本申请公开了一种
多晶硅半熔铸锭工艺,属于
光伏技术领域。该多晶硅半熔铸锭工艺包括下述步骤:1)装料阶段:将硅料装填入坩埚,转移坩埚至铸锭炉;2)加热、熔化阶段:关闭隔热笼,将铸锭炉抽至真空,加热、熔化硅料,在熔化阶段中后期逐步打开隔热笼至第一开度;3)长晶阶段:控制隔热笼的上升速度调整坩埚底部的温度控制长晶速度,结晶阶段的隔热笼的上升至少包括顺序调整的第一上升速率、第二上升速率和第三上升速率三个阶段;4)退火、冷却阶段即制得多晶硅锭。该工艺制备的多晶硅高效产出率高,多晶硅锭的长晶初期形成的底部的缺陷少。
声明:
“多晶硅半熔铸锭工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)