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Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用

930   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:46:47
本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系,采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯,形成聚苯乙烯,高温热解形成碳源,合成工艺简单、绿色,苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏,有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性,降低了材料成本,有望实现商业化大规模生产。
声明:
“Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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