本发明公开了硅碳负极补锂极片的制备方法,所述方法包括将锂粉、硅粉、碳源及导电剂在超临界流体的氛围中保护分散制备成补锂混合物,负极活性物质、补锂物质及导电剂的配比及分散工艺;在负极集流体上涂布负极浆料,得到负极极片。本发明制备方法中,补锂混合物在超临界流体氛围中,减少了团聚发生,提高了浆料的加工稳定性,对比普通补锂工艺制备的极片,电导率提高近两倍。
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