氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生产其的低压pecvd方法
技术领域
1.本发明涉及无应力透明氧化硅涂覆的聚合物基材。本发明进一步涉及一种用于在聚合物基材上、特别是在薄聚合物膜上、更特别是在基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的薄聚合物膜上沉积基于无应力透明氧化硅的层的方法，以及一种用于促进层压材料与聚合物基材的粘附性的方法。特别地，该方法适合用于连续的涂覆工艺。
背景技术：
2.基于氧化硅的层可以用于不同目的的聚合物基材上。它们可以用作水蒸气或气体的阻隔层。它们还可以是用于改变聚合物膜的光学或光能特性的更复杂的多层堆叠体的一部分，例如像抗反射层堆叠体、低发射率绝缘层堆叠体或阳光控制层堆叠体。它们还可以用于改善聚合物基材与其他基材或粘合剂或与其他涂覆层的粘附性。
3.为了生产基于氧化硅的层，可以使用所谓的pecvd方法(等离子体增强化学气相沉积)。对于各种层材料，当涂覆许多不同的基材时，可以使用这些方法。聚合物基材经常遇到的问题是基材温度的升高和等离子体反应物质对聚合物基材表面的蚀刻。例如，已知用微波激发和/或射频等离子体增强pecvd在13μm的pet基材上沉积厚度为20至30nm的sio2层和si3n4层。虽然获得了令人关注的阻隔特性，但厚度为200nm的涂层在低于10nm m min-1
的动态沉积速率非常低。[a.s.da silva sobrinho等人,j.vac.sci.technol.a[真空科学与技术杂志a]16(6),1998年11月/12月,第3190-3198页]。
[0004]
当通过pecvd在pet基材上沉积用于透明阻挡层的氧化硅时，可以实现氧气阻隔和水蒸气阻隔特性[r.j.nelson和h.chatham,society of vacuum coaters[真空镀膜协会],34th annual technical conference proceedings[第34届年度技术会议论文集](1991)第113-117页以及m.izu,b.dotter,s.r.ovshinsky,society of vacuum coaters[真空镀膜协会],36th annual technical conference proceedings[第36届年度技术会议论文集](1993)第333-340页]。
[0005]
已知pec
声明：
“氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生产其的低压PECVD方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：旭硝子欧洲玻璃公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
