本发明公开了一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术,其特征在于,首先制备氟化锂缓冲层(6),然后依次制备聚乙烯醇(701)/氟化锂(702)交替封装薄膜。本发明薄膜封装技术通过如下的步骤实现:①在有机半导体器件(5)之上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂缓冲层,其尺度适当,以使待封装有机半导体器件的电极(2和4)露在外面,而其有机半导体活性层(3)被完全封装在里面;②在氟化锂缓冲层上用旋涂法制备聚乙烯醇封装层;③进行干燥处理;④在聚乙烯醇封装层上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂封装层;⑤重复上述步骤②-④,直至在氟化锂封装层上再制备第(N-1)层的聚乙烯醇/氟化锂交替薄膜(NO);⑥在200℃温度下对封装器件加热2小时,对聚乙烯醇进行交联。
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