本申请公开了一种
多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用,属于
光伏技术领域。该多晶硅半熔铸锭用坩埚,包括坩埚本体和喷涂在坩埚本体内部表面的氮化硅层,所述氮化硅层的厚度为1mm‑2mm。该坩埚可防止坩埚本体中的杂质渗入多晶硅铸锭中,并且不会在多晶硅铸锭过程中脱落而与坩埚本体粘连;该坩埚的制备工艺简单,坩埚表面的氮化硅层光滑;使用该坩埚制备多晶硅锭的良率高。
声明:
“多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)