本发明公开了一种Bi
2Te
3/Bi
2O
3/TiO
2三元异质结薄膜的制备方法。先通过阳极氧化法在钛板表面制备二氧化钛(TiO
2)纳米薄膜,再通过一步恒电位沉积法在TiO
2纳米薄膜表面制备碲化铋/氧化铋二元纳米
复合材料(Bi
2Te
3/Bi
2O
3),得到Bi
2Te
3/Bi
2O
3/TiO
2三元异质结薄膜。通过X射线衍射证明了异质结薄膜中含有Bi
2Te
3,Bi
2O
3和TiO
2三种半导体物质,扫描电镜结果显示Bi
2Te
3/Bi
2O
3/TiO
2三元异质结薄膜由Bi
2Te
3/Bi
2O
3纳米花和TiO
2纳米管构成。紫外可见漫反射吸收光谱说明Bi
2Te
3/Bi
2O
3/TiO
2三元异质结薄膜在紫外可见光范围内的光吸收性能均优于纯TiO
2。将本发明的Bi
2Te
3/Bi
2O
3/TiO
2三元异质结薄膜应用于Q235碳钢的光生阴极保护,能够将Q235碳钢阴极极化至‑812mV以下,说明Q235碳钢已经进入很好的阴极保护状态。
声明:
“Bi2Te3/Bi2O3/TiO2三元异质结薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)