一种提高铌酸钾锂单晶片中锂含量的方法,包括 如下具体步骤:在铂金坩埚内,放置带气孔的K2O、Li2O和Nb2O5混合料块;将双面抛光或单面抛光的铌酸钾锂晶片置于或悬于铂金丝上,加上覆盖有K2O、Li2O和Nb2O5混合粉料和热电偶的坩埚盖,坩埚顶部加铂金盖密闭,置于电阻炉中;该电阻炉加热升温至800~1200℃,恒温50~100小时,Li2O扩散到铌酸钾锂晶片中,缓慢降温,从而提高了铌酸钾锂晶片中Li含量。本发明克服了高Li含量的铌酸钾锂晶体难以生长的问题,可用于半导体近红外激光倍频。
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