本发明涉及一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的化学式为Li
4MgGe
2S
7,分子量为421.67,结晶于单斜晶系,空间群为
Cc,晶胞参数为a=16.872(6)Å,b=6.711(2)Å,c=10.156(4);α=90°,β=95.169(5)°,γ=90°,V=1145.3(7)Å
3。硫锗镁锂为无色透明的非中心对称结构晶体,以[LiS
4],[MgS
4]和[GeS
4]四面体组成结构基元。采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法制备,可用于制备红外波段激光频率的转换、红外激光制导、红外激光雷达、能源探测、远距离激光通讯中的用途。所获得的硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体具有优异的光学性能,其红外吸收截止边长,带隙宽,激光损伤阈值高,非线性光学系数大。在高功率红外激光系统中具有重要的应用价值。
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“硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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