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钨硅合金靶材(WSi)

钨硅合金靶材(WSi)

浏览量 235
规格/型号:暂无
品牌:科泰
应用领域:材料
产地:江西 - 南昌
厂家/供应商:江西科泰新材料有限公司
咨询电话::19170716858(请说明信息源自“北方有色网”)
更新时间:2026-07-16
级别:待认证

钨硅合金靶材(WSi)说明介绍

钨硅合金靶材

钨硅合金靶材(WSi)基本信息

分子式: WSi

纯度: 99.9%

钨硅合金靶材(WSi)产品概况

钨硅靶材采用电子束熔炼钨粉(≥99.995%)与半导体级多晶硅(≥99.9999%),通过反应等离子烧结(RPS)+热等静压(HIP)工艺制备的超高温互连功能靶材。核心特性包括:

•纳米晶相调控(Si 15-40at.%精准可控,WSi₂相占比≥95%)

•原子级扩散壁垒(W/Si界面过渡层 ≤1.2nm)

•超低氧污染(O<15ppm,C<8ppm,金属杂质<0.1ppm)

•极端热稳定性(熔融硅中溶解度 <0.001wt.% @1500℃)

•在磁控溅射中实现膜层接触电阻 ≤3.5μΩ·cm²**,抗电迁移寿命**>10⁷h@3MA/cm²**,突破3nm芯片互连技术极限。

核心价值源于硅化物纳米屏蔽效应

➊ 芯片级互连性能

•超低界面电阻(Co/wSi,势垒高度 ≤0.12ev)

·量子隧穿抑制(漏电流密度 <10-"A/cm'@0.5V)

➋ 极端工艺耐受

•抗原子层蚀刻(ALE工艺选择比 **>100:1 vs.SiO,**)

•热预算兼容性(耐快速热退火 ≤1200°C/1ms)

➌ 量子级热管理

•热膨胀精准匹配(CTE:4.2x10-6/K,匹配Si±5%)

•声子输运调控(界面热导 **>120MW/m²K**)

钨硅合金靶材(WSi)产品应用

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。

◉ 3nm以下逻辑芯片

▸ GAA晶体管接触孔填充(电阻均匀性 σ<2%)

▸ 背面供电网络(BDN)通孔(深宽比 **>20:1**无空洞)

◉ 高端存储芯片

▸ DRAM存储节点隔离层(漏电抑制 **>1000倍 vs.TiN**)

▸ 3D NAND阶梯接触孔(台阶覆盖均匀性 **>95%**)

◉ 功率半导体器件

▸ SiC MOSFET肖特基接触(耐压强度 **>1700V**)

▸ GaN HEMT场板金属化(热阻 <0.5K·mm/W)

◉ 量子计算芯片

▸ 超导量子比特屏蔽层(微波损耗 <10⁻⁶光子/脉冲)

▸ 自旋量子比特电极(磁噪声 <1nT/√Hz)
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