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滑道式PECVD系统由PT-1200T管式炉加热系统、真空系统、质量流量计供气系统、等离子射频电源系统组成。广泛应用于沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。
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广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合，可以对多种气体进行准确的混气，然后导入到管式炉内部。炉管两端安装真空法兰，可以通过选配真空泵组来实现更高的真空度。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。为取得最快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。
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该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验，如半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
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该设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
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慢走丝线切割(Slow Wire EDM)是一种电火花加工技术，用于通过放电腐蚀方式进行金属材料的切割和加工。它通过在导体表面产生高频脉冲电流，将导线作为电极，并以缓慢速度穿过待加工的材料，从而实现对材料的精确切割。
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产品简介：产地：国产，控制形式：数控，DK7763B全闭环中走丝线切割采用光栅电子尺跟踪、显示，金属线材切割过程中自动进行补偿。具有快速定位功能。
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该机属电火花加工设备。采用铜管作为电极，由导向器导向，在电极与工件之间施加高效脉冲电源，加工时主轴带动电极在伺服系统控制下作伺服进给，在电极与工件之间产生脉冲高频放电，有控制地蚀除工件。加工中，高压水质工作液从电极的内孔中喷出，对加工区域实施强迫排屑冷却，保证加工的顺利进行。
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2025年12月26日 ~ 28日 
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