江苏苏州有色金属失效分析技术理论与应用

半导体芯片的失效分析方法 1004     

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本发明公开了一种半导体芯片的失效分析方法，包括：切割半导体芯片制备具有横截面的样品；对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品；配置化学染色液；将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理；对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品；将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影，进行失效分析。本发明在对样品进行研磨抛光之后，还采用化学染色液对样品表面进行化学处理，最后才使用扫描电子显微镜对掺杂物分布和结面轮廓进行二维描述，并且能够以较高的空间分辨率精确描绘掺杂剖面，从而可以对样品的失效节点进行详细而准确的分析。

半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法 761     

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本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法，所述综合分析方法包括：（Ⅰ）采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位；（Ⅱ）采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断，判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染，还是等离子体诱导损伤；（Ⅲ）如果失效机理模型是杂质污染，则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查；随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析，能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型，以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。

三维存储器失效分析样品制备方法 740     

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本发明涉及集成电路的失效分析技术领域，且公开了一种三维存储器失效分析样品制备方法，包括以下步骤：步骤一、对封装进行电测试，根据电测试结果确认失效位置，并记录下失效的log，使用封装开封技术去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本发明利用实时图像采集及拼接技术，将真实芯片与设计图纸进行比对，并进行位置修正，确定失效精确位置后，缩小目标区域，通过阶梯开口方式，精确掌握垂直层数，最终实现快速定位及分析，通过对实际芯片的位置修正和定位，能够更准确及快速的实现失效位置确定，大大缩减了误判的发生率，并且由于定位准确，失效目标区域可以尽可能缩小，提高了分析操作效率。

电脑主板失效分析方法 930     

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本发明提供了一种电脑主板失效分析方法，该方法包括以下步骤：A、对样品进行外观检查，查看不良品表面是否有磨损、开裂等明显异常现象；B、对不良品进行失效点定位；C、使用良品对定位的失效点进行模拟验证；D、将不良品制成失效点位置的金相切片，并使用聚焦离子束系统对金相切片表面进行微切割；E、使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行分析，找出失效原因；F、模拟失效环境，对失效机理再次进行验证；G、综合分析，给出结论。本发明有如下优点：本发明分析方法步骤简单，操作方便，有效提高失效分析的速度和准确度，经过初步分析、初步验证、再次分析以及再次验证，从而保证了失效理由的可信度，提高了失效分析结果的信服度。

压力容器失效的分析方法 726     

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本发明公开了一种压力容器失效的分析方法，包括以下步骤：S1、制定检验方案：确定压力容器的相关工作参数，结合相关工作参数确定失效的具体内容和形成原因，制定因素分析表，并对应不同因素增加检测方案；S2、方案分析：分析造成失效的不同因素间的相关性，对关键因素进行标记，分析造成因素的原因，记录相关联的工作参数及产生时间、产生频率，同步的制定风险防御方案；S3、失效分析前检查：结合压力容器的基本信息以及设备运行的实际情况，初步分析压力容器是否符合特定工作状态下各项指标要求。本发明对压力容器存在的潜在风险进行及时防控，实现高效排除不同环境下存在的隐患，有效提升压力容器检验效果与质量，适用于工业相关产业。

车载直流降压芯片失效分析方法 857     

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本发明公开了一种车载直流降压芯片失效分析方法，包括以下步骤：步骤1)外观检查；步骤2)良品与不良品I/V测试对比分析；步骤3)无损探伤对比分析；步骤4)开封内部检查；步骤5)EMMI对比分析；步骤6)汇总记录，定位车载直流降压芯片失效位置。本发明一种便捷、高效的分析方法，能够快速定位芯片失效位置，并准确分析出失效应力来源。

半导体器件的失效分析方法及其设备 891     

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本发明揭示了一种半导体器件的失效分析方法及其设备，该方法包括以下步骤：S1：对半导体器件进行失效位置分析确认失效信息；S2：确认目标位置的观测对象包括单个对象还是多个对象；S3：如确定观测对象包括单个对象，则检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；S4：如确定观测对象包括多个对象确认观测单个对象，检测单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向；选择对应单个对象的电路布局图，根据检测到的边界尺寸和方向，对单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配，使单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。该方法可将观测画面的位置与实际电路布局图上的位置匹配，快速找到观测对象目标，提高了失效分析效率。

