安徽有色金属材料制备及加工设备

立式真空管式炉 1520     

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1200℃开启式迷你真空管式炉炉体小巧，升温速皮快，该设备经过特殊设计，炉体为立式结构。内置刚玉管可以单独进气，可使样品正负极在不同的气氛条件下实验。上下两端均预留刚玉管和法兰，样品可置于两根刚玉管中间，样品两端可实现下同的气氛环境，电控部分和炉体分离，延长电子元器件使用寿俞。

高真空管式炉制样台 1384     

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设备简介： 该设备用于对样品中残余汞蒸发、过滤，整个系统由蒸发装置、冷凝装置和真空系统三部分组成。加热系统分低温和高温加热两种，可对不同样品处理。冷凝装置为二级冷凝设计，确保对汞蒸气充分冷凝过滤，真空系统可对两套系统同时抽真空，可可独立处理。

双融区区融设备 1481     

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该区域熔融炉设计为有机材料或无机材料区域融化提纯使用，炉体加热区长度60mm，高精度电机经过PLC控制以缓慢平稳的速度推进，行进速度可调， 最高使用可达600℃，设备采用双层风冷结构，壳体表面温度<60℃，保温材料为超细氧化铝纤维，节能环保，温场匀性良好。 立式结构设计，可使样品在区熔纯化过程中处于垂直状态。相较水平状态，可避免重力影响，有利于金属样品处理。

薄膜材料连续生长专用设备 1620     

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该设备为我司研发用于薄膜材料连续生长专用设备或薄膜材料连续热处理使用，该设备配备真空系统，气体流量控制系统，可实现多种实验调整，同时具有一定的产能要求。真空腔室内采用动密封，确保系统在真空或气氛保护条件下工作，适用于连续生长等工艺要求。

碳纤维连续热处理设备 1516     

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该设备可用于线性材料如碳纤维联系热处理使用，该设备由两台1200系列热处理系统和1台1700系列热处理系统组成，并配有三路质量流量控制器，线性材料收放系统，张力装置以及纤维走线滚轮装置，可实现在不同温度，走线速度，不同张力和不同气氛条件工作，同时具有一定的产能要求。炉管两端安装有七连法兰，可保证材料在高温条件下不收外接环境影响。

高温管式炉CVD系统 1434     

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1400℃高温管式炉广泛用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境。该设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，法兰以卡箍密封，安装拆卸简便快捷，是各大材料实验室必备的理想设备之一。 1、保温材料采用真空吸附成型的纯氧化铝纤维无机材料，不含污物，洁净，美观。 2、采用模糊PID控制精准控制，温场均匀，烧结成品一致性好。 3、炉体采用双层风冷机构，炉子烧到最高温度时，壳体表面温度低于60度。 4、炉膛材料：高纯氧化铝多晶纯纤维，不参氧化铝粉，洁净节能。

双工位区域除杂装置 1469     

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该区域熔融炉设计为金属材料或半导体材料区域融化提纯使用，炉体加热区长度100mm，高精度电机经过PLC控制以缓慢平稳的速度推进，行进速度可调，最高使用可达1100℃，设备采用双层风冷结构，壳体表面温度＜60℃，保温材料为超细氧化铝纤维，节能环保，温场均匀性良好。 立式结构设计，可使样品在区熔纯化过程中处于垂直状态。相较水平状态，可避免重力影响。有利于金属样品处理。该设备设计为双工位结构，炉体可垂直或者水平工作状态。两台区熔工位通过管道和真空系统相连。

小型混合箱式管式炉 1438     

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LFM1100C-1-H是一款小型混合箱式/管式炉，作为单纯的箱式炉可对样品在空气环境下进行热处理，作为管式炉可对样品在真空或气氛保护环境下进行热处理，以电阻丝为加热元件,采用K型热电偶和30段可编程温度控制器,炉膛采用高纯氧化铝纤维材料，最高温度能达到1100度，可连续温度1000度,控温精度+1度,该炉具有体积小、重量轻、升降温度速度快、节能等优点。此设备还可放置到手套箱内在真空和可控气氛下烧制样品，是高校、科研院所、工矿企业做高温烧结，金属退火、质量检测用的产品。

立式真空管式炉 1427     

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VT系列开启式立式真空管式炉采用硅钼棒进行加热，专门设计针对于材料在真空或气氛保护环境下对材料进行烧结，采用双层壳体结构，使得壳体表面温度小于60℃，高纯度氧化铝纤维作为炉膛保温材料，不含污物，洁净，美观。采用模糊PID控制精准控制，温场均匀，烧结成品一致性好。主要应用领域如碳纳米管生长，陶瓷烧结退火，单晶生长等。

