二硼化钨(WB2)靶材基本信息
分子式：WB₂
纯度：99.5%
CAS号：12007-01-1
摩尔质量：205.66 g/mol
密度：10.8–12.7 g/cm³
熔点：分解/共存 ~2900–3100℃
沸点：
溶解性(水)：不熔
二硼化钨(WB2)靶材产品概况
二硼化钨(WB₂ 名义，W–B 复相)基本性能
① 基本标识
项目 内容
常用标示 WB₂(名义二硼化钨)，实际烧结/商用靶材多得 WB + W₂B₅ 复相(W–B 相图无宽 WB₂ 单相区)
CAS(参考) WB₂ 文献用 12007-01-1;W₂B₅：12007-29-3
分子量(WB₂ 计量) 205.66 g/mol
晶体结构 六方 AlB₂ 型衍生(WB₂ 近似)/ 正交(W₂B₅);a≈3.03 Å，c(WB)≈16.9 Å，(W₂B₅)六方 c≈11.0–11.4 Å
理论密度 ~11.0–12.0 g/cm³(依相，平均 ~11.5 g/cm³，仅轻于 TaB₂)
② 热学性能
项目 数值
熔点/分解 WB ~2860℃;W₂B₅ 分解 ~3100℃;名义 WB₂ 配料烧结至 ~2900–3100℃ 共存
导热系数 30–60 W/(m·K)(室温，低于 TiB₂/ZrB₂)
热膨胀系数 (CTE)(4–5)×10⁻⁶/K(25–1000℃)
空气中抗氧化上限 ~900–1000℃(→ WO₃ + B₂O₃)
真空/Ar 使用上限 长期 ≤1800℃;短时 ~2200℃
③ 力学/物理性能
项目 数值
维氏硬度(HV) 25–35 GPa(高硬，近 TiB₂)
弹性模ulus(E) 550–620 GPa
断裂韧性(K_IC) 3.5–5.0 MPa·m¹ᐟ²(W 金属增韧效应，略优于 ZrB₂)
泊松比 ~0.18–0.21
④ 电学性能
项目 数值
电阻率(室温块体) 15–40 µΩ·cm(金属性，W 主导)
Seebeck 小负(n‑型金属行为)
超导 Tc 极弱(W 基，无实用 Tc)
⑤ 化学性能
项目 说明
水/稀酸(HCl/HNO₃) 不溶
HF 可溶(W⁶⁺ → [WF₈]²⁻ / [WF₇]⁻ 配位)
热浓 H₂SO₄/HNO₃ 缓慢氧化分解
熔融 NaOH/KOH 分解(碱熔)
粉吸湿 弱(比 ZrB₂ 粉好)，但 B 组分可表氧化→控 O
二硼化钨(WB2)靶材产品应用
二硼化钨(通常指标称 WB₂ 靶材，实际沉积 W–B 复相膜，含 WB + W₂B₅)薄膜用途和 TiB₂/ZrB₂/TaB₂ 有区别——它钨含量高、密度大、耐 Plasma 侵蚀强，主打硬质保护 + 耐离子轰击电极/面对材料，具体如下：
① 硬质/耐磨/抗冲蚀保护膜
显微硬度 HV 25–35 GPa，膜致密时对基底有良好耐磨、抗微冲蚀能力
可用于切削刀具、微型模具、高精度机械零件表面 W–B 基硬质膜或 WB₂/TiN 多层膜
比 TiB₂ 韧性略好(W 金属相增韧)，但内应力大，通常膜厚 ≤2 µm
② 耐 Plasma / 离子轰击侵蚀膜(重要特色)
W 基高熔点 + B 增强硬度 → 极低溅蚀率，优于 Ta、Ti 基膜 in 高能 Plasma / 反应性气体环境
用于：
半导体 Etch/CVD 腔室内部件(模拟件/小件)耐 Plasma 涂层
聚变装置/粒子探测器第一壁候选涂层材料(研究级)
这是 WB₂ 膜相比 TiB₂/ZrB₂ 最具差异化优势的方向
③ 高温/腐蚀环境电极膜
电阻率 15–40 µΩ·cm(膜致密度依赖)，可作：
真空/熔盐/惰气环境高温加热器电极
溅ter 系统内局部加热电极(耐阳极化/离子轰击)
优于 Cu/Au/Pt 在含卤素/硫/硼 气氛中耐蚀
④ 扩散阻挡层研究(小众)
W–B 膜热稳至 ~900–1000℃(真空)，可作 Cu/Al–Si 间高温阻挡层备选(研究阶段，量产仍 TaN 为主)
198 
咨询底价
贵州 - 贵阳
2026年08月06日 ~ 08日
