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磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜

668   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:33:13
本发明公开了磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜,涉及无机化合物功能薄膜制备技术领域及磁控溅射技术领域。其特征在于是通过一种特殊设计的复合靶材,利用普通磁控溅射及后退火处理得到成分分布均匀的、符合化学计量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工艺参数为:溅射功率20W,工作气压0.7Pa,溅射时间60-120min,快速退火时间1-5min,常规退火时间30-120min。本发明实现了TiCoSb材料的薄膜化,为对其热电和光电性能的进一步研究及对其在薄膜热电、光电器件领域的应用有相当积极的作用。
声明:
“磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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