PCBA失效分析方法 1060     

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本发明公开的属于PCBA失效分析方法技术领域，具体为一种PCBA失效分析方法，包括以下步骤：S1：对PCB板进行外观光学检查，判断其是否有污染、开裂或烧焦现象；S2：对步骤S1中判断有污染的PCB板通过红外光谱分析判断其是否有机物污染，若有，检测出有机物种类；通过元素分析判断其是否有无机物污染，若有，检测出无机物种类；S3：对步骤S1中判断有污染或开裂的PCB板进行电性能检测，判断其是否有电性异常；本发明的PCBA失效分析方法对PCB板的失效分析全面，本发明通过外观光学检查、污染物检测、电性能检测、X‑RAY射线检测、金相显微镜检测和SEM+EDS分析，能够有效的检测处PCB板的失效原因。

失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法 686     

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本发明公开了一种失效分析中分析晶格缺陷的TEM样品制备新方法。该方法使用手动研磨代替聚焦离子束来制备TEM样品，使样品中的晶格缺陷在极小或极浅的情况下均能被发现，而且不受晶格缺陷的方向的影响。极大地促进了晶格缺陷的发现与观测，准确率高，对TEM样品的制备的研究具有重要意义。

液晶面板测试模组及液晶面板失效模式分析方法 1137     

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一种液晶面板测试模组及一种液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板测试模组包含:驱动电路、测试电路以及若干个开关。其中驱动电路包含:若干个信号输入线及若干个信号输出线,信号输出线包含第一信号输出线群组、第二信号输出线群组和第三信号输出线群组;测试电路包含第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线,分别与第一信号输出线群组、第二信号输出线群组和第三信号输出线群组电连接;以及若干个开关分别位于第一测试信号线、第二测试信号线和第三测试信号线与每一信号输出线之间。

电子产品的可靠性失效分析检测方法 929     

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本发明公开了一种电子产品的可靠性失效分析检测方法，包括以下步骤：S1、在电子产品元件上安装温度、电流和电压监测装置；S2、将电子产品元件额定范围输入分析检测单元并作为第一数据；S3、温度、电流和电压监测装置对电子产品元件实时数据检测并上传；S4、上述数据在分析检测单元中与额定范围值的最大值进行比较计算，超出额定值关闭电子产品元件；S5、将失效数据通过失效数据显示单元进行显示。本发明分析检测方法简单明了，通过数次检测即可得出影响电子产品元件可靠性的主要原因，并针对性的进行改进，提高电子产品元件使用的可靠性，延长电子产品元件使用寿命，适合进行推广。

电容失效分析检测方法 780     

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本发明涉及一种电容失效分析检测方法，包括如下步骤：外观检查；内视检测，通过探伤检测设备对失效电容进行失效点定位，并确定失效点位置；初步确认失效原因，根据失效点位置列出可能的失效原因；模拟试验，根据失效原因对良品电容进行针对性的通电模拟，验证可能的失效原因，并将良品电容在失效损毁后的失效点情况与失效电容的失效点位置进行比对，确定失效原因；金相检测，将失效电容制成失效点位置的金相切片并在金相显微镜下观察确认，再使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行扫面分析，验证确定电容失效损毁原因并给出分析结论。本发明能够快速、高效地确认电容失效的根本原因，通过电容失效分析实现对于电子系统的工作可靠性的提高。

新型集成电路失效分析检测方法 741     

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本申请实施例涉及一种新型集成电路失效分析检测方法。根据本申请的一实施例，新型集成电路失效分析检测方法包括：对集成电路组件进行封胶以得到包含新型集成电路的胶柱体，其中集成电路组件包括晶片和衬底，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，晶片位于衬底的第一表面上；以及从靠近衬底的第二表面的胶柱体的底面进行研磨至暴露衬底。本申请实施例提供的新型集成电路失效分析检测方法可有效解决传统技术中遇到的问题。