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c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法

806   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:57:58
本发明提供了一种c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制 备方法,该方法是采用脉冲激光沉积,以非晶SiO2薄膜作为缓冲层在硅单晶衬底上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜,其步骤如下:首先采用热氧化技术在硅衬底上生长出非晶SiO2薄膜;然后以氧化后的硅为衬底,以等化学计量比LiNbO3多晶陶瓷或富锂LiNbO3多晶陶瓷为靶材,放入脉冲激光沉积设备的真空室中,靶材与衬底之间距离在3-5cm,通入高纯氧气进行沉积,氧压保持在10-50Pa,激光频率在1-7Hz,沉积温度在500℃-650℃,生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜。本发明方法制备工艺简单,所得LiNbO3晶体薄膜具有良好的c轴择优取向性。
声明:
“c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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