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本申请实施例公开了一种车道保持功能失效分析方法、系统、电子设备及存储介质，方法包括：检测车道保持功能的失效场景；当失效场景为车辆在高速路出口且车道保持功能异常时，对车道线进行识别，并得到对车道线的识别类别；当车道线的识别类别为误识别时，分析车辆经过高速路出口时，路面状况对车辆行驶的影响类型以及影响严重程度级别；对于其它的失效场景，分析车道保持功能异常的原因类型。本申请实施例能够根据检测到的数据自动化分析车道保持功能异常时，路面状况对车辆的影响以及严重程度级别，以及分析车道保持功能异常发生的原因，相比原始的主观判断和手动分析，节约了大量时间，且分析结果更加准确。
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本申请一种闪存芯片位线间漏电失效分析的方法，涉及芯片失效分析领域，通过采用非破坏性分析工艺，将FIB切分工艺和奈米级探针量测工艺相结合，在完全不破坏前端工艺所有材料的状况下，直接定位出失效的栓塞处，且其可检测位于栓塞不同位置的桥连(如位于栓塞顶部、中间或其他任何位置处的桥连)，并能够获得较好的TEM样品，以便于后续TEM的精准观测，即在有效提高失效分析的可靠性的同时，还能大大降低失效分析所花费的时间及工艺成本等。
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本发明涉及半导体可靠性分析领域，尤其涉及一种半导体器件失效分析的方法。本发明建立一种针对存储器的失效分析的方法，通过对失效区域及其周围区域的连接通孔进行电压对比分析并对电压对比分析结果剖析，以检测出快闪存储器由于冗余替换的存储区域缺陷经过可靠性测试或实际使用后造成的临近区域的失效问题。在可靠性失效中对冗余替换的信息进行分析，为冗余电路的替换造成的可靠性失效问题提供有力的分析依据，并对可靠性失效率的降低提供了分析及改善的方向。
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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,用以对包含埋入式位线及金属位线结构的存储器芯片进行位线失效分析,每条所述埋入式位线与相应的所述金属位线之间通过多个位线接触窗相连,所述方法包括以下步骤:去除所述存储芯片的金属位线之上的钝化层、互连金属层及层间介质层,暴露出所述金属位线;通过电测试确定存储芯片上相互之间存在短路的两条金属位线,逐段切割其中的一条金属位线,使得该金属位线中连接于相邻位线接触窗的部分之间均被割断;去除存储芯片的衬底及包含在衬底内的埋入式位线,形成检测样片;对所述检测样片进行电势对比成像观测,确定所述短路金属位线的具体失效位置。
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本发明提供一种存储器芯片位线失效分析方法,包括以下步骤:通过机械研磨去除待分析芯片的互连金属层和位线层的大部分;通过机械研磨去除待分析芯片的衬底的大部分;通过湿法刻蚀完全去除待分析芯片的残存的衬底;通过干法刻蚀去除待分析芯片位线接触窗底部的介质层的大部分,保留一薄层的介质层;对待分析芯片的位线接触窗的顶部进行检测,确定位线失效的具体位置。本发明方法可使待分析芯片充分减薄,可直接通过电子显微镜进行观测确定其位线短路失效的具体位置,大大提高了工作效率,节省了时间成本。
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本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对失效芯片进行电性失效分析的方法，通过在CP测试过程中记录芯片的特性参数，在CP测试最后将收集到的芯片特性参数写入安全寄存器内，并使其变为只读状态，以便于在后续的电性失效分析中，能快速高效得到初始CP中芯片的特性参数，因此一定程度上节约人力和测试机台成本，提高后期对芯片的分析效率。
