本发明公开了一种钨细泥中金属分离的方法，属于钨冶炼技术领域，将钨细泥中加入盐酸，加入氧化剂与分散剂，过滤得到固相粗钨酸和液相废酸；将固相粗钨酸中加入理论量1.05‑1.15倍的氢氧化钠和复合活化剂，过滤得到钨酸钠溶液和铜锡渣；将铜锡渣造粒氧化得到氧化料，加酸得到粗氯化铜溶液和锡富集渣；向粗氯化铜溶液中加入硫化铵，过滤得到氯化铜溶液，电解得到电解铜；向锡富集渣中加入稀硫酸和氟化镁，过滤得到富锡料。

白钨矿粉体回转窑是我公司科研所在20多年从事粉体设备研发经验的基础上，根据多年来用户使用粉体设备的实际情况，针对粉体行业发展的需要，潜心开发出的具有国际领先技术水平的新型产品。该机适用于各种化工粉体。

铁铝钒钨合金材料薄膜涂层，可将温差发电的热电优值系数(ZT值)指标翻倍提升，有望在未来应用到发电、医疗、便携式电子设备、甚至物联网等领域。温差发电是通过在热电材料两端施加温度差实现发电的一种方法。这种以热电材料为核心的热电转换技术可不依靠任何外力将“热”与“电”两种不同形态的能量直接转换，在发电、医疗、智能设备、军事、高科技等领域拥有极大的应用前景。然而，受限于过低的效率，热电技术的应用一直局限于温度测量、太空、军事、野外等少数特殊的领域。

碳化钨颗粒是以高纯钨粉(W，纯度≥99.95%)和纳米碳黑(C，纯度≥99.9%)为原料，通过 原位碳化反应-喷雾造粒-烧结破碎 工艺制备的超硬耐磨材料，化学组分以WC为主相(占比>98%)，可选配Co/Ni/Cr粘结相(5-20 wt%)，粒径范围0.2-100 μm(聚焦主流1-45 μm)，维氏硬度2200-3000 HV(努氏压痕法验证)。其兼具极端耐磨性(三体磨耗<0.1 mm³)、高温红硬性(1000℃硬度保持率>85%)及化学惰性(耐酸碱/熔融金属侵蚀)，专用于硬质合金刀具、耐磨涂层、石油钻齿及核反应堆抗辐照部件。

钽钨合金靶材采用电子束精炼钽锭(≥99.95%)与高纯钨粉(≥99.97%)，通过等离子旋转电极+热等静压(HIP) 工艺制备的超高温合金靶材。

本发明属于钨铜复合粉体技术领域，具体涉及一种高活性高振实密度钨铜复合粉体、制备方法及用途。步骤如下：将微米级三氧化钨与微米级铜粉混合，得到混合料；混合料在回转炉中进行慢速动态预还原，得到一次还原料；一次还原料采用干燥氢气进行充分还原，得到还原粉；还原粉等静压成型为块体，块体经破碎得到破碎粉；破碎粉经低温预烧结后进行筛分。本申请通过湿氢预还原、二次还原、等静压后破碎处理以及低温预烧结等工艺设计，制得由晶粒度分别为0.3~0.5μm、1~2μm的钨和3~6μm的铜组合而成的有核壳结构的复合粉末

WTe2拥有大多数二维材料所具有的性质,还具有优良的非饱和巨磁阻的特性。WTe2既是一种二维拓扑绝缘体,又是超导体,可以通过外场的调控实现两种不同电子状态之间的切换。二碲化钨磁阻材料常应用于信息存储技术和磁传感器制造技术。

钨酸钙是一种性能优越的无机闪烁材料，具有密度大、发光效率高、抗辐照能力强、无潮解等优点。钨酸钙发光薄膜在分辨率、对比度、均匀性、热传导性、释气速率、与基底的附着力等方面都具有较强的性能。

氧化钨颗粒是以 高纯钨粉(≥99.95%) 或 APT(仲钨酸铵) 为原料，经 等离子氢还原、 可控氧化 或 化学气相沉积(CVD) 制得的蓝黑色/深灰色亚化学计量比颗粒(氧空位浓度 10²⁰–10²¹ cm⁻³)。其核心价值在于 缺陷可编程性、 多价态氧化还原(W⁶⁺↔W⁴⁺) 及 热/电致变色特性，专用于 智能窗电极、 锂电快充负极、 红外隐身材料 及 高效电催化剂。通过 晶格应变调控、 异质原子掺杂 及 纳米结构设计，突破导电性与循环寿命瓶颈。

钨硅靶材采用电子束熔炼钨粉(≥99.995%)与半导体级多晶硅(≥99.9999%)，通过反应等离子烧结(RPS)+热等静压(HIP)工艺制备的超高温互连功能靶材。

