本发明公开了基于单层二硫化钼纳米
复合材料的电存储器,在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层,ITO膜层上设有活性层,活性层上设有金属电极,活性层为二硫化钼与另一种
半导体材料组成的纳米复合材料,该纳米复合材料以二硫化钼为多体,另一种半导体材料的纯度大于90%。本发明还公开了上述电存储器的制备方法。本发明通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层,得到Flash型存储器件,且存储器件的性能有所提高。
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“基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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