本发明公开了一种掺杂型单晶
四氧化三锰的制备方法,包括(1)将硫酸锰及掺杂元素M混合后高速球磨,获得混合物A;(2)将混合物A在回转窑内加热至700℃‑950℃,保温2‑8小时后升温至1250‑1450℃保温4‑12小时,得到物料B;(3)将物料B进行粉碎过筛除铁,得到掺杂M元素的单晶四氧化三锰。本发明制备的单晶四氧化三锰合成的锰酸锂具有单晶形貌,工艺简单,锰源烧结温度低约700‑830℃左右,锂锰比约为1.04‑1.10,
碳酸锂消耗少,成本低,且合成的锰酸锂压实密度高,循环性能优异。
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