本发明提供了一种层结构
复合材料及其制备方法,由于采用表面化学的方式进行了界面处理,提升了材料性能的同时避免了杂质引起的功能缺陷,具体的制备方法为:将抛光后的GaN衬底进行清洗处理;用酸清除氮化镓表面的原生氧化物;在原子层沉积仪中,以惰性气体为载气体,衬底温度为250‑350℃,用三甲基铝处理衬底其中一个表面;在原子层沉积仪中以惰性气体为载气体,利用铝源和氧源,衬底温度为250‑350℃,沉积
氧化铝介质层;在氧化铝介质层镀上金属膜。
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