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MTI系列加热平台是专为材料加工及材料研究实验室而开发，采用铝材质整体铸造，单片机作为核心控制部件，升温速度快，控温精准，温度高低可调，使用完毕后散热速度快。MTI系列加热平台主要适用于加热时不会发生性质和性状改变的材料，即不受加热影响的材料，尤为适用于对温度敏感材料（如晶体、半导体、陶瓷、金属等材料）的加热。也可用于实验室做化学分析、物理测定、热处理时进行物品的烘焙、干燥以及其它温度试验加热。设备结构简单操作方便，是实验室进行加热用的合适工具。
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1700℃三温区高温真空管式炉GSL-1700X-Ⅲ采用三个数字温度控制器进行独立控温，可设置30段升降温程序，中心加热区采用800℃级硅钼棒加热，另外两个温区采用硅碳棒进行加热，调整三个温区的温度，可形成一个温度梯度，进行功能材料的制备。同时，本机也适用于CVD法制作薄膜外延生长。
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带滑动法兰三温区CVD系统OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加热至1200℃，并通过调整三个温区而建立不同梯度的热场，可进行退火、扩散、在不同气氛中烧结样品及CVD等实验。
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1000℃卧式马弗炉炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件，且均匀地分布六面墙体，有效的保证了温场的均匀性。测温采用性能稳定、长寿命的“S”型热电偶，以提高控温的精准性。
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GSL-1100X-50-LVT 是一款已通过CE认证的1100℃分体式真空管式炉. 标配内包含KF25 转接口、 进口数显真空计 、双旋片机械泵 、 油雾过滤器,另外配有OMEGA 测温仪及K 型热电偶 一套, 可将K型热偶从左端法兰安装于炉管内部从OMEGA测温仪上读取样品实时温度. 30段可编程温度控制仪，可按不同客户的实验要求设置所需要的升温速率，控温精度±1℃.炉体在加热过程中真空不能高于1E-2 Torr使用，否则容易造成炉管的损坏。
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混气系统4路质子GSL-4Z是用于控制一种到四种的气体流经真空密封的管式炉，这种气体控制系统安装在移动架内，管式炉可以放在移动架上面，气体控制系统的前面板上有控制并显示气体流量的调节阀，可以用于CVD系统及退火炉，用来研究气体环境对材料的影响，在半导体和集成电路工业、特种材料学科、化学工业、石油工业、医药、环保和真空等多种领域的科研和生产中有着重要的作用，广泛应用于电子工艺设备，如扩散、氧化、外延、CVD、等离子溅射以及镀膜设备、光纤熔炼、混气配气系统及其它分析仪器。
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高真空钽加热炉是高温电阻加热炉。以钽为加热元件，适用于高真空状态下对金属、非金属及其化合物进行烧结、熔化，也可以对小型样品进行真空钎焊的操作，如硬质合金、镍基合金、粉末冶金、镍钴合金、合金钢、不锈钢、稀土钕铁錋等。高真空钽加热炉极限工作温度为2000℃，工作最高温度1800℃，工作过程中的加热速度可以通过温控表进行设置，但升温速度过快会使钽炉胆的寿命会有所降低，为了延长炉子的使用寿命，推荐每分钟的升温速度为20℃，在500℃以下可以适当加快升温速度。
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