本发明涉及一种利用二次阳极
氧化铝(AAO)模板法制备Cu‑PANI同轴纳米线阵列的方法;其同轴纳米线直径为120nm,长度为0.4‑2.5μm。利用三电极体系进行控电位沉积;首先将二次阳极氧化铝膜电极置于含有苯胺和盐酸的电解液中,控电位沉积PANI纳米管,沉积电位为0.7~1.0V,电解液温度为20~40℃;然后将制备的PANI纳米管置于含有CuSO
4和Na
2SO
4的电解液中控电位沉积Cu纳米线,沉积电位为‑0.3~0.0V,电解液温度为20~50℃;将制好的材料置于NaOH溶液中溶解AAO模板,洗涤干燥后得到Cu‑PANI同轴纳米线阵列。该方法制备的
复合材料排列整齐、长度可控,操作简单、易于实现,且得到的材料在
电化学传感器方面有较好的性能。
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“Cu-PANI同轴纳米线阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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