本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网
负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系,采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的
复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯,形成聚苯乙烯,高温热解形成碳源,合成工艺简单、绿色,苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏,有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性,降低了材料成本,有望实现商业化大规模生产。
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