本发明涉及一种氘化锂的抗腐蚀处理方法,属于材料科学与核技术交叉领域。目的是为了解决当下氘化锂表面化学活性高,容易受到空气腐蚀而难以应用的问题,本发明所得氘化锂表面能够很好地覆盖一层薄薄的碳化硅陶瓷涂层,有效降低了氘化锂的表面活性,使其表面拥有了碳化硅的优良性能,抗腐蚀性能优异;制备方法简洁,辅助试剂易得,操作方便,装置简单;制备过程无三废排放,并具有普适性,适合大规模生产。
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