掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法,属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因,掺杂浓度低;在生长这种晶体的过程中,由于氟化钇锂熔点高,原料挥发严重,难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系,以
稀土铒为激活离子,所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4,晶体基质为氟化钆锂;其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3=16.5~17∶7.76~8过量加入,晶体生长工艺参数确定为提拉速度:0.3~0.8mm/h,旋转速度:3~10rpm,生长温度:745~755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体,适用于大功率固体激光器。
声明:
“掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)