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本发明实施例公开了一种待失效分析样品的制备方法，所述方法包括：提供封装结构，所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂；所述芯片堆叠结构包括基板，堆叠设置在所述基板上方的多个芯片，及用于使所述多个芯片之间，和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线；所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构，所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方；对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤，以切断所述多条导电线，得到所述待失效分析样品。
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本发明提供一种失效分析样品的制备方法及失效分析样品，制备方法包括如下步骤：提供待分析的堆叠封装体，堆叠封装体中设置有多个堆叠的裸片，每一裸片具有设置焊垫的正面及与正面相对的背面，裸片的背面与其相邻的裸片的正面接触，所述裸片的焊垫与其相邻的裸片的焊垫电连接；去除目标裸片背面的其他裸片，至暴露出与所述目标裸片相邻的裸片的焊垫时停止；将暴露的焊垫电学引出，形成用于失效分析的样品。本发明优点是，对目标裸片背面进行去除操作，且利用非目标裸片焊垫作为电连接处，从而避免对目标裸片具有电路器件的正面进行去除操作，保护了正面的电路器件，能够制备出完整无损伤的目标裸片，大大提高了制样成功率，大大降低了制样难度。
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本公开实施例公开了一种失效分析样品的制作方法。所述方法包括：提供待测管芯；其中，所述待测管芯包括相对设置的正面和背面，所述待测管芯的正面通过第一胶层与第一基板之间粘接；将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接；其中，所述第二胶层的固化温度小于所述第一胶层的熔化温度，所述第二胶层的熔化温度大于所述第一胶层的熔化温度；在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯。
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本申请实施例公开了一种透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法，其中，所述透射电镜试样的制备方法包括：在待测结构中确定测试区域；在测试区域中确定待分析结构和待去除结构，所述待分析结构沿第一方向的两端分别与所述测试区域的边缘具有第一预设距离，所述待去除结构位于所述待分析结构沿第二方向的投影区域内，所述待分析结构朝向所述第二方向的侧面与所述待去除结构接触，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角大于0°且小于180°；去除所述待去除结构，并保留在第一方向上位于所述待去除结构两侧的至少部分所述测试区域作为支撑结构，得到透射电镜试样，其中，所述支撑结构与所述待分析结构形成一体成型的至少一个U型支架。
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本发明提供了一种对封装芯片进行测试及失效分析的方法，对封装芯片靠近金球的一面进行第一次研磨，至暴露出所述金球，从而可以采用探测板通过金球对所述封装芯片进行探针测试；对封装芯片靠近硅衬底的一面进行第二次研磨，至暴露出所述硅衬底，从而可以采用红外定位的方法确定封装芯片的失效点，避免了现有技术中高温和化学腐蚀对封装芯片的影响或破坏，提高对封装芯片进行失效分析的准确性及效率。
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本申请公开了一种字线电阻测试方法及三维存储器失效分析方法，其中，所述字线电阻测试方法首先将三维存储器的第一台阶区和第二台阶区的多根通孔连线暴露出来，然后通过在第一台阶区形成连接金属层的方式，将多根字线通过通孔连线和连接金属层连接起来，最后通过在第二台阶区测试每两根待测连线的电阻，并根据测试获得的第一测试电阻、第二测试电阻和第三测试电阻计算三个所述待测连线的电阻，也即得到了与这三根待测连线对应的字线电阻，从而实现了对三维存储器中字线电阻的测量，为对三维存储器进行失效分析奠定了基础。
