本发明涉及光电子材料技术领域,公开了一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法,包括如下步骤:(1)多晶原料的制备:将
碳酸锂和氧化铌原料混合烧结后压块破碎,得到多晶原料;(2)晶体的生长:将多晶原料放入位于多层温场中的铂金坩埚内,采用提拉法进行晶体生长,经过引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱后得到多畴晶体;(3)晶体的退火和极化:将多畴晶体埋入多晶原料中,进行退火和极化,得到所述8英寸铌酸锂晶体。本发明晶体生长过程中采用多层温场,保证温场均匀无突变,避免晶体多晶和开裂,晶体生长更容易控制;采用埋粉法退火极化,晶体不易开裂;制备多晶原料时进行多次混合烧料,可以确保晶体居里温度稳定。
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