合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 新能源材料技术

> 延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法

延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法

681   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 20:20:50
本发明公开了一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法,属于晶体生长领域。本发明通过选择具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为下次生长的籽晶,可以有效地避免生长初期出现的多核生长现象,经过多次延续单一生长中心后,碳化硅单晶中的成对反向螺位错会发生聚并湮灭,从而可以降低单晶中的内部缺陷密度。通过本发明方法,能够获得质量越来越好的低缺陷密度碳化硅晶体。本发明制备的碳化硅单晶可以更好地应用在航天、航空、航母等国防军工领域,也可广泛地应用在工业自动化、新能源汽车、家电、5G通讯等民用领域。
声明:
“延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
新能源
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记