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本发明公开了一种管芯失效分析方法及堆叠封装芯片失效分析方法，管芯包括衬底以及位于衬底上的器件层，失效分析方法包括：从管芯的背面，即衬底所在面，对管芯中的缺陷进行热点定位；从管芯的背面，去除衬底以暴露目标线路；以及在管芯的背面进行电测量以获得缺陷的信息。堆叠封装芯片包括引线框、堆叠于引线框上的多个管芯、以及覆盖引线框和多个管芯的封装料，失效分析方法包括：对堆叠封装芯片进行电测量以确定故障管芯；若存在未进行失效分析的故障管芯，则重复执行失效分析步骤；失效分析步骤包括：去除引线框、封装料的一部分和/或管芯，直至暴露出首个未进行失效分析的故障管芯的衬底；采用管芯失效分析方法对故障管芯进行失效分析。
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本发明提供了一种半导体测试结构及半导体器件的失效分析方法，通过晶圆键合结构的顶部的测试焊盘和外接焊盘对至少位于所述晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的每个晶圆均进行电性测试，以检测出失效的晶圆；以及，对所述失效的晶圆进行失效分析，以定位出晶圆键合结构中的失效的晶圆中的失效点，使得至少能够测试出晶圆键合结构的顶面晶圆和底面晶圆之间的晶圆是否失效以及测试出失效的晶圆中的失效点，进而使得能够快速且准确的定位多片晶圆键合的结构中的失效晶圆以及失效点，提高了失效分析的效率和成功率。
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本发明提供刀具失效过程实时检测及优化数据分析系统，包括监测模块和失效分析模块；所述监测模块，用于实时获取刀具工作过程中刀具的纹理特征值和温度特征值；所述失效分析模块，用于基于已训练的刀具失效模型对所述纹理特征值和温度特征值进行处理，得到刀具失效状态。通过测试和提取刀具红外信号特征样本，断精度可达到80％以上，有效解决了刀具工作状态难以实时监测与诊断的技术难题，对提高刀具的工作效率以及节能降耗具有非常重要的意义。
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本实用新型公开了一种全手卷雪茄烟支切刀装置，包括设有能容置雪茄烟支的凹槽，凹槽位于底座上，底座上部一侧设有上、下刀座，其特殊之处在于：在所述底座上设有能对放入凹槽的雪茄烟端部至刀片的距离进行测量定位的定位装置，所述定位装置包括沿凹槽长轴方向设置的刻度尺和沿凹槽长轴方向滑动的定位块；所述上、下刀座上分别设有能上下咬合的上、下刀片。该装置稳定可靠，调节方便，烟支有定位块对其进行定位，使得保持烟支长度一致 ，解决了人工剪切定位不准确的问题，采用的圆弧形刀片对被切割的烟支无损伤，切削效果好，能提高产品质量，降低物耗，节约生产成本；且操作容易，提高了工作效率，降低了工人劳动强度。
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本实用新型涉及一种在原有建筑隔震支座上整体置换系统，整体置换系统结构为4个临时小基础分别落在结构基础上，且均分在隔震支座四周，每个临时小基础上放置一个型钢柱，每个型钢柱顶放置一块钢垫板，钢垫板上放置一千斤顶，每个千斤顶上放置另一钢垫块，且每块另一钢垫块与梁底接触，保证受力体系安全可靠；1个油压泵分别与4个千斤顶连接；4个反梁均匀分布在隔震支座上支墩的梁柱节点的四周。本实用新型在隔震支座置换过程中选用顶升支撑、监测、高压水无损射流切割，保证施工过程的安全可控、高效环保、简单快速。
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本实用新型提供了一种无定形激光剥蚀池，包括密闭腔体，腔体由TP罩壳和罩壳底部的底座组成，TP罩壳顶部设有透明观察窗，观察窗上设有氟化钙窗口和局部提取管，底座置有样品定位盘，样品定位盘上表面设有一组定位销沉孔，其中放置有定位销组件，底座侧壁设有载气进气口和载气排气口。本实用新型提供的一种无定形激光剥蚀样品池，内部放置的样品形态和体积自由，能够为样品提供无损分析，与LA‑ICP‑MS联用，可放置任意大小形状的样品而无位置效应；同时，该无定形激光剥蚀样品池可以放置更多的常规样品，减少换样频率，无位置效应，提高分析测试的精准度和工作效率。