定制坩埚炉 1444     

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LFM1200C 600D500井式坩埚炉，集控制系统与炉膛为一体。其炉膛保温材料采用整体真空吸附成型，程控镶嵌电阻丝。该设备采用上开启式结构，取放样方便。超大口径能操作较大直径和尺寸的样品，炉上盖安装有有提升机构，开启前先将炉盖整体上移，再手动开启，炉膛底部配310S承重台，整体承重150kg，可放置发样品加热。

双温区回转管式炉 1472     

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炉管可360度旋转，管内壁有石英挡片帮助粉料翻转有助于烧结的更均匀，可左右大角度倾斜，方便出放料。专业应用于电池正负极材料、无强酸碱性粉体材料、颗粒状物料的实验室煅烧及干燥，用户可根据所要烧制的材料选择在真空下或气氛保护下进行烧制。

大口径水平坩埚炉 1415     

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大口径水平坩埚炉，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件。测温采用性能稳定、长寿命的“K”型热电偶，直接和式样接触，以提高控温的精确性。它是专为高等院校﹑科研院所及工矿企业对金属，非金属及其它化和物材料在气氛或真空状态下进行快速烧结﹑融化﹑分析而研制的专用设备。大口径的石英炉腔和真空密封法兰系统，可以在流动气氛和真空状态下快速加热样品，能很好的代替真空箱式炉。法兰安装观察窗，炉体的控制面板配有智能温度调节仪，控制电源开关、主加热工作/停止按钮，工作指示灯

高真空机组 1540     

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LVU-110分子泵真空系统如图所示，采用分子泵作为主工作泵，机械泵作为分子泵前级真空泵，真空泵内部已配有隔断放气装置，主要由连接管道、分子泵、机械泵构成，通过标准配件连接，全部采用不锈钢材料，电抛光处理。该系统设计具有预抽功能，系统的面板有数显复合真空计，以便随时观察和控制本系统的工作状态。分子泵和机械泵之间配有电动压差阀，断电后，压差阀自动关闭，避免对分子泵产生影响。

石墨烯生长专用设备——双温区滑轨CVD系统 2014     

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滑轨式快速升降温炉是专为生长薄膜石墨烯研制的，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。

真空井式坩埚炉 2829     

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BTF-1200C-VF真空井式坩埚炉,集控制系统与炉膛为一体。其炉膛保温材料采用整体真空吸附成型，程控镶嵌进口电阻丝。超大口径的石英炉腔和真空密封法兰系统，可以在流动气氛和真空状态下快速加热样品，能很好的替代真空箱式炉。

晶体材料：掺铁钛酸锶（Fe:SiTiO3） 3883     

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简介：掺铁钛酸锶（Fe:SiTiO3）与钛酸锶单晶有着相似的结构，目前我们可以提供0.005%、0.05%等掺铁浓度的单晶基片。

晶体材料：PMN-PT 3243     

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铌镁钛酸铅[（PbMg0.33Nb0.67O3）1-x:（PbTiO3）x ]具有优异的压电性能、非线性光学性能和热释电性能，是成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件（例如：红外探测器）的核心材料。

晶体材料：钇铝石榴石（YAG） 3593     

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钇铝石榴石（YAG即Y3Al5O12）是一种新型基片和紫外及红外光学窗口材料，适用于高温和高能领域。YAG在2～3μm范围内没有跟踪吸收，然后玻璃由于强的氢氧键在该范围内被充分吸收。YAG晶体的机械化学性能稳定，类似于蓝宝石，但它又没有双折射，且具有很高的光学均匀性。

晶体材料：铝酸镧（LaAlO3） 3565     

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铝酸镧（LaAlO3）单晶是当前非常重要的大尺寸高温超导薄膜基片单晶材料。它对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极好的衬底材料，介电常数较低，微波损耗小，适用于制作高温超导微波电子器件（例如：远程通讯中的高温超导微波滤波器等）。

晶体材料：金属铜单晶（Cu） 3204     

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晶体材料：金属铜单晶（Cu） 简介：金属铜单晶（Cu）被广泛用于基质金属，合金薄膜材料和生物材料。

晶体材料：氧化镁（MgO） 3750     

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氧化镁（MgO）被广泛应用在制作铁电薄膜、磁学薄膜、半导体薄膜、光电薄膜等。由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，并且能得到大面积的基片，所以也是重要的高温超导薄膜单晶基片之一。可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。