本发明属于
石墨烯制备技术领域,具体涉及等离子辅助制备高导电石墨烯金属
复合材料的方法及装置。所述方法包括:于等离子体条件下在若干金属基材上分别生长石墨烯,再热压成型,石墨烯生长和热压成型在相连通的腔室内完成。所述装置包括:等离子体辅助分解腔室,连通有进样室和热压腔室,且位于进样室和热压腔室之间;进样室设置有进样机构,离子体辅助分解腔室设置有等离子体发生器和第一加热机构,热压腔室设置有预压辊、热压机构和第二加热机构;及气路机构。本发明中,等离子体发生器能够加速碳源裂解,催化碳源裂解,促进石墨烯多层成核及生长,增加石墨烯生长层数。
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“等离子辅助制备高导电石墨烯金属复合材料的方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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