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本实用新型公开了一种具备夜间监控功能的电表箱，包括电表箱、柜门、观测窗、磁吸区、散热窗、磁吸挡板、转动支架、监控摄像头、监控主机、辅助拆卸支架，监控主机磁吸吸附在磁吸区，监控主机的转动支架设置有监控摄像头可360°环视监控，磁吸挡板插入监控主机机体减小磁吸强度手动下压辅助拆卸支架使监控主机上端脱离磁吸区完成拆卸，一种具备夜间监控功能的电表箱，本装置设计为传统表箱的监控设备无损安装作业，监控主机磁吸吸附在磁吸区做快速安装，当监控主机需要脱离磁吸区时，手动插入磁吸挡板减小磁吸强度，手动下压握把，握把架体通过转轴驱动支撑转动辊向内侧运动实现监控主机壳体与磁吸区的局部脱离，实现快速拆卸。
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本发明公开了一种S波段多普勒雷达破碎波干扰抑制的方法和装置，属于雷达信号处理领域。本发明在原有S波段多普勒雷达信号处理的基础上，利用经验模态分解方法将破碎波干扰的雷达回波信号分解为多个本征模态函数，根据破碎波信号相对一般海洋回波信号频率较大的特点，对所有本征模态函数中频率较高的分量去除，重构其余的本征模态函数得到破碎波抑制处理后的信号。本发明在实际数据处理中，应用效果很好，在抑制破碎波干扰的同时无损有用信号，处理效果显著，提高了雷达探测精度。
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本发明公开了一种在蛋白纳米笼内部包装外源物质的方法，首先，测出蛋白笼的临界组装浓度，其次，将蛋白笼解聚成寡聚体，用组装缓冲液稀释寡聚体，直至蛋白笼组分的浓度低于临界组装浓度，最后，向寡聚体中加入外源物质并混匀，得到混合物，浓缩混合物直至蛋白笼组分的浓度高于临界组装浓度使组装暨包装发生，纯化即可，本发明利用蛋白笼解聚与组装的可控性及临界组装浓度，通过蛋白笼组分浓度的提高以驱动蛋白笼组装，本发明可灵活选择组装条件，从而保证不影响外源物质的稳定性和活性，实现外源物质的无损包装，本发明可用于不同种类的蛋白笼和外源物质，普适性强，同时，从解聚处理到包装完成仅需6个小时，比传统方法显著省时。
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本发明公开了一种基于D‑LinkNet的低质量文档图像二值化方法，首先将彩色文档图像降维处理为灰度图像；然后对步骤1中获得的灰色图像，进行数据裁剪与扩增，获得统一大小的文档图像；接着将步骤2中获得的文档图像输入D‑LinkNet模型中，训练D‑LinkNet模型；通过反向传播优化损失函数；最后对图像进行测试得到二值化图像；本发明可以有效提取图像文本特征，忽略不重要信息，从而有效分割文本与背景；转移学习可以加速网络收敛，而且可以毫无损失的提升性能；采用扩张卷积可以在增加特征点感受野的同时保持细节信息。
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本发明涉及一种在原有建筑隔震支座上整体置换系统及施工方法，整体置换系统结构为4个临时小基础分别落在结构基础上，且均分在隔震支座四周，每个临时小基础上放置一个型钢柱，每个型钢柱顶放置一块钢垫板，钢垫板上放置一千斤顶，每个千斤顶上放置另一钢垫块，且每块另一钢垫块与梁底接触，保证受力体系安全可靠；1个油压泵分别与4个千斤顶连接；4个反梁均匀分布在隔震支座上支墩的梁柱节点的四周。本发明在隔震支座置换过程中选用顶升支撑、监测、高压水无损射流切割，保证施工过程的安全可控、高效环保、简单快速。
本发明提供一种同时激发纵‑横波的ZnO压电涂层材料的制备方法，包括在基体上依次形成结合层、ZnO压电涂层、保护层和电极层；其中，ZnO压电涂层的制备方法包括：真空条件下，采用Zn靶材或ZnO靶材，通过磁控溅射在所述结合层表面形成ZnO压电涂层；所述磁控溅射中，通入氩气与氧气的混合气体；所述混合气体中，氩气与氧气的流量比为2:1～1:3。本发明还提供一种基于上述制备方法制得的ZnO压电涂层材料，ZnO压电涂层在基体表面呈现不同的取向，具有能够同时被超声波的横波和纵波激发的特性。本发明还提供一种智能螺栓，其表面设有上述ZnO压电涂层材料，能够同时被超声波横波和纵波激发，进而能够简化预紧力计算步骤，易于实现螺栓预紧力的高精度无损测量。
