本发明提供了一种c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制 备方法,该方法是采用脉冲激光沉积,以非晶SiO2薄膜作为缓冲层在硅单晶衬底上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜,其步骤如下:首先采用热氧化技术在硅衬底上生长出非晶SiO2薄膜;然后以氧化后的硅为衬底,以等化学计量比LiNbO3多晶陶瓷或富锂LiNbO3多晶陶瓷为靶材,放入脉冲激光沉积设备的真空室中,靶材与衬底之间距离在3-5cm,通入高纯氧气进行沉积,氧压保持在10-50Pa,激光频率在1-7Hz,沉积温度在500℃-650℃,生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜。本发明方法制备工艺简单,所得LiNbO3晶体薄膜具有良好的c轴择优取向性。
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