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KJ-CVD 是一种分体式管式炉，配备 60mm 直径的石英管、真空泵和四通道质量流量计气体流动系统。 可混合1-6种气体进行CVD。款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。采用温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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该设备是一款带有预热系统的滑动PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，滑动式管式炉，4通道质量流量供气系统和旋片泵组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。
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科佳高真空PECVD设备由管式炉、真空系统、气体供应系统、射频电源系统等组成。通过射频电源将石英真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
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该立式双温区CVD系统主要由：1200度双温区管式炉、3通道质量流量计供气系统、2L/S抽速真空泵及相关连接件组成;设备下方加装定向轮和万向轮，设备整体占地尺寸小并可灵活移动。该设备适用于CVD工艺，主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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科佳公司研制开发了碳纳米管、纳米线连续生长专用设备，该设备由气流控制系统、注液系统、多级温控多区生长系统、水冷系统、碳纳米管等组成。碳纳米管生长炉最高工作温度为1400℃，可在0-1400℃之间连续调节，热场垂直分布，两点控温。设备顶部设有注液口和导流件。这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成。可适用于石墨烯生长等。
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KJ-T1200CVD是一种管式炉，配备60mm直径的高纯石英炉管、真空泵和四通道质量流量计+一个浮子流量计气体流动系统。它可以混合1-4种气体用于CVD或扩散。
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六通道高真空PECVD系统是一款由1200度管式炉，等离子射频电源，分子泵高真空，六通道气路等组成的等离子化学气相沉积系统，加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可应用于纳米材料生长，石墨烯生成、金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜等各种薄膜等，可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏
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该设备主要用于石墨稀、納米材料工艺涂层、多晶硅、碳化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
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KJ-MZ1700-12LX带搅拌功能升降式炉主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和溶解，小型钢件等加热、焙烧、热处理用。
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这款底部装料马弗炉工作温度≤1600℃。紧凑型炉腔设计，带升降托盘，炉底可升降。该高温箱式升降炉是研究实验室中进行材料退火和烧结的理想设备。
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供企业实验室、科研单位作样品分析测定、氧化铝制品、粉末冶金、纳米材料的烧结。玻璃、晶体的精密退火、金属零件淬火、退火、回火等需快速升温工艺要求的热处理。
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该款箱式马弗炉各项指标均达到了标准水平，主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和溶解，应用于电子元件、粉末冶金、磁性材料等产品的排胶、预烧和烧成，也可用于其它材料的热处理工艺等。
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科佳KJ-M1700-96LZ 1700℃大型智能一体马弗炉温控系统与炉体集成在一体，结构紧凑，外形美观大方，操作方便，使用稳定可靠；炉膛采用新型陶瓷纤维材料，升温快、保温好、轻质节能；产品采用智能控制，以微处理器作为控制中心，PID控制算法和自适应控制技术，能够智能控制预加热温度。液晶显示屏，全中文显示数据和进程。
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KJ-MZ1700-12LX系列升降式箱式炉主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和溶解，小型钢件等加热、焙烧、热处理用。
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KJ-M1400-S1400℃升降式双推车钟罩炉适用于适用于金属材料的热处理工艺，电子元件、粉末冶金、磁性材料等产品的排胶、预烧和烧成、淬火、回火。院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和熔解等。
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