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HT1100多工位管式炉是一款紧凑型管式炉，可用于实验室、科研和生产企业. 内置精密温度控制器，该炉可在水平、垂直或倾斜等多个工位下工作，以满足各种需求，操作简单快捷，实用性高。
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1200℃多功能三温区滑轨电动区熔炉是将分体式三温区管式炉、手动滑轨炉和电动区熔炉，集合在一个系统中实现，通过调整左、中、右三个温区的位置，可以实现每个温区之间大梯度的温度差值。手动滑轨炉模块可以实现对样品的快速加热和快速冷却功能，右侧的电动区熔模块，通过控制加热模块的移动速度，实现对样品的区熔或提纯功能。
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HT-TL-CGF是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉（采用Ar气电弧对样品熔融，提拉装置提拉），其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体（带有水冷夹层），真空度可达10-5Torr。此款单晶炉特备适合生长高熔点的单晶，如Ti单晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
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台车升降式高效烧结炉，是同时实现脱脂、烧结和废气处理的一款炉型。采用台车升降、炉体双层设计的结构。炉膛采用四面加热（前后左右），加热原件分布在炉膛四周，从而实现炉内的良好均匀性。炉膛内衬采用高温陶瓷纤维板，原料为氧化铝多晶纤维，多层方式设计，降低热损，提高加热效率。
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小型分体式磁控溅射仪是一款小型的单靶磁控溅射镀膜仪，配有一个2英寸的磁控等离子溅射头。射频等离子电源和高压直流电源两种电源可选，用于镀膜各种薄膜材料。单靶射频磁控溅射仪体积小巧，功能出色、配置齐全，兼容超净间，性能稳定。可用于制备高质量的金属薄膜、半导体薄膜、介电、绝缘材料薄膜以及复合薄膜、多层异质结等，广泛应用于材料科学、电子工程、光学、航空航天等领域。
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HT-1800C是一款高温管式炉，其内膛中嵌有Zr02的内衬，加热元件采用硅钼棒。仪器标配中含有一套不锈钢真空法兰(法兰上安装有不锈钢针阀和机械压力表)和一根高纯氧化铝炉管(60mmO.Dx 1000 mmL)。控温系统采用PID50段程序化控温，控温精度可达到±1℃。
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HT-1600C是一款高真空超洁净气氛炉，最高加热温度可达1600℃-1800℃，极限真空度为10-5Torr(需配套分子泵使用)，全水冷不锈钢炉体内采用钨带加热，外层为钨多层反射板进行隔温，炉内为全金属材质组成，拥有高洁净度，低放气量的优点，使得该炉在高温下可获得较高真空度，并目拥有很高的洁净度。
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HT-2300C是一款感应加热的卧式管式炉，最高温度可达2300℃，可以在真空和气氛保护下使用，可以在内部放置一根⌀26mm的刚玉管（最高耐温1700℃），用于在空气、水蒸气或氧气气氛下使用。
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HTAF-1700系列箱式气氛炉适用于高校、科研院所、工矿企业做箱式气氛炉应用于适合各类大专院校实验室、工矿企业化验室，供化学分析、物理测定，以及金属、陶瓷的烧结和熔解、小型钢件等加热、焙烧、烘干、热处理用。高温烧结、金属退火、新材料开发、有机物质灰化、质量检测之用，也适用于军工、电子、医药、特种材料等生产和实验。
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化学气相沉积系统(CVD)为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)， 内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命。HTTF-1200-V-PECVD多路混气真空管式炉PECVD系统广泛应用于沉积高质量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)等。
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高温高压管式炉炉管由镍基高温合金制成，可在高温下承受高压炉膛采用高纯氧化铝纤维，最大程度减少能量损失，内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命铝制散热器安装于壳体上，托住炉管，并带有风冷系统,可有效降低法兰温度安装了压力传感器与泄压电磁阀，具备过温报警同时也具备过压报警自动卸压功能，以确保设备安全运行可选装温度控制和压力监测软件用于远程控制炉体设计为开启式，以方便更换炉管
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本系列升降炉均系周期作业式。设计用于熔化高纯度玻璃、烧结和焙烧陶瓷、磁性材料、电子元件等材料的高温烧结。
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2025年05月16日 ~ 18日 
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