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JZ系列加工中心是具有自动换刀装置及CNC 三轴联动控制系统的现代化加工机床。可一次装夹，自动连续地完成对零件的铣削、钻孔、镗孔、扩孔、铰孔及攻丝等多种工序加工。适用于中等批量生产的各种平面、孔、复杂形状表面的加工，尤其是多孔大中型箱体类零件更为方便，节省工装，缩短生产周期，提高金属线材的加工精度。它是国防工业、汽车制造、拖拉机、轻工行业、纺织机械、模具行业以及机床行业，进行机械加工和技术改造的理想设备。
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高刚性定梁龙门雕铣机机体为高牌号树脂砂铸件，并经人工时效处理消除内应力，有效防止机床的变形，整机重量高达5吨!主要部件均采用进口零部件，除了有很高的金属材料加工精度外，还有较强的开粗能力!
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小型龙门加工中心：本系列机台提供不同于传统立式加工中心的*性能，符合人体工学可轻松装卸加工件，优良的人机亲近界面更方便加工者进行设定。3，切削清除容易：双螺旋除屑系统加链钣式输送结构，可*有效徘除这些金属线材的切屑，大大减少人工滴理时间。4，占地面积小：本系列所拥有双立柱，有效节约占地空间。5，结构刚性*;本系列小型龙门加工中心机**轴中心非常靠近横梁位置，悬臂效应小，有看*的结构刚性。
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射频发生器 射频电源是一种高性能射频发生器，其采用最新LDMOS技术，功率范围从100W到10kW，频率覆盖2MHz到100MHz，具备频率调谐、脉冲等功能，且配备灵活用户界面和高级功能。它适用于半导体、工业镀膜等领域，能在极端动态负载下可靠工作。产品还提供广泛的功率和频率配置，集成先进组件，支持高稳定射频输出、电弧管理等特性，易于集成和控制。其应用广泛，包括PECVD、PVD、刻蚀设备等，且在多个知名科研机构和项目中得到应用，如布鲁克海文国家实验室、劳伦斯伯克利国家实验室等。
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热舟蒸发源是一种用于实现轻薄薄膜金属沉积的设备，特别适用于薄层沉积、光学涂覆、混合层沉积和金属电极接触等应用。该设备由高质量、高真空兼容材料制成，能够在超高真空环境下加热至250℃，确保沉积过程的稳定性和纯度。热舟蒸发源支持手动或马达驱动挡板，最大工作电流可达100A，可根据客户需求定制，满足多样化的薄膜制备需求。
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在MEMS制造中，构建三维结构或封装通常需要两个单芯片的精确对准和键合。使用芯片到芯片键合器（CCB），可以手动对齐两个芯片。然后可以使芯片接触，以进行阳极键合或各种胶合过程。单芯片对准级包括三个线性轴和三个旋转轴，为大多数对准应用提供了足够的自由度。下芯片夹在基板上，上芯片由针固定。两个真空保持器都可以单独调节和切换。为了执行阳极键合过程，提供了加热板和高压源。在控制器单元上调节键合电压，该控制器单元监测电压和键合电流。加热板的温度也在控制器单元上进行调节。
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等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）是一种用于薄膜半导体材料制备的高性能设备，能够在较低温度下借助等离子体的高活性促进化学反应，沉积出高质量的薄膜。该系统可沉积SiO₂、Si₃N₄、类金刚石薄膜、硬质薄膜和光学薄膜等，最大沉积尺寸达12英寸。系统配备射频淋浴源、空心阴极高密度等离子体源、感应耦合等离子体源或微波等离子体源，支持最高800°C的加热温度，均匀性优于±3%，并具备预抽真空室和自动晶片装卸功能，实现全自动控制。
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等离子体增强原子层沉积（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。
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这款美国制造的多功能镀膜系统专为研究所和研发部门设计，具备小容量、快速重复工作流程的特点，活性沉积区域最大直径可达200mm（8英寸），适应多种衬底。系统可配备最多4个溅射源，支持连续沉积和联合沉积模式，具备不同工作气体控制功能。其磁控溅射源直径有50mm、75mm和100mm可选，内置阴极角倾斜和挡板设计，配备直流、脉冲、高频（HF或MF）电源，衬底可加热、冷却或加载RF/DC偏压，还可添加预抽室，具有超高性价比，占用空间小，能够满足客户对真空薄膜沉积的高性能要求。
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反应离子刻蚀系统（RIE）及深反应离子刻蚀系统（DRIE）是专为薄膜半导体材料制备和微纳加工设计的高性能设备。RIE通过高频电压产生离子层，利用离子撞击完成化学反应蚀刻，适用于高精度、高垂直度的刻蚀需求。DRIE系列则配备低温晶片冷却、偏置压盘和2kW ICP源，能够在10⁻³ Torr压力下高效运行，支持深硅刻蚀等复杂工艺。系统具备铝制或不锈钢腔体、射频源、高真空度、双刻蚀容量、气动升降盖、手动/全自动装卸样品等功能，还可选配高密度等离子源、ICP源、低温冷却、终点探测等模块。
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电子束蒸发镀膜系统（E-Beam Evaporator System）是由美国专业制造商生产的高性能薄膜制备设备，适用于薄膜半导体材料的制备。该系统具备电子束蒸发、热阻蒸发、离子束辅助蒸发镀膜（IBAD）和泻流源等多种功能模式。其技术参数包括304不锈钢圆柱形腔体（标准直径18英寸和24英寸）、分子泵或冷凝泵真空系统、手动或自动传片的Load Lock（适合200mm以下样品）、PC/PLC自动控制界面、QCM和光学膜厚监控、RGA残余气体分析、多种衬底夹具（单片、多片、行星式）以及可加热、冷却、偏压和旋转的衬底支架。
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我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统.
