金压坯的致密度为60%以外，其余均与实施例1相同。
[0077]实施例7
[0078]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除所述合金压坯的致密度为90%以外，其余均与实施例1相同。
[0079]实施例8
[0080]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除所述热压烧结的保温时间为2h以外，其余均与实施例1相同。
[0081]实施例9
[0082]本实施例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除所述热压烧结的保温时间为15h以外，其余均与实施例1相同。
[0083]对比例1
[0084]本对比例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除将步骤(1)所述高能球磨替换为采用真空高速混料机进行混合以外，其余均与实施例1相同。
[0085]对比例2
[0086]本对比例提供了一种钨硅合金靶材的制备方法，与实施例1的区别在于，除去除热压烧结步骤以外，其余均与实施例1相同。
[0087]测试方法：使用阿基米德排水法对上述实施例1-9及对比例1、2中得到的钨硅合金靶材的致密度进行检测，室温下力学强度通过万能材料试验机进行检测，通过三点抗弯检测断裂韧性，单质Si尺寸通过扫描电子显微镜(SEM)进行观察统计，内部组织均匀性通过超声C扫描进行检测，检测结果如表1所示。
[0088]表1
[0089]
[0090]通过测试结果可以看出：
[0091](1)通过实施例1至实施例3可以看出，本发明通过粉末混粉高能混合、HP预合金化烧结、热等静压成型致密化的工艺流程，从源头避免了铸造的“宏观偏析”，通过热力学驱动与动力学控制相结合的粉末冶金策略，制备得到成分均匀、致密度高、结合性能优异、近终形成型的钨硅合金靶材。
[0092](2)通过实施例1至实施例4可以看出，本发明热压的“温压协同”可有效消除孔隙，而当在不同温度下采用同一压力时，其致密度降低，断裂韧性降低;通过实施例1至实施例5可以看出，升温过快导致模具与粉末热膨胀不均，产生裂纹，单质Si尺寸明显增大。
[0093](3)通过实施例1至实施例6、7可以看出，密度过低HIP后粉末密度仍无法致密，密度过高钨硅合金脆性增大会导致材料在包套中发生开裂，无法成型，内部组织均匀性差，因此本发明控制合金压坯的致密度。
[0094](4)通过实施例1至实施例8、9可以看出，本发明通过调整烧结保温时间保证材料组织细腻。
[0095](5)通过实施例1与对比例1可以看出，本发明通过进行高能混合，在混合过程中实现机械合金化，而不采用高能混合而采用真空高速混料机进行混合，制得的合金靶材晶粒粗大，内部组织均匀性差。
[0096](6)通过实施例1与对比例2可以看出，本发明通过热压烧结进行预合金化，制得的靶材组织细小，单质Si尺寸较大，而当不采用热压烧结时，单质Si尺寸明显增大，内部组织均匀性明显变差。
[0097]综上所述，本发明通过粉末混粉高能混合、HP预合金化烧结、热等静压成型致密化的工艺流程，制备得到成分均匀、致密度高、结合性能优异、近终形成型的钨硅合金靶材。
[0098]申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
说明书附图(2)
声明：
“钨硅合金靶材的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：北方有色网
来源：宁波江丰电子材料股份有限公司
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2026年08月06日 ~ 08日 