钨铟锌锡靶材(WInSnSe)是以高纯钨(W)、铟(In)、锡(Sn)及硒(Se)为原料，通过机械合金化与真空热压烧结技术制备的四元硫族化合物靶材，纯度≥99.98%，密度≥6.8 g/cm³。其具备宽光谱吸收(0.8-1.5 eV可调带隙)、高热电优值(ZT≥0.8 @500K)及柔性兼容特性，适配磁控溅射、化学气相沉积(CVD)等工艺，用于沉积柔性光伏薄膜、红外探测器及热电转换器件功能层。

钨镓锌硫靶材(WGaSnS)是以高纯钨(W)、镓(Ga)、锌(Sn)及硫(S)为原料，通过等离子体活化烧结(SPS)与元素梯度掺杂技术制备的四元硫属化合物靶材，纯度≥99.97%，密度≥5.6 g/cm³。其具备宽光谱响应(带隙1.2-2.0 eV可调)、高载流子迁移率(≥150 cm²/(V·s))及优异环境稳定性(耐湿性>85% RH)，适配磁控溅射、原子层沉积(ALD)等工艺，用于沉积高效光伏薄膜、宽波段光电探测器及透明导电电极。

本靶材采用纳米级钨粉(≥99.995%)与氢化脱氢钛粉(≥99.98%)经 等离子旋转电极制粉(PREP)→ 热等静压扩散键合(HIP-DB)→ 磁控结构集成 工艺制备的 高端半导体与防护涂层核心材料。

山东威力重工 YW79-630T/800T 钨钢粉末成型液压机**是硬质合金粉末专用高压成型设备，630 吨适配小型钨钢坯量产，800 吨满足大尺寸、多型腔高密度压制需求。整机四柱刚性结构，搭载数控精准调压系统，可稳定控制粉料成型密度，压制坯体密度均匀、无分层开裂。设备配套自动送料、浮动模架结构，适配钨钢刀具、磁材、粉末冶金、特种陶瓷、刹车片等制品加工，自带过载防护、行程限位多重安全装置，支持 24 小时连续批量生产，可搭配自动化产线，广泛用于硬质合金厂、新材料、汽配、机械加工行业，支持台面、压力、行程非标定制。

二硼化钨(通常指标称 WB₂ 靶材，实际沉积 W–B 复相膜，含 WB + W₂B₅)薄膜用途和 TiB₂/ZrB₂/TaB₂ 有区别——它钨含量高、密度大、耐 Plasma 侵蚀强，主打硬质保护 + 耐离子轰击电极/面对材料。

本发明涉及一种钨硅合金靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将钨粉和硅粉进行高能混合，使粉体发生机械合金化，得到预合金粉末；（2）将步骤（1）所述预合金粉末进行热压烧结，得到合金压坯；（3）将步骤（2）所述合金压坯装入包套后，依次进行包套焊接处理、脱气处理以及热等静压处理，去除包套后得到所述钨硅合金靶材。

铬钨合金靶材是以高纯铬、钨为原料，经过精细的磨粉，混粉和高温压制得到的，该靶材密度高、成分均匀，晶粒细小，由于采用了热等静压工艺，所以可以制造较大尺寸的靶材，实现靶材尺寸的大型化。由于该靶材沉积的涂层具有高硬度、高耐电压强度、低截流值等特点，用于电极触头材料等镀膜领域，可替代纯钨的薄膜材料。

铬铝钨靶材是一种由高纯铬、铝、钨原料，经过仔细磨粉、混粉、高温压制得到的，采用该方法得到的靶材密度高，成分组织均匀，纯度高，晶粒细小。使用该靶材反应溅射得到的涂层，表面光滑，沉积速率快，与基底结合好，可应用于电极触头材料等镀膜领域，制备具有高硬度、高耐电压强度、低截流值、可替代纯钨的薄膜材料。

在全球关键矿产博弈持续升温的背景下，韩国正加速推进稀有金属供应链的自主可控。据《日本经济新闻》7月4日报道，韩国时隔32年恢复了钨矿开采。全球领先的矿石开采公司阿尔蒙蒂工业公司于今年3月在韩国东部江原道宁越郡正式重启钨矿开采，这是自1994年因与中国产品的价格竞争失败关闭矿山以来，首次恢复生产运营，标志着韩国在关键矿产供应链多元化战略上迈出了实质性一步。

钴铬钨合金靶材是具有密度高和平均晶粒度小的高纯度薄膜靶材，是一种能耐各种类型磨损和腐蚀以及高温氧化的硬质靶材。钴铬钨靶材是以钴作为主要成分，含有相当数量的铬、钨合金元素的一类靶材。根据其中成分不同，它们可以制成焊丝，粉末用于硬面堆焊，热喷涂、喷焊等工艺，也可以制成铸锻件和粉末冶金件。