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超高真空多腔室物理气相沉积系统（PVD）是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高端设备。它由全球领先的沉积设备制造商生产，具备多种沉积方式，包括磁控溅射、电子束蒸发和热蒸发，且预留了多种功能接口，高度灵活，非常适合科研用途。该系统在机械泵和分子泵的配合下，极限真空可达5×10⁻¹⁰ Torr（经过24小时烘烤冷却后），镀膜均匀度小于3%。它支持多种样品尺寸（1”至12”），配备石英晶体微天平和椭偏仪进行膜厚监控，样品台可旋转、加热并加载偏压。
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PVD公司生产的超高真空磁控溅射系统是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高性能设备，支持最大300mm衬底，具备RF、DC和脉冲DC等多种溅射技术，靶材尺寸从1英寸到8英寸可选。系统配备可加热至850°C的衬底支架、高真空腔体（304不锈钢材质）、分子泵或冷凝泵真空系统，以及QCM膜厚监控和RGA残余气体分析等原位监控功能。此外，还可根据客户需求扩展RHEED、椭偏仪等功能，广泛适用于半导体薄膜的研发与生产。
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纳米颗粒和薄膜的模块化PVD系统 是一种多功能的 PVD 系统，能够生成纳米颗粒和薄膜，非常适合工业和学术研究。NL-FLEX 能够容纳任何类型的基材，包括卷对卷、非平面和粉末涂料。服务于广泛的应用，包括催化、光子学、储能、传感器和生命科学。这种模块化 PVD 沉积系统可以与分析工具集成，为您的研究需求提供完全定制的解决方案。
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纳米颗粒和薄膜UHV沉积系统是一种超高真空 PVD 系统，能够产生纳米颗粒和薄膜，非常适合工业和学术研究。 服务于广泛的应用，包括催化、光子学、储能、传感器和生命科学。该UHV 沉积系统可以与分析工具集成，为您的研究需求提供完全定制的解决方案。
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该系统是一种台式真空系统，可将超纯非团聚纳米颗粒直接沉积到直径达 50 毫米的任何表面上。专为共享研究或教学实验室而设计，学生和研究人员可以在各种纳米技术项目中并行使用，而不必担心交叉污染。应用包括催化、光子学、储能、传感器和生命科学。
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这是一款美国原产的高性能脉冲激光沉积系统（PLD），用于制备高质量薄膜和研发新材料。系统通过高密度脉冲激光照射靶材，形成等离子体并沉积到对面的基板上，可获得热力学准稳定状态的薄膜。设备配备6个1-2英寸靶位，可自动旋转并由步进电机控制靶材选择；基板采用2英寸铂金加热片，加热温度可达1200℃，温差小于3%，可在氧气环境中旋转工作。成膜室和样品搬运室均为SUS304材质，本底真空度分别小于5×10⁻⁸ Pa和5×10⁻⁵ Pa，配备分子泵和机械泵，以及超高真空阀门和真空计。
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PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统（PLD MBE）凭借其优异性能，在国内外拥有众多用户，广泛应用于薄膜外延制备。作为美国主要制造商，PVD专注于设计和制造超高真空薄膜沉积系统，涵盖分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积等领域。其产品主要面向小型研发系统，适用于多种材料的外延生长，如半导体材料、ZnO、GaN、SiGe、金属/氧化物、磁性薄膜、超导薄膜、氧化物和陶瓷材料等。系统配置包括主腔室、样品传输腔、1100度加热系统、样品旋转、PLD靶材操控器及光路、K-cell热蒸发源、电子束蒸发源和射频RF离子源等。
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这是一款高性能的磁控溅射仪，适用于4英寸和6英寸衬底，具备4个靶位，靶材尺寸为3英寸，可溅射磁性材料。设备极限真空度低于6.6×10⁻⁶ Pa，膜厚均匀性控制在±5%以内。靶与样品距离可调，并可在30度内摆头。配备load-lock系统，可放置5片6英寸样品，电动马达在高真空状态下顺序传送并溅射样品。样品台可加热至750℃并支持旋转，配备全自动真空控制模块。气路支持Ar、O₂、N₂，提供2个600W射频电源和2个1000W直流电源，满足多种薄膜制备需求。
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