权利要求
1.一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、根据成分配比要求，按照氧化铟90-97%、氧化锡3-10%的质量比进行混合得到混合粉体，然后掺入造粒助剂得到ITO浆料;
步骤二、将步骤一所得的ITO浆料进行造粒处理，得到ITO造粒粉体;
步骤三、将步骤二所得ITO造粒粉体分成两部分，第一部分的ITO造粒粉体的质量百分含量为30-70%，第二部分的ITO造粒粉体的质量百分含量为30-70%，所述第一部分和第二部分ITO造粒粉体的质量总和为100%;
步骤四、将第一部分的ITO造粒粉体进行预烧处理，得到预烧粉体;
步骤五、将步骤四所得预烧粉体与第二部分的ITO造粒粉体混合，并进行预压成型，得到ITO素坯;
步骤六、将步骤五所得ITO素坯放入脱脂炉中进行脱脂处理;
步骤七、将步骤六处理后的ITO素坯放入烧结炉内在常压空气气氛中进行烧结处理，得到低密度ITO蒸镀靶材。
2.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述造粒助剂包括分散剂、粘结剂和润滑剂;所述分散剂为聚丙烯酸铵，粘结剂为聚乙烯醇。
3.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述混合粉体的平均粒径D50为400nm。
4.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤二中造粒处理的温度为90-110℃。
5.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中预烧处理的工艺条件为：烧结温度为1300-1600℃，保温时间为6-10h。
6.根据权利要求5所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤四中所述烧结温度的升温速率为2℃/min。
7.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤五中预压成型的压力为20-30MPa。
8.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，步骤六中脱脂处理的工艺条件为：脱脂温度为500-800℃，保温时间为4-8h。
9.根据权利要求1所述低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特
声明：
“低密度ITO蒸镀靶材的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：宁波甬兴电子有限公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
