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原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

652   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:09:01
本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料,由增强纤维,SiC纳米线,界面层和SiC基体组成;其特征在于SiC纳米线原位生长在增强纤维上,界面层包覆在增强纤维和SiC纳米线表面,SiC基体填充在增强纤维和SiC纳米线围成的间隙中;所述的增强纤维为C纤维或SiC纤维;所述的SiC纳米线直径为50~200nm,长度为0.5~3mm;所述的界面层为PyC或BN,厚度为0.02~0.1μm。本发明有效地解决了SiC纳米线在纤维预制体内较难均匀分布的问题,同时通过原位生长SiC纳米线充分发挥了SiC纳米线对SiC陶瓷基复合材料的优势等。
声明:
“原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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