本发明公开了一种半导体大功率器件用铜‑钼铜‑铜
复合材料及其制备方法,包括如下步骤:⑴在
石墨烯的表面化学镀铜并烘干;⑵将纯铜粉、钼粉和镀铜石墨烯粉末混合均匀后轧制成钼铜生坯;⑶将纯铜粉与镀铜石墨烯粉末混合均匀后轧制成铜生坯;⑷将钼铜生坯烧结成型;⑸轧制钼铜烧结坯使其厚度变形量达到40%以上;⑹在钼铜合金的上下表面各放一层铜生坯,然后烧结成型并随炉冷却;⑺将铜‑钼铜‑铜复合烧结坯进行双衬板冷轧成型,总厚度变形量控制在10~35%;⑻将复合终轧坯去应力退火。铜层和钼铜层中分别含有0.05~0.5%石墨烯,石墨烯以表面化学镀铜的形式加入,且钼铜层中含5~30%铜。该复合材料在保持高导电性能的基础上,显著提高了强度和导热性能。
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