本发明公开了一种2D MoS2‑2D PbS范德华异质结光电
纳米材料的制备方法。以分散在溶剂中的MoS2超薄层为载体,醋酸铅和硫代乙酰胺分别为铅源和硫源,通过油酸、三辛基膦和三氯乙烷配体的作用使PbS在MoS2上定向生长成薄膜,从而得到2D MoS2‑2D PbS范德华异质结纳米
复合材料。本发明操作简单,能够通过改变醋酸铅和硫代乙酰胺的浓度控制2D PbS层在MoS2超薄层上的附着量,复合材料的光电性能优于单独的2D MoS2材料,并且光电流随着2D PbS在复合材料中的含量的改变而发生变化,所制备的二维2D MoS2‑2D PbS范德华异质结材料在光电领域有良好的应用前景。
声明:
“2DMoS2-2DPbS范德华异质结光电纳米材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)