本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法,包括:在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4,置于空气中10秒以上,形成水解层;再将其置于高温热台上,在高于400℃温度下,在空气中煅烧2分钟以上,即得到半导体金属氧化物,其中,M代表金属元素,R代表烷基单元,OR代表醇根阴离子;再通过30-60分钟的退火(退火温度400-500℃),即可以得到结晶性良好的半导体氧化物。相比于同体系的纳米颗粒材料,本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高,载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化
太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。
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