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本发明涉及一种三维结构的细胞捕获及释放芯片，包括上部盖片和下部基片，上层盖片的背面刻蚀有微流沟道，盖片的微流沟道两端分别设置入口和出口，基片上有一层壳聚糖薄膜，盖片和基片通过粘合剂粘合，利用这种结构可以捕获和释放细胞/颗粒，将待测液通过微流控芯片的三维结构通道，通过这种三维结构的高度特性进行捕获特定大小的细胞/颗粒，在捕获完成后通过特定的方法增大三维芯片内部沟道的高度，最终将细胞/颗粒释放。这种细胞的捕获与释放的操作方法方便，响应迅速，对细胞无损害，适用于微米尺度的细胞和颗粒的捕获和释放。本发明的制备方法工艺简单，制备出来的三维结构芯片具有微型化的特点，可广泛的用于分析领域。
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本发明公开了一种排种器台架试验传送带平台，上支架通过角件组安装固定于传送带上部后端；下支架通过角件组安装固定于传送带下部；电机支座通过螺栓组安装固定于传送带下部后端；电机通过螺栓组安装固定于电机支座上；集种装置通过螺栓组安装固定于传送带下部前端；控制箱通过螺栓组安装固定于上支架后端；本发明采用模块化设计，结构简单、方便调节、工作可靠；皮带传输速度和排种器的排种盘转速传动比可调范围大，无油垢无环境污染，种子可回收并重复利用，传送带表面为毛绒布料，使种子能轻柔落于表面且无弹跳、无损伤，有利于相邻种子间距离的测量；整机可实施排种器排种功能的精确试验作业，模拟播种机田间作业，提高种子粒距合格率。
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本发明属于功能材料领域，具体涉及一种高电致应变无铅陶瓷纤维及其制备方法。所述制备方法为：采用水热合成法制备铁酸铋前驱体；取钡源、钙源、钛源、锆源化合物及铁酸铋前驱体，球磨后烘干、预烧结、二次球磨制成(1‑x)BZT‑xBCT‑yBF陶瓷粉体；将陶瓷粉体加入到聚乙烯醇溶液中，经造、烧结后，制得陶瓷块体；采用机械切割法将陶瓷块体切割成陶瓷纤维。本发明制备所得(1‑x)BZT‑xBCT‑yBF陶瓷纤具有维致密度高、压电性能高、电致应变大、介损低、灵敏度高等优点，能极大拓展压电纤维在能量采集、结构驱动、水声换能、超声以及无损探测等领域的应用。
本发明提供了一种基于RTDS与RTLAB联合实时混合仿真的接口数据传输方法，在实时仿真器RTDS内建立机电暂态模型，在实时仿真器RTLAB内建立电磁暂态模型；对所述机电暂态模型和电磁暂态模型进行解耦，基于无损传输线的贝杰龙暂态模型对获取的传输线的线路参数进行处理，根据计算出等值阻抗搭建机电系统和电磁系统的等值电路，形成实时仿真器RTDS和实时仿真器RTLAB联合实时混合仿真的接口电路；机电暂态模型和电磁暂态模型分别测量并发送本侧的数据到对侧，并接收对侧发送的数据。本发明的有益效果是：扩大了仿真规模，采用并行处理提高了仿真的效率，保证了混合仿真的实时性、同步性、可靠性及仿真结果的精确性。
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本发明提供了一种无定形激光剥蚀池，包括密闭腔体，腔体由TP罩壳和罩壳底部的底座组成，所述TP罩壳顶部设有通孔，通孔边缘设有包边，透明观察窗嵌在TP罩壳顶部的包边内，观察窗上设有氟化钙窗口和局部提取管，底座置有样品定位盘，样品定位盘上表面设有一组定位销沉孔，其中放置有定位销组件，底座侧壁设有载气进气口和载气排气口，样品定位盘下方和底座的凹陷均设有磁铁。本发明提供的无定形激光剥蚀样品池内部放置的样品形态和体积自由，能够为样品提供无损分析，与LA‑ICP‑MS联用，可放置任意大小形状的样品而无位置效应，并且可以放置更多的常规样品，减少换样频率，无位置效应，提高分析测试的精准度和工作效率。
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